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DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長(zhǎng)金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士希望于2010年增加在DRAM市場(chǎng)的市占率，并倍增NAND Flash的產(chǎn)能。 　　根據(jù)研究機(jī)構(gòu)iSuppli資料，2009年第3季海力士于全球DRAM市場(chǎng)市占率為21.7%，落后三星電子(Samsung Electronics)的35.5%， 　　海力士也將增加NAND Flash產(chǎn)能，金鐘甲表示，2010年底前海力士計(jì)劃倍增NAND
  • 關(guān)鍵字： 海力士  DRAM  存儲(chǔ)器  

海力士擬償還8.88億美元債務(wù) 得益于芯片需求

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，由于計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供不應(yīng)求可能有助于利潤(rùn)創(chuàng)下4年來(lái)新高，全球第二大內(nèi)存芯片廠商海力士計(jì)劃今年償還逾1萬(wàn)億韓元債務(wù)(約合8.88億美元)。 　　海力士首席執(zhí)行官金鐘甲(Kim Jong-kap)日前在接受采訪時(shí)表示，“我們的目標(biāo)是，在進(jìn)行必要投資的同時(shí)償還巨額債務(wù)。目前，海力士有息債務(wù)約為7萬(wàn)億韓元(約合62.16億美元)。” 　　更少的債務(wù)和更高的利潤(rùn)有助于海力士吸引其他收購(gòu)方。去年11月，曉星公司撤消了收購(gòu)海力士的收購(gòu)要約。分析師稱，由于PC需求增長(zhǎng)，今年
  • 關(guān)鍵字： DRAM  內(nèi)存芯片  DDR3  

臺(tái)灣DRAM廠商大舉轉(zhuǎn)產(chǎn)DDR3

  • 　　2010年P(guān)C主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)從DDR2向DDR3的轉(zhuǎn)換正在逐步成為現(xiàn)實(shí)。據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，由于下游廠商的DDR2訂單量近期出現(xiàn)急劇下滑，多家臺(tái)系DRAM芯片制造商都在加快產(chǎn)能從DDR2向DDR3轉(zhuǎn)換的步伐。根據(jù)稍早前的報(bào)道，臺(tái)灣力晶(PSC)半導(dǎo)體以及他們和日本爾必達(dá)合資的瑞晶電子(Rexchip)預(yù)計(jì)，今年第一季度DDR3晶圓在其總產(chǎn)能中所占比例 將超過(guò)70%。而去年第三季度，DDR3顆粒占其產(chǎn)量的比例還不足5%。從去年第四季度開始，力晶和瑞晶已經(jīng)明顯加快了增產(chǎn)DDR3的步伐。 　　另一家DRAM大廠
  • 關(guān)鍵字： DRAM  DDR2  DDR3  

為什么存儲(chǔ)器是產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)

  • 　　存儲(chǔ)器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導(dǎo)體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應(yīng)用市場(chǎng)面寬，使其半導(dǎo)體業(yè)中有獨(dú)特的地位。業(yè)界有人稱它為半導(dǎo)體業(yè)的風(fēng)向標(biāo)。 　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲(chǔ)器廠退出，表示循環(huán)的結(jié)束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢(mèng)達(dá)最先退出。奇夢(mèng)達(dá)的退出使市場(chǎng)少了10萬(wàn)片的月產(chǎn)能。 　　在全球硅片尺寸轉(zhuǎn)移中，存儲(chǔ)器也是走在前列，如
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  DRAM  NAND  NOR  SRAM  

365天：DRAM產(chǎn)業(yè)從地獄到天堂

  • 　　2009年DRAM產(chǎn)業(yè)在地獄和天堂里各走一遭，年初1顆DRAM均價(jià)還在0.5美元，當(dāng)時(shí)生產(chǎn)成本還在2美元，可見虧損有多嚴(yán)重，各廠只好宣布停工、減產(chǎn)，巨額虧損的問(wèn)題延伸至臺(tái)、美、日DRAM廠大整合階段，也演變成國(guó)與國(guó)之間的戰(zhàn)爭(zhēng)。但到了年底，DRAM廠又開始生龍活虎起來(lái)，中間歷程看似短短 365天，但個(gè)中辛酸DRAM廠冷暖自知，未來(lái)各界看好DRAM產(chǎn)業(yè)有2年的好光景，終于擺脫地獄魔咒，前進(jìn)在通往天堂的路上。 　　365天之間可以發(fā)生多少事?它可以讓平均每天虧損新臺(tái)幣1億元、每1季虧損超過(guò)百億元的DRAM
  • 關(guān)鍵字： Microsoft  DRAM  DDR  

DDR2乏人問(wèn)津　DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能

  • 　　DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢(shì)迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來(lái)臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，近期臺(tái)系 DRAM廠紛搶著將產(chǎn)能轉(zhuǎn)移到DDR3，尤其是原本投入DDR3腳步落后的力晶和瑞晶，預(yù)計(jì)第1季底DDR3比重將達(dá)70%，速度超乎預(yù)期。不過(guò)，亦有業(yè)者認(rèn)為，若大家都搶著把DDR2產(chǎn)能轉(zhuǎn)走，說(shuō)不定會(huì)意外讓DDR2跌勢(shì)止穩(wěn)，反而有利于DDR2價(jià)格走勢(shì)。 　　臺(tái) DRAM廠表示，原本業(yè)者認(rèn)為在農(nóng)歷春節(jié)前DDR2買氣還有最后一搏機(jī)會(huì)，因?yàn)镈DR2若
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金士頓砸1億美元　綁樁海力士產(chǎn)能

  • 　　2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)熱度急速升溫，許多熬過(guò)景氣低潮期但口袋空空的存儲(chǔ)器大廠，紛積極募資搶錢，而最直接方式便是向下游存儲(chǔ)器模塊廠借錢，未來(lái)再以貨源抵債，近期海力士(Hynix)便獲得金士頓(Kingston)達(dá)1億美元金援，未來(lái)將以DRAM和NAND Flash貨源償還，形成魚幫水、水幫魚的上下游緊密合作關(guān)系。海力士可望以此筆金援將NAND Flash制程大量轉(zhuǎn)進(jìn)32奈米，全力從美光(Micron)手上搶回全球NAND Flash三哥寶座，并防止三星電子(Samsung Electronics)和東芝(
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海力士股東靈活掌握售股規(guī)模 欲在第二季選出買家

  • 　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體的債轉(zhuǎn)股股東，將對(duì)出售的股份規(guī)模持靈活態(tài)度，這部分股票市值最高達(dá)35億美元。這些股東計(jì)劃在今年上半年挑選出一買家。 　　這些股東包括韓國(guó)外換銀行和國(guó)有的韓國(guó)金融公司(Korea Finance Corp)，共同持有海力士半導(dǎo)體28%的股權(quán)，將在1月29日前收到初步購(gòu)買要約。海力士半導(dǎo)體是全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商。 　　韓國(guó)金融公司首席執(zhí)行官Ryu Jae-han稱，“談到股票規(guī)模,可能僅會(huì)出售15%，不過(guò)這取決于股東委員會(huì)的決議。”該公司是去年末從韓國(guó)產(chǎn)業(yè)銀
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硅晶圓需求旺　1Q報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%

  • 　　晶圓代工12寸高階產(chǎn)能吃緊，加上8寸晶圓廠營(yíng)運(yùn)也維持高檔，已傳出上游硅晶圓廠交貨不及，產(chǎn)能無(wú)法應(yīng)付晶圓代工業(yè)者所需，確定2010年第 1季硅晶圓報(bào)價(jià)將調(diào)漲5~10%;加上目前晶圓代工第2季訂單恐不俗，DRAM存儲(chǔ)器晶圓廠也都陸續(xù)恢復(fù)產(chǎn)能，第2季可能再接力調(diào)漲約10%。 　　繼大陸太陽(yáng)能電池生產(chǎn)用硅晶圓傳出調(diào)漲之后，晶圓代工廠用硅晶圓也確定漲價(jià)，目前2010年第1季漲價(jià)幅度介于5~10%之間。由于晶圓代工廠包括臺(tái)積電在內(nèi)高階制程產(chǎn)能滿載，更有吃緊之虞，包括硅晶圓大廠Shin-Etsu與代理商崇越、Su
  • 關(guān)鍵字： DRAM  晶圓代工  

DDR3將成為2010年主流 廠商以先進(jìn)制程跟進(jìn)

  • 　　DRAM業(yè)在走出低谷后，2010年前景看好，DRAM廠商積極擴(kuò)產(chǎn)應(yīng)對(duì)。其中臺(tái)塑集團(tuán)的南科、華亞科最為積極，華亞科全年資本支出更比2009年呈倍數(shù)成長(zhǎng)。 　　南科、華亞科已邁入50納米制程技術(shù)階段，南科暫定2010年資本支出約為5.9億美元，比2009年增長(zhǎng)逾45%。南科預(yù)計(jì)，在第二季度時(shí)，旗下月產(chǎn)能3萬(wàn)片的12英寸廠將全部以50納米制程投片，第三季度所有產(chǎn)品都采用50納米制程投片。 　　看好DDR3將成為2010年主流，南科計(jì)劃逐步提升DDR3產(chǎn)品的比重，目標(biāo)由2009年第四季度的30%-40%提
  • 關(guān)鍵字： Elpida  50納米  DRAM  晶圓  

重塑產(chǎn)業(yè)前景 迎接2010年IC業(yè)的大發(fā)展

  • 　　編者點(diǎn)評(píng)(莫大康 SEMI China顧問(wèn))：國(guó)際上有許多市場(chǎng)分析公司與機(jī)構(gòu)，如 Gartner，iSuppli，IC Insight，Semico，VLSI及SEMI，SIA，WSTS等。為什么它們的預(yù)測(cè)值不同，有時(shí)差異還不小。據(jù)編者的看法任何預(yù)測(cè)都有三類，即樂(lè)觀、中等和悲觀。另外，由于每個(gè)市場(chǎng)分析公司其數(shù)據(jù)來(lái)源及分析的范圍各不同，所以數(shù)據(jù)不一樣是正常的。那該如何來(lái)觀察與判斷呢?通常要找品牌，即有些公司的數(shù)據(jù)相對(duì)可靠(經(jīng)驗(yàn)值)，如半導(dǎo)體數(shù)據(jù)是WSTS，SIA，Gartner，iSuppli，而設(shè)備材
  • 關(guān)鍵字： IC  NAND  DRAM  

爾必達(dá)40納米制程正式對(duì)戰(zhàn)美光

  • 　　一度缺席全球DRAM產(chǎn)業(yè)50納米制程大戰(zhàn)的爾必達(dá)(Elpida)，隨著美光(Micron)2010年加入50納米制程，爾必達(dá)狀況更顯得困窘，在經(jīng)過(guò)近1年臥薪嘗膽后，爾必達(dá)2010年開春終于宣布，40納米6F2制程技術(shù)已于廣島廠順利完成試產(chǎn)，良率水平優(yōu)于預(yù)期，確定2010年可一舉進(jìn)入40納米世代，子公司瑞晶更宣示只要花新臺(tái)幣120億元，就可將旗下8萬(wàn)片12寸晶圓廠全數(shù)轉(zhuǎn)到40納米制程，與美光及南亞科、華亞科陣營(yíng)對(duì)戰(zhàn)煙硝味濃厚。 　　DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米制程是重要分水嶺，除技術(shù)難度外，1臺(tái)動(dòng)輒逾新臺(tái)幣
  • 關(guān)鍵字： Elpida  DRAM  50納米  

韓結(jié)束3年反壟斷調(diào)查 未發(fā)現(xiàn)芯片廠操縱價(jià)格

  • 　　韓國(guó)公平交易委員會(huì)(FTC)周三宣布，并未發(fā)現(xiàn)NAND快閃記憶芯片制造商在韓國(guó)或其它地區(qū)有操縱市場(chǎng)價(jià)格的行為，也宣告終止近3年來(lái)對(duì)該產(chǎn)業(yè)的反壟斷調(diào)查。 　　反壟斷監(jiān)管單位聲明，針對(duì)計(jì)算機(jī)記憶芯片產(chǎn)業(yè) (包括DRAM芯片、DRAM芯片等) 相關(guān)的價(jià)格操縱調(diào)查已經(jīng)全部結(jié)束。 　　2007年1月，F(xiàn)TC宣布將針對(duì)NAND快閃記憶芯片制造商進(jìn)行反壟斷調(diào)查，偵查是否有操縱價(jià)格的事實(shí)，之后已針對(duì)全球4家企業(yè)進(jìn)行調(diào)查，其中2家位于韓國(guó)，另外2家分別在美國(guó)和日本，但FTC并未公布詳細(xì)的企業(yè)名單。 　　韓國(guó)快閃記
  • 關(guān)鍵字： Hynix  DRAM  DRAM  

美光爭(zhēng)取華亞科主導(dǎo)權(quán)　臺(tái)塑拒絕成瑞晶翻版

  • 　　華亞科辦理6.4億股的現(xiàn)金增資，南亞科和美光(Micron)等大股東按原持股比例認(rèn)購(gòu)現(xiàn)增額度，但近期傳出美光向臺(tái)塑集團(tuán)攤牌，希望能增加認(rèn)購(gòu)比例，爭(zhēng)取華亞科更多股權(quán)，惟臺(tái)塑集團(tuán)回決此提議，認(rèn)為目前「等權(quán)共治」策略較佳。內(nèi)存業(yè)者表示，在瑞晶股權(quán)落入爾必達(dá)(Elpida)手中后，華亞科主導(dǎo)權(quán)亦成為臺(tái)、美雙方角力戰(zhàn)場(chǎng)，背后意義在于DRAM產(chǎn)能分配和潛在市占率。不過(guò)，針對(duì)美光要求提高華亞科持股一事，華亞科與南亞科均不予置評(píng)。 　　2009年臺(tái)DRAM產(chǎn)業(yè)整合計(jì)劃白忙1年，而茂德與海力士(Hynix)分手，亦使
  • 關(guān)鍵字： 華亞科  DRAM  DDR3  

2010年全球DRAM市場(chǎng)展望

  • 　　全球DRAM廠商自2006年紛紛投入“擴(kuò)廠競(jìng)賽”以來(lái)，DRAM市場(chǎng)嚴(yán)重供過(guò)于求的陰霾就揮之不去，在這樣心理預(yù)期下，DRAM價(jià)格持續(xù)性下跌也就顯得理所當(dāng)然。 　　所幸，金融海嘯的發(fā)生，迫使除三星電子(Samsung Electronics)外的全球DRAM廠商都必須削減資本支出，停止原先擴(kuò)廠計(jì)劃，單就臺(tái)灣各家DRAM業(yè)者為例，2008年第4季以來(lái)就有5座12吋廠、合計(jì)31萬(wàn)片12吋晶圓月產(chǎn)能的建廠計(jì)劃遭到凍結(jié)或延后，茂德更為確?，F(xiàn)金，暫時(shí)退出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM生產(chǎn)行列，轉(zhuǎn)而投入晶圓
  • 關(guān)鍵字： Samsung  DRAM  
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