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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 1β dram

DDR2仍未過時，但DDR3 將是2010 年的搖錢大樹

  • 　　2009 年即將結束，DDR2 作為DRAM 市場之王的日子同樣所剩無幾。速度更快且功耗更低的DDR3 幾年前就已經(jīng)問世，iSuppli 公司認為，它即將成為世界上最流行的內(nèi)存技術。 　　DDR2 還不算過時，而且未來一段時間之內(nèi)也不會過時，它的價格在過去數(shù)月大幅上漲。然而，DDR3 將是2010 年的搖錢大樹。 　　主要有兩個原因在推動產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡：英特爾新款處理器和制造工藝的成熟。 　　新款英特爾處理器 　　促進產(chǎn)業(yè)向DDR3 過渡的一個事實是，新款英特爾微處理器將需要DDR3 內(nèi)
  • 關鍵字： DRAM  存儲  DDR3  DDR2  

張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　臺積電董事長張忠謀日前表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢，相對地新臺幣波
  • 關鍵字： 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

12月上旬合約價DRAM持平　Flash下跌

  • 　　12月上旬的存儲器合約價格中，DRAM合約價意外持平開出，南亞科副總經(jīng)理白培霖表示，主要是個人計算機(PC)廠急單涌入之故;而 NAND Flash合約價格則反應市場需求不佳，16Gb芯片價格下滑5~10%，32Gb芯片下跌2~6%，目前合約價格貼近現(xiàn)貨價格水平，下游存儲器業(yè)者都盡量減少庫存水位，以免營運被跌價的NAND Flash芯片庫存燙傷。 　　近期DRAM現(xiàn)貨價格持續(xù)反彈，1Gb容量DDR2價格從2美元反彈至2.5美元，屬于觸底反彈，然整個市場的交易量是相當有限，反倒是原本各界預期12月上旬
  • 關鍵字： 南亞科  NAND  DRAM  

張忠謀：臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)

  • 　　12月9日消息，臺積電董事長張忠謀昨日表示，臺灣企業(yè)五年內(nèi)成本將面臨三大挑戰(zhàn)，包括美元弱勢引起的新臺幣匯率挑戰(zhàn)，石油等原物料價格上漲引發(fā)的通膨，還有減碳增加的環(huán)保稅負成本。 　　張忠謀只提到美元弱勢，并沒有說新臺幣有升值壓力，張忠謀認為，全球經(jīng)濟都在復蘇中，復蘇力道緩慢，盡管景氣慢慢復蘇，但張忠謀認為，企業(yè)近中程的三大挑戰(zhàn)相當嚴峻，所謂近中程大概是五年內(nèi)，所以嚴峻因為是過去兩年、甚至十年沒遇見過。 　　第一個挑戰(zhàn)是匯率。張忠謀說，臺灣過去20年沒有遭遇很大的匯率挑戰(zhàn)，但美元愈來愈弱，這會是一個趨勢
  • 關鍵字： 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

爾必達與臺灣茂德簽DRAM代工 預計明年量產(chǎn)

  • 　　據(jù)臺灣經(jīng)濟日報報道，日本記憶體晶片大廠爾必達與臺灣茂德、華邦結盟，市場揣測會趁勢入股茂德與華邦。爾必達社長坂本幸雄昨日首度對入股茂德與華邦猜測松口表示：“目前沒有，但以后的事很難說。”強調(diào)爾必達會積極與臺灣DRAM廠“共同抗韓”的立場。 　　茂德董事長陳民良透露，將引進新的投資對象，目前潛在合作對象有四個集團，但堅決不透露是誰中選。 　　業(yè)內(nèi)揣測，有意入股或金援茂德者，可能是結盟的爾必達，或已是茂德大股東的聯(lián)電。另外，外傳旺宏有意買下茂德竹科8吋與1
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  

TIMC案觸礁　施顏祥提出3大處理原則

  • 　　在臺灣“立法院”受到空前阻力的「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」幾乎確定無法過關之后，國發(fā)基金投資臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)也面臨停擺。“經(jīng)濟部”長施顏祥對此表示，“立法院”和社會各界對于國發(fā)基金投資TIMC有意見，“經(jīng)濟部”都聽到了。目前經(jīng)濟部對DRAM產(chǎn)業(yè)再造的僵局有3大處理原則，分別是調(diào)整 DRAM產(chǎn)業(yè)結構、持續(xù)與立法委員溝通、思考新的替代方案。 　　施顏祥表示，臺灣每年支付DRAM技術母廠新臺幣200億
  • 關鍵字： TIMC  DRAM  

爾必達蠶食臺12寸廠DRAM產(chǎn)能

  • 　　日系DRAM大廠爾必達(Elpida)社長坂本幸雄再度訪臺，8日將與新策略聯(lián)盟伙伴茂德董事長陳民良聯(lián)合召開記者會，說明雙方合作代工細節(jié)。由于坂本幸雄過去慣常與力晶合作亮相，這次換成茂德，變化過程頗耐人尋味，爾必達2009年以來除拉攏茂德合作DDR3代工，亦與華邦電展開繪圖存儲器(GDDR)代工合作，日廠在臺灣存儲器領域勢力越來越龐大，不論臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)未來怎么走，爾必達可說是這場臺美日DRAM廠整并下的大贏家。 　　爾必達經(jīng)過2008年DRAM產(chǎn)業(yè)崩盤襲擊，2009年元氣逐漸恢復后，
  • 關鍵字： Elpida  DRAM  DDR3  

中國臺灣芯片公司改變策略應對市場下滑危機

  • 　　臺灣半導體生產(chǎn)商期望通過轉變策略來應對電腦存儲芯片市場占有率下降帶來的挑戰(zhàn)，但此舉可能導致它們?nèi)P退出核心業(yè)務。 　　由于芯片行業(yè)從2007年起陷入有史以來最嚴重的滑坡，南亞科技及臺灣力晶半導體股份有限公司(簡稱：力晶)等臺灣芯片行業(yè)的支柱公司已在虧損中掙扎了兩年多。盡管今年芯片價格出現(xiàn)反彈，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍處于貸款違約的邊緣。 　　與此同時，韓國和日本的競爭對手憑藉更先進、成本更低的生產(chǎn)技術持續(xù)發(fā)展壯大。 　　為應對上述局面，臺資公司
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  存儲器  

三星每年提高一倍代工芯片產(chǎn)能 目標直指臺積電

  • 　　據(jù)報道，為了更加快速的追趕臺積電，三星計劃將以后每年的代工芯片產(chǎn)能提高一倍直至達到臺積電的規(guī)模。 　　根據(jù)iSuppli的統(tǒng)計，去年全球芯片代工市場的產(chǎn)值為190億美元，而臺積電獨自占據(jù)了其中的100億美元。 　　三星是全球第二大芯片制造商，在DRAM內(nèi)存和NAND閃存市場處于領先地位，但是他們在代工市場的收入?yún)s只有可憐的幾億美元。三星發(fā)言人近日表示，三星已經(jīng)決定擴大其代工產(chǎn)能，目標直指臺積電。 　　三星目前在韓國器興(Giheung)有一座占地350英畝的晶圓廠，專門用于代工業(yè)務。三星一直強調(diào)
  • 關鍵字： 臺積電  芯片代工  DRAM  NAND  

DRAM廠資本支出競賽　三星更勝臺廠一籌

  • 　　臺系DRAM廠開始規(guī)劃2010年資本支出，估計包括南亞科、華亞科、力晶和茂德4家DRAM廠2010年資本支出逾新臺幣700億元，且主要支出集中在臺塑集團身上，臺DRAM廠似乎又生龍活虎起來，開始擴大投資規(guī)模，然相較于三星電子(Samsung Electronics)2010年在存儲器領域資本支出至少30億美元來看，臺系4家DRAM廠合計資本支出仍遠落后三星，未來三星不僅將穩(wěn)坐龍頭，且恐將再度侵蝕臺DRAM廠既有市占率。 　　三星是這一波DRAM產(chǎn)業(yè)海嘯大贏家，這波巨浪吹倒臺DRAM產(chǎn)業(yè)，亦讓美、日系
  • 關鍵字： 力晶  DRAM  存儲器  

臺“經(jīng)濟部”無力扭轉情勢　DRAM再造方案全面停擺

  • 　　根據(jù)政府官員表示，日前“立法院”經(jīng)濟委員會通過決議，要求行政院國發(fā)基金不得用于「DRAM產(chǎn)業(yè)再造計畫」一事，經(jīng)過“經(jīng)濟部”一再向立委溝通，確定未獲得立委同意，目前「DRAM產(chǎn)業(yè)再造方案」已面臨全面停擺的情況。 　　官員透露，在和爾必達(Elpida)談判的過程中，爾必達始終未承諾提出符合行政院所要求的相關承諾，恐怕讓“經(jīng)濟部”失去為臺灣創(chuàng)新存儲器公司(TIMC)繼續(xù)向“立法院”爭取國發(fā)基金挹注的重要立足點
  • 關鍵字： TIMC  DRAM  

海力士CEO稱Win 7系統(tǒng)有助于DRAM行業(yè)

  • 　　據(jù)國外媒體報道，全球第二大內(nèi)存制造商海力士半導體CEO周三表示，公司預計明年1至3月DRAM收入下滑將小于以往季度。 　　“過去在第一季度，DRAM收入會下滑20%，但我認為在2010年首季不會出現(xiàn)這種幅度的下滑。”首席執(zhí)行官Kim Jong-Kap表示。 　　Kim稱，微軟新操作系統(tǒng)Windows 7推漲了個人電腦的需求。同時有利的因素還包括新興市場的需求增長，以及趨緊的供貨。
  • 關鍵字： 海力士  DRAM  內(nèi)存制造  

三星擬明年投資60億美元擴大芯片業(yè)務

  • 　　北京時間12月2日消息，據(jù)國外媒體報道，《韓國先驅報》援引匿名消息人士的話報道稱，三星2010年計劃投資約7萬億韓元(約合60億美元)擴大芯片業(yè)務。 　　消息稱，其中約5萬億韓元(約合43億美元)將用于擴大DRAM芯片業(yè)務，2萬億(約合17億美元)韓元將用于擴大NAND閃存和邏輯芯片業(yè)務。 　　三星2010年芯片投資將比2009年的4萬億韓元(約合34億美元)高75%。10月份發(fā)布第三季度財報時，三星曾表示明年芯片投資將超過5.5萬億韓元(約合47億美元)。
  • 關鍵字： 三星  NAND  邏輯芯片  DRAM  

臺“經(jīng)濟部”主導的TIMC成立計劃走向窮途末路

  • 　　臺“立法院經(jīng)濟委員會”本月26日一致投票通過反對臺經(jīng)濟部一項要求政府向臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TIMC)注資的提案，這意味著臺灣當局主導的力圖重建本土內(nèi)存工業(yè)的改革計劃第四次遭到政府其它部門的反對。 　　與此形成鮮明對比的是，韓國聯(lián)合通訊社本月26日援引韓國知識經(jīng)濟部的說法，稱南韓政府計劃支持三星以及海力士公司開發(fā)自旋極化磁隨機存取內(nèi)存技術(STT-MRAM)的項目.政府將于2014年前向該項目注資240億韓元(合2050萬美元)，占項目總預算的一半。 　　此前三星與海力士公司
  • 關鍵字： 爾必達  DRAM  

臺DRAM廠拼增產(chǎn)搶回市占率　惟制程進度仍落后

  • 　　經(jīng)歷上一波DRAM產(chǎn)業(yè)不景氣，臺系DRAM廠傷得很重，好不容易等到價格反彈到現(xiàn)金成本之上，開始全力擴產(chǎn)找回過去失落的市占率，惟即使目前臺系DRAM廠再努力，也只能用落后的制程來追趕，傳出三星電子 (Samsung Electronics)采用40奈米制程的DDR3芯片已開始大量投產(chǎn)，領先臺廠2個世代之多，臺系DRAM廠在追趕的進度上，再度顯得相當吃力。 　　就像過去每次的景氣循環(huán)一樣，當走出谷底的初期，國際大廠總是早一步獲利，臺廠緩步跟隨在后，這次也不例外，臺廠再度過年初的財務危機之后，隨著DRAM
  • 關鍵字： Samsung  DRAM  
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