176 層 nand 文章進(jìn)入176 層 nand技術(shù)社區(qū)

三星穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位估供應(yīng)吃緊整年

　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，今年儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)整年都將維持供應(yīng)吃緊的情況，NAND Flash廠商業(yè)績(jī)可望逐季攀高。　　集邦科技調(diào)查，隨著NAND Flash缺貨達(dá)到高峰，產(chǎn)品平均售價(jià)走揚(yáng)，加上終端出貨暢旺，去年第4季NANDFlash產(chǎn)值達(dá)120.45億美元，季增達(dá)17.8%，各NANDFlash廠獲利也攀上去年高峰。　　集邦科技指出，三星去年第4季市占率37.1%，穩(wěn)居全球NAND Flash龍頭地位;東芝市占率18.3%，居第2大廠;西部數(shù)據(jù)市占率17.7%，居第3大
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發(fā)展3D NAND閃存的意義

“首屆IC咖啡國(guó)際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì)”于2017年1月14日在上海召開(kāi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND DRAM 20170203

各大廠搶進(jìn)3D NAND致存儲(chǔ)器價(jià)格大漲

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，去年下半年以來(lái)NANDFlash市場(chǎng)供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2DNANDFlash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3DNAND，但3DNAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2DNAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NANDFlash市場(chǎng)出現(xiàn)貨源不足問(wèn)題，價(jià)格也因此明顯上漲。　　不過(guò)，隨著3DNAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開(kāi)出，將成為NANDFlash市場(chǎng)最大變數(shù)。　　2DNANDFlash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)(WD)進(jìn)入15納米，美光導(dǎo)
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比NAND閃存更快千倍 40nm ReRAM在中芯國(guó)際投產(chǎn)

　　非揮發(fā)性電阻式內(nèi)存(ReRAM)開(kāi)發(fā)商CrossbarInc.利用非導(dǎo)電的銀離子-非晶硅(a-Si)為基板材料，并透過(guò)電場(chǎng)轉(zhuǎn)換機(jī)制，開(kāi)發(fā)出號(hào)稱比NAND閃存更快千倍速度的ReRAM組件，同時(shí)就像先前在2016年所承諾地如期實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。　　根據(jù)Crossbar策略營(yíng)銷與業(yè)務(wù)發(fā)展副總裁SylvainDubois表示，專為嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存(eNVM)應(yīng)用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能，密度比DRAM更高40倍，耐久度與寫(xiě)入速度更高1，000倍，單芯片尺寸約200mm2左右，即可實(shí)現(xiàn)高達(dá)
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迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元

　　據(jù)海外媒體報(bào)道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲(chǔ)器市場(chǎng)史上最大需求熱潮。　　Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對(duì)西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開(kāi)始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費(fèi)用。　　三星目前只使用西安廠腹地約34萬(wàn)坪中的2
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東芝分拆半導(dǎo)體業(yè)務(wù) 提升東芝/西數(shù)陣營(yíng)的NAND Flash競(jìng)爭(zhēng)力

　　集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查顯示，東芝公司為提升半導(dǎo)體業(yè)務(wù)競(jìng)爭(zhēng)力，已正式宣布將在今年三月三十一日前將完成分拆內(nèi)存業(yè)務(wù)。預(yù)期分拆出來(lái)的新公司將有更多經(jīng)營(yíng)彈性及更佳的籌資能力，長(zhǎng)期而言對(duì)東芝/西數(shù)(Western Digital)電子陣營(yíng)在NAND Flash產(chǎn)能提升、產(chǎn)品開(kāi)發(fā)均有所幫助。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，東芝公司這一做法，一方面為的是應(yīng)付日漸沉重的產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)環(huán)境，另一方面是為緩解經(jīng)營(yíng)壓力，并滿足籌措營(yíng)運(yùn)資金的需求。從產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)來(lái)看，DRAMeX
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傳SK海力士有意投資東芝新存儲(chǔ)器公司

　　據(jù)報(bào)道，東芝(Toshiba)慘虧，將分拆旗下賺錢的半導(dǎo)體部門，成立新公司，賣股籌錢。由于東芝是全球NAND Flash二哥，各方都興趣濃厚。據(jù)傳韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士(SK Hynix)有意投資，借此強(qiáng)化NAND Flash布局。　　韓媒BusinessKorea 24日?qǐng)?bào)導(dǎo)，業(yè)界專家表示，SK海力士可能會(huì)投資東芝獨(dú)立出來(lái)的存儲(chǔ)器公司，取得決定NAND Flash表現(xiàn)的控制器技術(shù)。東芝在NAND市場(chǎng)表現(xiàn)出色，去年第三季市占率為19.8%，僅次于龍頭三星電子(36.6%)。SK海力士落后，市占排
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NOR Flash也要漲價(jià) 元器件供應(yīng)鏈為何進(jìn)入缺貨周期？

從2016年下半年開(kāi)始，包括CPU、內(nèi)存、屏幕、CMOS Sensor在內(nèi)的眾多電子元器件都進(jìn)入了缺貨周期，這樣就給終端制造商帶來(lái)了成本壓力，最終這個(gè)壓力就轉(zhuǎn)移到了消費(fèi)者身上，引起蝴蝶效應(yīng)。
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新興市場(chǎng)智能手機(jī)需求增　2017年NAND供貨仍吃緊

　　隨著全球?qū)τ谑謾C(jī)、電腦、汽車等消費(fèi)性產(chǎn)品需求持續(xù)增強(qiáng)，NAND FLASH始終處于供不應(yīng)求的情況，特別是印度、印尼及越南等新興智慧手機(jī)市場(chǎng)，當(dāng)?shù)叵M(fèi)者智慧手機(jī)持有率大增，進(jìn)而使得NAND FLASH需求大幅攀升。因此，預(yù)計(jì)2017年NAND FLASH全年供貨仍將持續(xù)吃緊，特別是在第2、3季最為嚴(yán)重。　　群聯(lián)董事長(zhǎng)潘建成表示，預(yù)計(jì)NAND FLASH今年將持續(xù)缺貨，特別是在第2、第3季最為明顯，原因在于手機(jī)、電腦、汽車等終端消費(fèi)性產(chǎn)品需求仍舊強(qiáng)勁。因應(yīng)此一情況，有些記憶體業(yè)者將部分產(chǎn)能轉(zhuǎn)去做3D
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2017年中國(guó)興建晶圓廠支出金額將超40億美元

　　根據(jù) SEMI (國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)) 的最新研究數(shù)據(jù)表示，當(dāng)前中國(guó)正掀起興建晶圓廠的熱潮，預(yù)估 2017 年時(shí)，中國(guó)興建晶圓廠的支出金額將超過(guò) 40 億美元，占全球晶圓廠支出總金額的 70%。而來(lái)到2018年，中國(guó)建造晶圓廠相關(guān)支出更將成長(zhǎng)至 100 億美元，而其中又將以晶圓代工占其總支出的一半以上。　　SEMI 中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)產(chǎn)業(yè)研究資深經(jīng)理曾瑞榆指出，2017 年全球半導(dǎo)體產(chǎn)產(chǎn)值可望達(dá)到 7.2% 的年成長(zhǎng)率。其中，存儲(chǔ)為其中成長(zhǎng)的關(guān)鍵。而未來(lái) 5 年之內(nèi)，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍將持續(xù)成長(zhǎng)，到了 2
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賽普拉斯子公司AgigA Tech宣布推出符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的DDR4 NVDIMM-N解決方案

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司旗下子公司，高速、高容量和免電池非易失性存儲(chǔ)器解決方案領(lǐng)先提供商AgigA Tech公司今日宣布，正式發(fā)布其符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)的AGIGARAM? DDR4 NVDIMM-N系列解決方案。該解決方案與AgigA業(yè)界領(lǐng)先的在JEDEC 標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布之前就已量產(chǎn)的傳統(tǒng)DDR4 NVDIMM產(chǎn)品一起，為最新公布的NVDIMM-N解決方案JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD248和JESD245A)提供了一系列完整的交鑰匙式模塊產(chǎn)品和控制器解決方案?！　g
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存儲(chǔ)器國(guó)產(chǎn)化為何選3D NAND作為突破口？

　　在上海一場(chǎng)以“匠心獨(dú)運(yùn)，卓越創(chuàng)芯”為主題的IC技術(shù)峰會(huì)上，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧先生參會(huì)并發(fā)表了題為《發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考》的演講。在演講中，他對(duì)為什么選擇發(fā)展存儲(chǔ)、為什么選擇3D NAND Flash作為突破口、還有3D NAND Flash將面臨什么樣的挑戰(zhàn)等問(wèn)題，作了深刻的分析。　　為什么中國(guó)要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè) 　　在詳細(xì)介紹為什么中國(guó)要發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)之前，楊士寧首先對(duì)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的整體狀況作了一個(gè)分析。根據(jù)他的說(shuō)法，在全球的半導(dǎo)體存儲(chǔ)產(chǎn)品中，NAND 和
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DRAM/NAND價(jià)格回升存儲(chǔ)器產(chǎn)值今年將增10%

　　在2015、2016連續(xù)兩年下跌后，DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器平均銷售價(jià)格(ASP)正穩(wěn)健走揚(yáng)，研究機(jī)構(gòu)IC Insights認(rèn)為，此將有助推升2017年存儲(chǔ)器市場(chǎng)銷售規(guī)模，預(yù)估整體產(chǎn)值可達(dá)853億美元新高紀(jì)錄，較2016年成長(zhǎng)10%;2020年更可望首度攀至千億美元大關(guān)。
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中國(guó)集成電路擴(kuò)建之后降低成本是關(guān)鍵

　　或許是巧合!12月30日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的國(guó)家存儲(chǔ)器基地與華力二期12英寸生產(chǎn)線這兩個(gè)持續(xù)受到業(yè)界關(guān)注的重大項(xiàng)目，同日舉行了開(kāi)工啟動(dòng)儀式。　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)是國(guó)內(nèi)最大的存儲(chǔ)器項(xiàng)目之一，瞄準(zhǔn)3D NAND技術(shù)，建成后將扭轉(zhuǎn)我國(guó)存儲(chǔ)器有市場(chǎng)無(wú)產(chǎn)品的窘境;華力微電子12英寸生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目則是“909工程”的二次升級(jí)改造，將建設(shè)邏輯芯片的代工生產(chǎn)線，建成后將使我國(guó)擁有從0.5微米到14納米各工藝節(jié)點(diǎn)的生產(chǎn)平臺(tái)，追趕國(guó)際先進(jìn)水平。　　隨著《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的推進(jìn)，中國(guó)IC業(yè)
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紫光3D儲(chǔ)存型快閃記憶體廠武漢動(dòng)工總投資超240億美元

　　中國(guó)紫光集團(tuán)宣布，投入快閃記憶體戰(zhàn)場(chǎng)，在武漢興建全球規(guī)模最大廠房，總投資金額超過(guò)240億美元，引發(fā)產(chǎn)業(yè)界震撼。　　紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)：“我們?cè)谖錆h投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經(jīng)正式動(dòng)工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協(xié)議。我們會(huì)在那里投資一個(gè)，也是一個(gè)超過(guò)兩百億美金芯片的工廠” 　　2016年12月，紫光集團(tuán)趙偉國(guó)，布局半導(dǎo)體戰(zhàn)略，先是與成都市、新華集團(tuán)共同簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議，要在四川打造百億云計(jì)算中心。　　12月30日，紫光宣布動(dòng)工，興建三座全球最大3
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