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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 176 層 nand

臺內(nèi)存大廠揮軍日本　直闖工控和車用市場

  • 　　征戰(zhàn)海外展覽的臺灣內(nèi)存大廠，終于在日本找到了機(jī)會。
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六大NAND Flash廠商：東芝最“吸金”

  • 　　2014第三季度 NAND Flash廠商營收排名出爐，其中東芝最為亮眼，原因是因為它最漲勢最猛。
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美光咬蘋果大單 力成同樂

  • 　　蘋果公司繼推出iPhone 6/6 Plus新款智能手機(jī)后，今年底或明年初，將緊接推出Apple Watch智能手表，目前正展開一波拉貨，力成最大客戶美光傳出大啖蘋果Apple Watch存儲器絕大部分訂單，力成受惠度看漲，也激勵今天股價逆勢上漲;另一檔美光受惠股華東則維持小跌與平盤間的狹幅震蕩。 　　據(jù)了解，Apple Watch采用512MB LPDDR3，內(nèi)建4GB或8GB容量的NAND Flash，美光包辦絕大部分的訂單，而在下游后段封測代工制程方面，目前多半由力成與華東共同負(fù)責(zé)，由于測試時
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Spansion：eMMC填補(bǔ)市場需求和閃存發(fā)展缺口

  • 　　昨天，Spansion舉行媒體發(fā)布會，推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級eMMC閃存產(chǎn)品，并向記者介紹了eMMC閃存的市場定位和需求情況。 　　與其他Spansion產(chǎn)品一樣，這次發(fā)布的eMMC閃存主要是針對嵌入式客戶設(shè)計的，這類客戶通常對于工作溫度范圍、數(shù)據(jù)保護(hù)和支持工具有嚴(yán)格的測試和要求，這樣讓OEM能夠更容易地?fù)?jù)此設(shè)計自己的產(chǎn)品。 　　據(jù)Spansion公司NAND閃存產(chǎn)品營銷及業(yè)務(wù)拓展總監(jiān)Touhid Raza介紹，eMMC是一種在行業(yè)使用比較普遍的存儲器標(biāo)準(zhǔn)，而Spansio
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基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計與實現(xiàn)

  • 　　引言 　　FLASH(閃速存儲器)作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 　　FLASH的特點 　　FLASH是一種非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)，根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NORFLASH和NANDFLASH兩種。但不
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全球半導(dǎo)體市況良好　韓廠火熱、日廠躊躇

  • 　　全球半導(dǎo)體市場第3季，以870億美元創(chuàng)下史上最高營收紀(jì)錄，景氣持續(xù)樂觀。其中亞太地區(qū)比前年增加12.0%成長最多，南韓業(yè)者營收屢創(chuàng)新高，然而日本地區(qū)卻出現(xiàn)成長衰退跡象。 　　據(jù)Digital Times報導(dǎo)，日前美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)宣布，第3季半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球營收，與前年同期相比成長8.0%，以870億美元創(chuàng)下史上單季最高紀(jì)錄。不但比第2季增加5.7%，也高于世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織(WSTS)在7月預(yù)測的年度成長值6.5%。 　　SIA CEO Brian C. Toohey表示，第3季半導(dǎo)
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Spansion 推出面向消費電子、通信和工業(yè)嵌入式系統(tǒng)的工業(yè)級e.MMC 存儲產(chǎn)品

  • 　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion公司今日宣布推出面向消費、通信和工業(yè)設(shè)備市場的工業(yè)級e.MMC NAND閃存系列。Spansion的e.MMC NAND閃存提供8GB和16GB存儲密度，工作溫度范圍為-40度到+85度，可滿足上述市場對可靠、更高密度存儲日益增長的需求。最新推出的Spansione.MMC閃存系列完善了Spansion領(lǐng)先業(yè)界的并行和串行NOR閃存以及面向嵌入式應(yīng)用的SLC NAND閃存產(chǎn)品組合。 　　Spansione.MMC閃存采用高密度的MLC NA
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OEM需求拉貨動能增溫，第三季NAND Flash品牌營收季增12.2%

  • 　　第三季NAND Flash市況在蘋果iPhone6/6Plus新機(jī)上市備貨需求強(qiáng)勁與OEM業(yè)者進(jìn)入出貨旺季的帶動下，eMMC/eMCP與SSD的成長力道均高于上半年，NAND Flash價格表現(xiàn)也相對穩(wěn)健，使得第三季NAND Flash品牌供貨商營收較上季增加12.2%至85.8億美元。TrendForce旗下內(nèi)存儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，新制程的嵌入式產(chǎn)品自第三季起成為市場主流，有助于各家業(yè)者成本結(jié)構(gòu)的改善，而隨著蘋果第四季iPhone表現(xiàn)持續(xù)亮眼以及新產(chǎn)品的問世，整體N
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LED產(chǎn)業(yè)推動中國半導(dǎo)體時代的來臨

  • 　　過去媒體與業(yè)界常講最尖端、先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)不會到中國投資，某些國家的政府對于輸出特定半導(dǎo)體技術(shù)到中國投資都有設(shè)定限制，因此過去國際半導(dǎo)體廠在中國投資半導(dǎo)體相關(guān)事業(yè)，以芯片封裝測試廠、8 寸以下晶圓廠為主。不過，這個局面在中國市場打開，中國政府近期又積極招商，宣示要花大筆人民幣來買技術(shù)、買設(shè)備與外資合作建立中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的新局后，有了重大改變。 　　英特爾才剛于 2014 年 9 月 26 日和中國手機(jī)芯片廠展訊聯(lián)合宣布，以 15 億美元入股紫光集團(tuán)，持股占比約為 20%。而前身是 AMD 快閃內(nèi)存事
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中芯國際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

  • 　　中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發(fā)，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長的需求，使中芯國際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 　　NAND 閃存是近年來發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動計算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域。客戶也可利用此技術(shù)帶動串行外設(shè)接
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iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量

  • 　　TrendForce 旗下記憶體儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報告顯示，蘋果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷，帶動 2014全年 iPhone 銷售量提升至1.88支，年成長率高達(dá)22%，成功扭轉(zhuǎn)過去一年來iPhone趨緩的銷售動能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠商的地位;值得注意的是，蘋果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻允氐?寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲存容量與價格上也開始展現(xiàn)更積極的策略。 　　DRAMeXchange
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新蘋效應(yīng) NAND下月涌急單

  • 　　儲存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠群聯(lián) (8299)董事長潘健成表示，智慧手機(jī)市場本季需求不振，主要是受到市場上迷漫觀望氣氛影響，直到蘋果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠出現(xiàn)搶零組件熱潮。 　　他說，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。 　　潘健成表示，先前消費者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫存
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東芝四日市新廠動土2015年起量產(chǎn)3D NAND

  • 　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。 　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠、第五工廠第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠、第二工廠新工程動土典禮，象征在NAND Flash市場的積極作為。 　　由于智能型手
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中芯國際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來了

  • 　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺積電、UMC臺聯(lián)電等代工巨頭，不過中芯國際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場領(lǐng)域了——向客戶推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國際自主研發(fā)的技術(shù)。 　　NAND閃存的重要性不必說，目前SSD固態(tài)硬盤以及消費電子上所用的存儲器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
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東芝在閃存峰會上展示最新NAND和存儲產(chǎn)品

  • 　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲產(chǎn)品。閃存峰會是全球最大的閃存討論會，于8月5至7日在美國加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。 　　閃存峰會的展覽環(huán)節(jié)在會議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號展位布展。 　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級固態(tài)硬盤(eSSD)： 　　??? 企業(yè)級讀密集型
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