176 層 nand 文章進(jìn)入176 層 nand技術(shù)社區(qū)

“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”側(cè)記

2012年，隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā)，有一種半導(dǎo)體器件會(huì)受到產(chǎn)業(yè)的萬(wàn)眾矚目----這就是Nand Flash，Gartner預(yù)估今年NAND Flash市場(chǎng)增長(zhǎng)18%! 年初以來(lái)，NAND Flash大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計(jì)劃，各大廠工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm，三星西安建廠發(fā)力10nm Nand Flash!可以說(shuō)，一場(chǎng)圍繞Nand Flash應(yīng)用的存儲(chǔ)大變革正在進(jìn)行，Nand Flash應(yīng)用變革給本土業(yè)者帶來(lái)哪些機(jī)遇?智能手機(jī)、平板電腦供應(yīng)商如何看待
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東芝將新建NAND閃存芯片工廠

北京時(shí)間4月4日下午消息，據(jù)《日刊工業(yè)新聞》報(bào)道，由于移動(dòng)設(shè)備的需求持續(xù)增加，東芝最早計(jì)劃今年夏天興建一座新的NAND閃存芯片工廠。
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NAND Flash SLC MLC技術(shù)分析

什么是SLC？SLC英文全稱(Single Level Cell——SLC)即單層式儲(chǔ)存。主要由三星、海力士、美光、東芝等使用。SLC技術(shù)特點(diǎn)是在浮置閘極與源極之中的氧化薄膜更薄，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)通過(guò)對(duì)浮置閘極的電荷加電壓，
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淡季效應(yīng)持續(xù)發(fā)酵 NANDFlash合約價(jià)下跌

　　根據(jù)集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，受第一季淡季效應(yīng)的影響，零售市場(chǎng)的記憶卡與隨身碟需求持續(xù)疲軟，再加上OEM客戶的新機(jī)種上市時(shí)間點(diǎn)，最快也會(huì)落于2Q12，使得NANDFlash下游客戶端皆持續(xù)采取保守的庫(kù)存策略，以降低營(yíng)運(yùn)風(fēng)險(xiǎn)。在買方購(gòu)買意愿不強(qiáng)的情況下，賣方過(guò)去采取的降價(jià)促銷策略效果有限，價(jià)格若繼續(xù)下跌，恐將侵蝕自身的獲利水平，使得部分賣方降價(jià)意愿已大幅降低。上述因素乃是造成3月下旬NANDFlash合約價(jià)呈現(xiàn)微幅走跌的原因。集邦科技表示，2012年上半
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盡管UFS出現(xiàn)，但eMMC NAND閃存仍然具有活力

　　雖然符合新的通用閃存卡(UFS)規(guī)范的產(chǎn)品出現(xiàn)，2013年將在移動(dòng)NAND閃存市場(chǎng)引發(fā)新的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)，但較舊的嵌入多媒體存儲(chǔ)卡(eMMC)標(biāo)準(zhǔn)在許多手機(jī)和平板電腦中仍將保持統(tǒng)治地位，屆時(shí)出貨量將強(qiáng)勁增長(zhǎng)37%。　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)與嵌入存儲(chǔ)市場(chǎng)簡(jiǎn)報(bào)，2013年eMMC解決方案的出貨量預(yù)計(jì)達(dá)到7.111億個(gè)，高于2012年的5.203億個(gè)。　　尚沒(méi)有關(guān)于UFS的預(yù)測(cè)，但eMMC憑借其增強(qiáng)的安全性與出色性能，預(yù)計(jì)繼續(xù)強(qiáng)勁增長(zhǎng)，這種勢(shì)頭至少能保持到2015年，屆時(shí)在手機(jī)和其它消費(fèi)電子
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存儲(chǔ)技術(shù)變局為中國(guó)制造帶來(lái)了什么機(jī)遇？

縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動(dòng)了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級(jí)的動(dòng)力源，當(dāng)年的光盤存儲(chǔ)技術(shù)興起，就帶動(dòng)了中國(guó)整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來(lái)新一輪的存儲(chǔ)技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)會(huì)給我們的本土企業(yè)帶來(lái)了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會(huì)聊做分析。
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TDK開發(fā)eSSD系列 NAND閃存和閃存控制器一體化

　　TDK株式會(huì)社成功開發(fā)出Single Chip固態(tài)硬盤eSSD系列，并從4月起開始銷售。eSSD系列是通過(guò)多芯片封裝技術(shù)(MCP)、把TDK SSD控制器GBDriver RS3和NAND型閃存一芯化的Serial ATA(SATA) 3Gbps SSD。　　該產(chǎn)品在尺寸僅為17mm×17mm的208-ball BGA封裝(球柵陣列封裝)面積上實(shí)現(xiàn)了1GByte~4GByte的閃存容量，與將閃存和SSD控制器分別進(jìn)行安裝的情況相比，不僅可以縮小基板的尺寸，而且還可以降低安裝成本。因此，
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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NAND產(chǎn)業(yè)經(jīng)受住了日本地震的打擊

　　日本災(zāi)害造成巨大的人員傷亡，一年后，繼續(xù)給日本民眾與經(jīng)濟(jì)留下難以磨滅的印跡。但是，在制造業(yè)方面存在一線希望，即災(zāi)害對(duì)于NAND閃存產(chǎn)業(yè)的影響不大而且只是暫時(shí)影響。這是日本的主要產(chǎn)業(yè)之一。據(jù)IHS公司的資料與分析，在日本發(fā)生災(zāi)害一年后，由于平板電腦、智能手機(jī)和固態(tài)硬盤(SSD)等需要大量存儲(chǔ)的應(yīng)用需求上升，NAND產(chǎn)業(yè)繼續(xù)增長(zhǎng)。　　受日本災(zāi)害影響最大的NAND閃存供應(yīng)商是東芝。它的兩家NAND芯片廠Fab 3和Fab 4占全球NAND產(chǎn)能的35%，位于距離震中500英里的四日市。在地震之后，這兩家工
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2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%

　　據(jù)IHS iSuppli公司的移動(dòng)市場(chǎng)存儲(chǔ)報(bào)告，由于經(jīng)濟(jì)形勢(shì)糟糕和泰國(guó)洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量下降，2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入環(huán)比下降9%。　　2011年第四季度NOR閃存營(yíng)業(yè)收入從第三季度的10.5億美元降至9.53億美元。第二季度NOR營(yíng)業(yè)收入略有增長(zhǎng)，從11.6億美元上升到11.7億美元，如圖2所示。　　第四季度NOR營(yíng)業(yè)收入下降的主要原因，是10月泰國(guó)發(fā)生洪災(zāi)導(dǎo)致PC出貨量減少。洪水破壞了泰國(guó)的硬盤工廠，造成硬盤短缺，導(dǎo)致PC銷量下降。NOR營(yíng)業(yè)收入減少的其它原因包括：在全球經(jīng)濟(jì)黯
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蘋果轉(zhuǎn)單海力士　三星NAND營(yíng)收比重略減

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DIGITIMESResearch專桉經(jīng)理徐康沛分析指出，全球最大記憶體製造商三星電子(SamsungElectronics)受主要客戶蘋果(Apple)將NANDFlash大部分訂單轉(zhuǎn)予海力士(Hynix)的影響，2011年第四季NANDFlash營(yíng)收較前季約減少5%，DRAM營(yíng)收則微增，使NANDFlash佔(zhàn)該公司記憶體營(yíng)收比重降至38%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)收比重亦續(xù)降至34.6%。　　反觀海力士，其NANDFlash佔(zhàn)公司營(yíng)收比重則維持在30%，佔(zhàn)全球NANDFlash營(yíng)
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利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新

利用NAND Flash實(shí)現(xiàn)嵌入式系統(tǒng)的遠(yuǎn)程更新,引言
嵌入式系統(tǒng)在各個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用，嵌入式系統(tǒng)的維護(hù)與升級(jí)也變得日益重要。由于新技術(shù)的不斷涌現(xiàn)和對(duì)系統(tǒng)功能、性能等要求的不斷提高，開發(fā)者必須能夠針對(duì)系統(tǒng)進(jìn)行升級(jí)和維護(hù)，以延長(zhǎng)系統(tǒng)的使用周期，
關(guān)鍵字：系統(tǒng) 遠(yuǎn)程更新嵌入式實(shí)現(xiàn) NAND Flash 利用

固態(tài)硬盤每GB容量?jī)r(jià)格將跌破1美元

　　1GB 1美元——這很久以來(lái)就被視為固態(tài)硬盤真正全民普及、成為大眾化主流配置的一道門檻，而根據(jù)DRAMeXchange的最新報(bào)告，今年下半年就能以低于1GB 1美元的價(jià)格買到固態(tài)硬盤。20nm、19nm等最新NAND閃存工藝將在今年下半年投入大規(guī)模量產(chǎn)，閃存芯片的成本也會(huì)進(jìn)一步降低，每 GB將會(huì)不足1美元。DRAMeXchange預(yù)計(jì)，在那之后超極本、超輕薄本都會(huì)從混合硬盤過(guò)渡到純粹的固態(tài)硬盤，而后者的主流容量也將升至 128GB。　　隨著Intel Ivy Bridge處
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NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì)

NAND閃存存儲(chǔ)器的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計(jì),閃存存儲(chǔ)器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)設(shè)計(jì)。本文的閃存映射方法主要是針對(duì)NAND類型的閃存芯片。一個(gè)NAND類型的閃存芯片的存儲(chǔ)空間是由塊(Block)構(gòu)成，每個(gè)塊又劃分為固定大小的頁(yè)，塊是擦
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基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn)

基于磨損均衡思想的Nand Flash存儲(chǔ)管理在TMS320F28x中的實(shí)現(xiàn),　Nand Flash作為一種安全、快速的存儲(chǔ)體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù) 據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已逐步取代其它半導(dǎo)體存儲(chǔ)元件，成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的主要載體。盡管Nand Flash的每個(gè)單元塊相互獨(dú)
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 管理 TMS320F28x 實(shí)現(xiàn) Flash Nand 磨損均衡思想