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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 176 層 nand

2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

  • 據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報(bào)告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費(fèi)的最大因素。由于超級本未能實(shí)現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
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NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì)

  • NAND Flash內(nèi)存設(shè)備的讀寫控制設(shè)計(jì),引言

    　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Flash因?yàn)榫哂蟹且资约翱刹脸?，在?shù)碼相機(jī)、手機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設(shè)備中得到廣泛的應(yīng)用。NAND Flash
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基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

  • 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０　引　言
    現(xiàn)階段嵌入式產(chǎn)品作為Ｕ 盤掛載到ＰＣ機(jī)上在各類電子產(chǎn)品中被越來越多的應(yīng)用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中的應(yīng)用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機(jī)中，與ＰＣ機(jī)上通用Ｗｉｎｄｏ
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半導(dǎo)體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工

  • 　　日本媒體報(bào)導(dǎo)，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導(dǎo)體需求回溫，故旗下日本半導(dǎo)體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導(dǎo)體工廠今年將不停工持續(xù)進(jìn)行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 　　東芝姬路半導(dǎo)體工廠主要生產(chǎn)馬達(dá)/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
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12月上旬主流NAND Flash合約價(jià)小跌1-2%

  • ? 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價(jià)較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。 　　集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營運(yùn)沒有受到影響，現(xiàn)貨價(jià)格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機(jī)與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
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探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

  • 　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個(gè)新時(shí)代，TLC NAND閃存首次用于消費(fèi)級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 　　不過還是有個(gè)變通方法
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大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

  • 1 引 言　　隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機(jī)、數(shù)字?jǐn)z像機(jī)、移動電話、mp3音樂播放器等移動設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用 ...
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賽普拉斯增加了16-Mbit并行nvSRAM和同步NAND接口

  • 賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票代碼：CY)日前推出了 16-Mbit 非易失性靜態(tài)隨機(jī)訪問存儲器 (nvSRAM) 系列，其中包括具備同步 NAND 閃存接口的器件。該系列是業(yè)界首款可直接與開放式 NAND 閃存接口 (ONFI) 以及 Toggle NAND 總線控制器相連接的非易失性 SRAM 存儲器。
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在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng)

  • 在nand flash上實(shí)現(xiàn)JFFS2根文件文件系統(tǒng),JFFS2是Flash上應(yīng)用最廣的一個(gè)日志結(jié)構(gòu)文件系統(tǒng)。它提供的垃圾回收機(jī)制，不需要馬上對擦寫越界的塊進(jìn)行擦寫，而只需要將其設(shè)置一個(gè)標(biāo)志，標(biāo)明為臟塊，當(dāng)可用的塊數(shù)不足時(shí)，垃圾回收機(jī)制才開始回收這些節(jié)點(diǎn)。同時(shí)，由
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三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

  • 　為了適應(yīng)下代移動設(shè)備超輕超薄的特性，SamsungeMMCProClass1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。

    　　三星表示，新一代芯片將會包括16GB，32GB以及64GB等三個(gè)版本。不知道我們能否在下一代三星智能手機(jī)(GalaxyS4?)上看到它的身影呢?

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三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

  • 下代移動設(shè)備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量僅有0.6克。
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為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲

  • 標(biāo)簽：NAND POS在嵌入式應(yīng)用中，海量存儲密度正在以前所未有的速度增長。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、無線網(wǎng)卡、閃盤這樣的消費(fèi)產(chǎn)品由于需要處理越來越多的多媒體內(nèi)容而要求更高的海量
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Linux NAND FLASH驅(qū)動代碼分析

  • Linux NAND FLASH驅(qū)動代碼分析,FLASH驅(qū)動在嵌入式系統(tǒng)中有著舉足輕重的位置，而目前市場上NAND flash的價(jià)格又要便宜與NOR FLASH,隨著越來越多的平臺支持從NAND FLASH中啟動，掌握NAND flash的驅(qū)動編寫有著重要的現(xiàn)實(shí)意義，由于內(nèi)核已經(jīng)完成了大部分
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東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

  • 　　訊 7月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道，東芝公司周二稱，將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能。這凸顯了芯片市場供應(yīng)狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價(jià)也因而出現(xiàn)下挫。 　　東芝表示，由于U盤和存儲卡的芯片供過于求，它將削減其在日本西部的四日市工廠的產(chǎn)能。 　　資產(chǎn)管理公司Religare Global Asset Management高級科技分析師大衛(wèi)·莫托佐·魯本斯藤(David Motozo Rubenstein)說道，“他們的產(chǎn)能下調(diào)幅度讓我有點(diǎn)意外。大家都知道該類芯片的
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如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動

  • 如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動,在做u-boot移植的時(shí)候，多數(shù)人使用的是Nand flash啟動或Nar Flash啟動。這樣u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我們?nèi)绾巫屛覀兊膗-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先，我們說說u-boot,u-boot是系統(tǒng)
  • 關(guān)鍵字： 啟動  Nand/Nor  實(shí)現(xiàn)  U-boot  如何  
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176 層 nand介紹

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