- 存儲器模塊廠金士頓(Kingston)不畏存儲器景氣波動,2010年全球獨立DRAM模塊廠市占率首度突破50%大關(guān),NAND Flash市場布局也成功跨足固態(tài)硬盤(SSD)市場,面對臺灣上游DRAM廠仍處于生存困境的當下,金士頓創(chuàng)辦人之一的杜紀川表示,認同孫大衛(wèi)認為臺灣 DRAM產(chǎn)業(yè)要集成才有活路的策略,唯有計畫性地將各方力量做結(jié)合,才能讓臺灣DRAM廠免受全球經(jīng)濟、市場波動沖擊。
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NAND DRAM
- 由于蘋果等大型企業(yè)的需求不夠強勁,導(dǎo)致5月的NAND閃存芯片合約價格“快速”降低。
今年5月的NAND芯片價格的降幅已經(jīng)超過15%,現(xiàn)貨市場的降幅則在20%左右。蘋果仍是NAND閃存芯片的最大買家,但需求提升不像往年的第二季度那么強勁?! ?/li>
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ipad NAND
- 第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報價大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達20%,合約價合計跌幅也超過15%,反映終端需求確實需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認同威剛董事長陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會比第2季好一些,但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
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三星 NAND Flash
- 全球NANDFlash市場需求在5月進入冰河期,不僅快閃記憶卡和隨身碟應(yīng)用需求大幅降溫,甚至傳出平板電腦及智慧型手機大廠亦出現(xiàn)砍單情況,記憶體零售和系統(tǒng)端需求明顯降溫,市場五窮六絕跡象顯現(xiàn),使得記憶體模組廠營收恐再次探底,部分廠商傳出力守2月營收低點的警戒線。不過,以毛利率角度來看,由于NANDFlash價格并沒有出現(xiàn)急跌,因此,模組廠5月毛利率仍可暫時守穩(wěn)在水準之上。
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NAND DRAM
- 基于DDR NAND閃存的高性能嵌入式接口設(shè)計,摘要:介紹了一種最新DDR NAND閃存技術(shù),它突破了傳統(tǒng)NAND Flash 50 MHz的讀寫頻率限制,提供更好的讀寫速度,以適應(yīng)高清播放和高清監(jiān)控等高存儲要求的應(yīng)用。分析該新型閃存軟硬件接口的設(shè)計方法。
關(guān)鍵詞:DDR NAN
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嵌入式 接口 設(shè)計 高性能 閃存 DDR NAND 基于
- 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì),大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲,提高了整
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FLASH NAND 大容量 存儲
- 存儲器是隨著計算機而發(fā)展起來的一種專用電子部件,用于保存數(shù)據(jù)和程序,傳統(tǒng)上計算機的主存儲器稱Memory,外部設(shè)備用存儲器稱Storage(常用磁盤、磁帶)。上世紀50年代中期,主存曾用磁芯存儲器,60年代中期以來,半導(dǎo)體存儲器開始取代磁芯存儲器。隨著時間的前進,存儲器獲得了長足的發(fā)展。
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存儲器 NAND 201105
- 數(shù)年來固態(tài)硬盤正在變得越來越便宜和可靠,但相比大容量的硬盤而言,這種產(chǎn)品在容量和價格比上依然顯得有些奢侈,例如40GB的Intel SSD相當于1TB的西部數(shù)據(jù)硬盤的價格。盡管如此,Gartner依然對SSD市場的前景十分看好,并認為到2012年下半年,固態(tài)硬盤將成為市場的主流,并預(yù)期到時候的價格將會下降到每1美元1GB,這意味著主流的SSD價格將下調(diào)到100美元以下,例如64GB64美元,從而開始被大眾接受。
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NAND SSD
- 0 引言 計算機技術(shù)的高速發(fā)展,存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來要達到的PB存儲空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
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FLASH NAND 儲存 測試系統(tǒng)
- 5月13日消息,據(jù)國外媒體報道,全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周四稱,它已經(jīng)開始大批量生產(chǎn)新的NAND閃存芯片。這種閃存芯片傳送速度的速度比目前市場上的任何其它NAND閃存芯片都要快。
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三星 NAND
- 2011年全球NAND Flash中,全球三星電子(Samsung Electronics)仍是位居全球NAND Flash市場龍頭,市占率高達36.2%,緊追在后的是東芝(Toshiba),市占率達35.1%,兩者合計掌握70%以上NAND Flash市場;根據(jù)市調(diào)機構(gòu)TrendForce最新統(tǒng)計,2011年第1季NAND Flash品牌供應(yīng)商的位元出貨量為13%,營收成長9.9%,達53.63億美元。
2011年第1季全球NAND Flash市場變化相當多,最大影響當屬日本311東北強震,對
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三星電子 NAND
- 據(jù)了解,由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
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三星 NAND Flash
- 由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。
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三星 NAND 移動設(shè)備
- 由于智能型手機等行動裝置應(yīng)用驅(qū)動NANDFlash需求成長,加上日本強震造成東芝(Toshiba)5、6月NAND Flash供貨銳減50%,美光(Micron)看好NANDFlash產(chǎn)業(yè)將持續(xù)供不應(yīng)求,除與英特爾(Intel)合資新加坡廠取得多數(shù)股權(quán)和產(chǎn)能,未來不排除再擴大NAND Flash產(chǎn)能,可行方案包括釋出代工權(quán)給華亞科生產(chǎn),或是啟動新加坡二廠。美光指出,未來NAND Flash策略不追求市占第1,但要做到成本最低。
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美光 NAND
- 據(jù)韓國媒體報道,內(nèi)存調(diào)研公司集邦科技發(fā)布最新研究數(shù)據(jù),今年四月上旬NAND閃存芯片價格創(chuàng)下了7個月以來的新高水平,一定程度上反映了繼上月日本地震海嘯災(zāi)害中斷相關(guān)供應(yīng)鏈后芯片價格的總體情況。
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閃存 NAND
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