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3d 內(nèi)存
3d 內(nèi)存 文章 進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)
3D激光測(cè)量技術(shù)的發(fā)展及其應(yīng)用
- 隨著激光技術(shù)和電子技術(shù)的發(fā)展,激光測(cè)量已經(jīng)從靜態(tài)的點(diǎn)測(cè)量發(fā)展到動(dòng)態(tài)的跟蹤測(cè)量和3D立體測(cè)量領(lǐng)域。上個(gè)世紀(jì) ...
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爾必達(dá)破產(chǎn)牽動(dòng)全球內(nèi)存版圖 內(nèi)存條報(bào)價(jià)上漲
- 2月27日向法院申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)的日本爾必達(dá)(Elpida Memory,6665.TO)昨日在東京股市交易中大跌97%。這家全球第三大動(dòng)態(tài)半導(dǎo)體內(nèi)存(DRAM)企業(yè)申請(qǐng)破產(chǎn)保護(hù)時(shí),負(fù)債4480億日元(約合55億美元),創(chuàng)日本制造企業(yè)破產(chǎn)規(guī)模之最。 這一破產(chǎn)消息在全球內(nèi)存行業(yè)旋即激起“駭浪”。據(jù)臺(tái)灣集邦全球電子交易市集(DRAMexchange)的數(shù)據(jù)顯示,DRAM芯片現(xiàn)貨價(jià)格2月28日大幅走高,主流DDR3(雙數(shù)據(jù)速率3)價(jià)格最高上漲13%。 爾必達(dá)主要生產(chǎn)DRAM,
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Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門(mén)
- Android 3D游戲?qū)崿F(xiàn)入門(mén), 此示例展示了一個(gè)立方體的具體實(shí)現(xiàn)過(guò)程,與之前的純Opengl es實(shí)現(xiàn)相比,它采用了JPCT-AE來(lái)實(shí)現(xiàn),因?yàn)閭€(gè)人認(rèn)為這個(gè)框架很方便,于是從今天開(kāi)始通過(guò)其網(wǎng)站上的Wiki來(lái)介紹JPCT-AE的實(shí)現(xiàn)。通過(guò)這個(gè)示例能讓你快速了解JP
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三星發(fā)布新一代智能手機(jī)內(nèi)存 速度提升1倍
- 三星電子日前針對(duì)智能手機(jī)發(fā)布了新開(kāi)發(fā)的低能耗DDR3 RAM,運(yùn)行速度為當(dāng)前產(chǎn)品的2倍。三星是在今天的“國(guó)際固態(tài)電路大會(huì)”(International Solid-State Circuits Conference)上展示了自己4Gb LPDDR3模塊的。 據(jù)悉,該產(chǎn)品使用的是32納米技術(shù),相對(duì)前任產(chǎn)品節(jié)能20%,頻率可以達(dá)到1600Mbps,另外產(chǎn)品還可以堆疊成8Gb或16Gb,單條標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存就可以實(shí)現(xiàn)32GB的容量。無(wú)論是能耗還是性能方面,4Gb LPDDR3都優(yōu)于目前
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ReRAM將能代替內(nèi)存和硬盤(pán)
- 固態(tài)硬盤(pán)供應(yīng)商SanDisk正在研發(fā)一種新型的系統(tǒng)存儲(chǔ)器,未來(lái)也許能一舉替代內(nèi)存和硬盤(pán)。 ReRAM代表電阻式RAM,將DRAM的讀寫(xiě)速度與SSD的非易失性結(jié)合于一身。換句話說(shuō),關(guān)閉電源后存儲(chǔ)器仍能記住數(shù)據(jù)。如果ReRAM有足夠大的空間,一臺(tái)配備ReRAM的PC將不需要載入時(shí)間。ReRAM基于憶阻器原理,致力于商業(yè)化ReRAM的企業(yè)包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。 基礎(chǔ)電子學(xué)教科書(shū)列出三個(gè)基本的被動(dòng)電路元件:電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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全球立體顯示專(zhuān)利技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)機(jī)構(gòu)排名
- 立體顯示技術(shù)(又稱(chēng)三維顯示技術(shù)或3D顯示技術(shù))是指能夠提供符合立體視覺(jué)原理的具有深度信息畫(huà)面的媒介技術(shù)。該技術(shù)的出現(xiàn)是視頻顯示技術(shù)從黑白到彩色、從模擬到數(shù)字、從標(biāo)清到高清后的又一次重大變革。本系列文章以立體顯示專(zhuān)利技術(shù)為基礎(chǔ)數(shù)據(jù),調(diào)研了國(guó)內(nèi)外在立體顯示方面研發(fā)產(chǎn)出能力最強(qiáng)的機(jī)構(gòu)。 國(guó)際專(zhuān)利數(shù)據(jù)的來(lái)源選擇了ISI web of knowledge系統(tǒng)的德溫特創(chuàng)新專(zhuān)利索引數(shù)據(jù)庫(kù)(DII,Derwent Innovations Index),中國(guó)專(zhuān)利的數(shù)據(jù)出自知識(shí)產(chǎn)權(quán)出版社的中外專(zhuān)利數(shù)據(jù)庫(kù)檢索平臺(tái)。
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美光發(fā)布全新DDR3Lm內(nèi)存 主打低功耗
- 美光本周三發(fā)布了全新低功耗DDR3內(nèi)存解決方案--DDR3Lm,主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動(dòng)市場(chǎng)。首批產(chǎn)品包括2Gb、4Gb兩種規(guī)格,宣稱(chēng)可為移動(dòng)產(chǎn)品帶來(lái)更長(zhǎng)續(xù)航時(shí)間的同時(shí),依然擁有不俗的性能和較高的性價(jià)比。 首先是2Gb DDR3Lm,相比標(biāo)準(zhǔn)2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片,其功耗可以降低50%左右,最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗,待機(jī)狀態(tài)下功耗只有3.7mA IDD6,最高頻率可達(dá)1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝,以進(jìn)一步優(yōu)
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3d 內(nèi)存介紹
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