首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

SK 海力士介紹全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存,明年初出樣

  • 11 月 4 日消息,SK 海力士 CEO 郭魯正今日在韓國(guó)首爾舉行的 SK AI Summit 2024 上介紹了全球首款 16-High HBM3E 內(nèi)存。該產(chǎn)品可實(shí)現(xiàn) 48GB 的單堆棧容量,預(yù)計(jì)明年初出樣。雖然一般認(rèn)為 16 層堆疊 HBM 內(nèi)存直到下一世代 HBM4 才會(huì)正式商用,但參考內(nèi)存領(lǐng)域 IP 企業(yè) Rambus 的文章,HBM3E 也有擴(kuò)展到 16 層的潛力。此外注意到,SK 海力士為今年 2 月 IEEE ISSCC 2024 學(xué)術(shù)會(huì)議準(zhǔn)備的論文中也提到了可實(shí)現(xiàn) 1280G
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  內(nèi)存  HBM3E  

芝奇與華碩突破 DDR5-12112 內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄

  •  10 月 30 日消息,芝奇國(guó)際今日宣布再度刷新內(nèi)存頻率超頻世界紀(jì)錄,由華碩 ROG 極限超頻者 SAFEDISK 上傳的成績(jī),通過(guò)液態(tài)氮極限超頻技術(shù),創(chuàng)下 DDR5-12112 的超頻紀(jì)錄。該紀(jì)錄使用的是芝奇 Trident Z5 旗艦系列 DDR5 內(nèi)存,搭配最新英特爾酷睿 Ultra 9 285K 處理器及華碩 ROG MAXIMUS Z890 APEX 主板。IT之家附圖如下:此成績(jī)已上傳至 HWBOT 及 CPU-Z,超越了 10 月 25 日微星 MEG Z890 UNIFY-X
  • 關(guān)鍵字: 芝奇  內(nèi)存  DDR5  

消息稱(chēng) SK 海力士收縮 CIS 業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦 HBM 等高利潤(rùn)產(chǎn)品

  • 10 月 17 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日?qǐng)?bào)道,SK 海力士正縮減 CIS (注:即 CMOS 圖像傳感器)等次要業(yè)務(wù)規(guī)模,全力聚焦高利潤(rùn)產(chǎn)品 HBM 以及 CXL 內(nèi)存、PIM、AI SSD 等新興增長(zhǎng)點(diǎn)。SK 海力士今年減少了對(duì) CIS 業(yè)務(wù)的研發(fā)投資,同時(shí)月產(chǎn)能已低于 7000 片 12 英寸晶圓,不足去年一半水平。而這背后是 2023 年 CIS 市場(chǎng)三大巨頭索尼、三星、豪威共占據(jù) 3/4 市場(chǎng)份額,SK 海力士?jī)H以 4% 排在第六位,遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。同時(shí),SK 海力
  • 關(guān)鍵字: SK 海力士  CIS  HBM  內(nèi)存  

臺(tái)積電OIP推3D IC設(shè)計(jì)新標(biāo)準(zhǔn)

  • 臺(tái)積電OIP(開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái))于美西當(dāng)?shù)貢r(shí)間25日展開(kāi),除表?yè)P(yáng)包括力旺、M31在內(nèi)之業(yè)者外,更計(jì)劃推出3Dblox新標(biāo)準(zhǔn),進(jìn)一步加速3D IC生態(tài)系統(tǒng)創(chuàng)新,并提高EDA工具的通用性。 臺(tái)積電設(shè)計(jì)構(gòu)建管理處負(fù)責(zé)人Dan Kochpatcharin表示,將與OIP合作伙伴一同突破3D IC架構(gòu)中的物理挑戰(zhàn),幫助共同客戶(hù)利用最新的TSMC 3DFabric技術(shù)實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的設(shè)計(jì)。臺(tái)積電OIP生態(tài)系統(tǒng)論壇今年由北美站起跑,與設(shè)計(jì)合作伙伴及客戶(hù)共同探討如何通過(guò)更深層次的合作,推動(dòng)AI芯片設(shè)計(jì)的創(chuàng)新。 Dan Kochpa
  • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  OIP  3D IC設(shè)計(jì)  

TrendForce:今年 Q2 NAND 閃存出貨增長(zhǎng)放緩,AI SSD 推動(dòng)營(yíng)收環(huán)比增長(zhǎng) 14%

  • IT之家 9 月 9 日消息,TrendForce 集邦咨詢(xún)今天下午發(fā)布報(bào)告指出,由于服務(wù)器終端庫(kù)存調(diào)整接近尾聲,加上 AI 推動(dòng)了大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求,今年第二季度 NAND Flash(閃存)價(jià)格持續(xù)上漲。但由于 PC 和智能手機(jī)廠商庫(kù)存偏高,導(dǎo)致 Q2 NAND Flash 位元出貨量環(huán)比下降 1%,平均銷(xiāo)售單價(jià)上漲了 15%,總營(yíng)收達(dá) 167.96 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 1193.37 億元人民幣),較前一季實(shí)現(xiàn)環(huán)比增長(zhǎng) 14.2%。各廠商營(yíng)收情況如下:三星:第二季時(shí)積極回應(yīng)客戶(hù)對(duì)
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  NAND Flash  

消息稱(chēng)三星 1b nm 移動(dòng)內(nèi)存良率欠佳,影響 Galaxy S25 系列手機(jī)開(kāi)發(fā)

  • IT之家 9 月 4 日消息,據(jù)韓媒 ZDNET Korea 報(bào)道,三星電子 MX 部門(mén) 8 月向 DS 部門(mén)表達(dá)了對(duì)面向 Galaxy S25 系列手機(jī)的 1b nm (IT之家注:即 12nm 級(jí)) LPDDR 內(nèi)存樣品供應(yīng)延誤的擔(dān)憂(yōu)。三星電子于 2023 年 5 月啟動(dòng) 1b nm 工藝 16Gb DDR5 內(nèi)存量產(chǎn),后又在當(dāng)年 9 月發(fā)布 1b nm 32Gb DDR5,并一直在內(nèi)部推進(jìn) 1b nm LPDDR 移動(dòng)內(nèi)存產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)工作。然而該韓媒此前就在今年 6 月
  • 關(guān)鍵字: 三星  內(nèi)存  DDR5  

TrendForce:內(nèi)存下半年價(jià)格恐摔

  • 根據(jù)TrendForce最新調(diào)查,消費(fèi)型電子需求未如預(yù)期回溫,中國(guó)大陸地區(qū)的智能型手機(jī),出現(xiàn)整機(jī)庫(kù)存過(guò)高的情形,筆電也因?yàn)橄M(fèi)者期待AI PC新產(chǎn)品而延遲購(gòu)買(mǎi),市場(chǎng)持續(xù)萎縮。此一現(xiàn)象,導(dǎo)致以消費(fèi)型產(chǎn)品為主的內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)走弱,第二季價(jià)格較第一季下跌超過(guò)30%。盡管現(xiàn)貨價(jià)至8月份仍與合約價(jià)脫鉤,但也暗示合約價(jià)可能的未來(lái)走向。TrendForce表示,2024年第二季模塊廠在消費(fèi)類(lèi)NAND Flash零售通路的出貨量,已大幅年減40%,反映出全球消費(fèi)性?xún)?nèi)存市場(chǎng)正遭遇嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。內(nèi)存產(chǎn)業(yè)雖一向受周期因素影響,但202
  • 關(guān)鍵字: TrendForce  內(nèi)存  DRAM  

SK 海力士:美股七大科技巨頭均表達(dá)定制 HBM 內(nèi)存意向

  • IT之家 8 月 20 日消息,據(jù)韓媒 MK 報(bào)道,SK 海力士負(fù)責(zé) HBM 內(nèi)存業(yè)務(wù)的副總裁 Ryu Seong-soo 當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日在 SK 集團(tuán) 2024 年度利川論壇上表示,M7 科技巨頭都表達(dá)了希望 SK 海力士為其開(kāi)發(fā)定制 HBM 產(chǎn)品的意向。IT之家注:M7 即 Magnificent 7,指美股七大科技巨頭蘋(píng)果、微軟、Alphabet(谷歌)、特斯拉、英偉達(dá)、亞馬遜以及 Meta。Ryu Seong-soo 提到其在周末仍不斷工作,與 M7 企業(yè)進(jìn)行電話(huà)溝通,并為滿(mǎn)足這些企業(yè)的需
  • 關(guān)鍵字: 海力士  HBM  內(nèi)存  

HBM 帶動(dòng),三大內(nèi)存原廠均躋身 2024Q1 半導(dǎo)體 IDM 企業(yè)營(yíng)收前四

  • IT之家 8 月 13 日消息,據(jù) IDC 北京時(shí)間本月 7 日?qǐng)?bào)告,三大內(nèi)存原廠三星電子、SK 海力士、美光分列 2024 年一季度半導(dǎo)體 IDM(IT之家注:整合組件制造)企業(yè)營(yíng)收榜單第 1、3、4 位,第二位則是英特爾?!?圖源 IDC報(bào)告表示,數(shù)據(jù)中心對(duì) AI 訓(xùn)練與推理的需求飆升,其中對(duì) HBM 內(nèi)存的需求提升尤為明顯。HBM 自身的高價(jià)和對(duì)通用 DRAM 產(chǎn)能的壓縮也推動(dòng) DRAM 平均價(jià)格上升,使總體內(nèi)存市場(chǎng)營(yíng)收大幅成長(zhǎng)。此外終端設(shè)備市場(chǎng)回穩(wěn),AI PC、智能手機(jī)逐步發(fā)售,同樣提升
  • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  存儲(chǔ)  HBM  

小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車(chē)下線(xiàn) 全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存

  • 8 月 9 日消息,小鵬汽車(chē)今日官宣,小鵬 MONA M03 首批量產(chǎn)車(chē)下線(xiàn),全系標(biāo)配高通 8155 芯片和 16GB 內(nèi)存。博主@孫少軍09 稱(chēng),小鵬 MONA M03的門(mén)店展車(chē)已經(jīng)提前到店,開(kāi)票價(jià) 15 萬(wàn)多,所以起步價(jià)只會(huì)在 14 萬(wàn)以下。博主還提到,對(duì)于小鵬自己,最麻煩的永遠(yuǎn)不是產(chǎn)品本身,而是前幾次上市交不出來(lái)(車(chē))的“無(wú)語(yǔ)”。所以小鵬這次一定要強(qiáng)調(diào)量產(chǎn)下線(xiàn),這個(gè)比其他的都重要。據(jù)此前報(bào)道,小鵬 MONA M03 已出現(xiàn)在工信部的新車(chē)申報(bào)名單中,車(chē)身尺寸 4780 x 1896 x 1445mm,
  • 關(guān)鍵字: 小鵬  MONA M03  高通   8155 芯片  內(nèi)存  

M31X高塔半導(dǎo)體 65納米內(nèi)存方案問(wèn)世

  • 全球領(lǐng)先的硅智財(cái)供貨商M31宣布與高塔半導(dǎo)體(Tower Semiconductor)達(dá)成重要合作里程碑。雙方連手成功開(kāi)發(fā)出65納米制程的SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)和ROM(只讀存儲(chǔ)器)IP產(chǎn)品,并已將設(shè)計(jì)模塊交付客戶(hù)端完成驗(yàn)證,為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)帶來(lái)全新的先進(jìn)內(nèi)存解決方案。M31與高塔半導(dǎo)體共同優(yōu)化的設(shè)計(jì)架構(gòu),巧妙結(jié)合低功耗組件Analog FET(模擬場(chǎng)效晶體管),不僅能夠完美滿(mǎn)足當(dāng)前SoC芯片對(duì)低功耗的嚴(yán)格要求,更為未來(lái)物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、智能型穿戴裝置、車(chē)聯(lián)網(wǎng)(V2X)以及人工智能(AI)等新興應(yīng)用領(lǐng)域
  • 關(guān)鍵字: M31  高塔半導(dǎo)體  65納米  內(nèi)存  

消息指 SK 海力士加速 NAND 研發(fā),400+ 層閃存明年末量產(chǎn)就緒

  • IT之家 8 月 1 日消息,韓媒 ETNews 報(bào)道稱(chēng),SK 海力士將加速下一代 NAND 閃存的開(kāi)發(fā),計(jì)劃 2025 年末完成 400+ 層堆疊 NAND 的量產(chǎn)準(zhǔn)備,2026 年二季度正式啟動(dòng)大規(guī)模生產(chǎn)。SK 海力士此前在 2023 年展示了 321 層堆疊 NAND 閃存的樣品,并稱(chēng)這一顆粒計(jì)劃于 2025 上半年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)?!?SK 海力士 321 層 NAND 閃存按照韓媒的說(shuō)法,SK 海力士未來(lái)兩代 NAND 的間隔將縮短至約 1 年,明顯短于業(yè)界平均水平。IT之家注:從代際發(fā)布間隔
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  內(nèi)存  NAND  

消息稱(chēng) SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 業(yè)務(wù)子公司 Solidigm 在美 IPO

  • IT之家 7 月 29 日消息,綜合外媒《韓國(guó)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》(Hankyung)與 Blocks & Files 報(bào)道,SK 海力士考慮推動(dòng) NAND 閃存與固態(tài)硬盤(pán)子公司 Solidigm 在美 IPO。SK 海力士于 2020 年 10 月宣布收購(gòu)英特爾 NAND 與 SSD 業(yè)務(wù),而 Solidigm 是 SK 海力士于 2021 年底完成收購(gòu)第一階段后成立的獨(dú)立美國(guó)子公司?!?Solidigm D5-P5336,E1.L 規(guī)格,61.44TB由于內(nèi)外部因素的共同影響,Sol
  • 關(guān)鍵字: SK海力士  內(nèi)存  NAND  

HBM4持續(xù)加速:AI時(shí)代競(jìng)爭(zhēng)新焦點(diǎn)

  • HBM4是目前發(fā)布的HBM3標(biāo)準(zhǔn)的進(jìn)化版,旨在進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)處理速率,同時(shí)保持基本特性,例如更高的帶寬、更低功耗和更大的每個(gè)芯片和/或堆棧容量 —— 這些對(duì)于需要高效處理大數(shù)據(jù)集和復(fù)雜計(jì)算的應(yīng)用至關(guān)重要,包括生成人工智能(AI)、高性能計(jì)算、高端顯卡和服務(wù)器。
  • 關(guān)鍵字: HBM  AI  內(nèi)存  

DigiKey宣布與內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)者之一的Kingston Technology建立全球合作伙伴關(guān)系

  • 全面現(xiàn)貨供應(yīng)、提供快速交付的全球電子元器件和自動(dòng)化產(chǎn)品分銷(xiāo)商DigiKey今天宣布與Kingston Technology(金士頓)合作,向全球分銷(xiāo)其內(nèi)存產(chǎn)品和存儲(chǔ)解決方案。作為全球最大的獨(dú)立存儲(chǔ)器產(chǎn)品制造商之一,Kingston面向各種規(guī)模的工業(yè)和嵌入式OEM客戶(hù),提供包括eMMC、eMCP、ePoP、UFS和DRAM組件在內(nèi)的各種存儲(chǔ)產(chǎn)品。該公司還提供一系列專(zhuān)為系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和制造者打造的工業(yè)級(jí) SATA 和 NVMe 固態(tài)硬盤(pán) (SSD)。DigiKey與Kingston Technology合作,提供
  • 關(guān)鍵字: DigiKey  內(nèi)存  存儲(chǔ)  Kingston Technology  
共1198條 1/80 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

3d 內(nèi)存介紹

您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d 內(nèi)存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d 內(nèi)存的理解,并與今后在此搜索3d 內(nèi)存的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門(mén)主題

樹(shù)莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢(xún)有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473