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高手在民間 世界技能大賽特別賽中國(guó)已奪8金 位居第一

  •   10月17日,2022年世界技能大賽特別賽韓國(guó)賽區(qū)閉幕式舉行,中國(guó)6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng),實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破?! ”敬翁貏e賽韓國(guó)賽區(qū)比賽于10月12日開(kāi)幕,共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽,吸引了來(lái)自34個(gè)國(guó)家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國(guó)選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐。  其中,來(lái)自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)項(xiàng)目金牌,成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者。  來(lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌,實(shí)現(xiàn)我國(guó)在這兩個(gè)項(xiàng)目上
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AOI+AI+3D 檢測(cè)鐵三角成形

  • 疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題,加上少量多樣需求成趨勢(shì),迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。因此,各產(chǎn)業(yè)對(duì)自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)(AOI)技術(shù)的需求更為殷切。疫情突顯產(chǎn)業(yè)供應(yīng)鏈中斷和制造業(yè)缺工問(wèn)題,加上少量多樣需求成趨勢(shì),迫使制造業(yè)快速轉(zhuǎn)型,走向更自動(dòng)化、數(shù)字化的智能化方向。導(dǎo)入自動(dòng)化及AI的過(guò)程中,傳統(tǒng)人力逐漸被取代,也改變產(chǎn)線人員配置的傳統(tǒng)生態(tài),其中,可以確保產(chǎn)線及產(chǎn)品質(zhì)量的自動(dòng)檢測(cè)儀器不僅發(fā)揮精準(zhǔn)有效的優(yōu)勢(shì),還能針對(duì)缺陷或瑕疵及時(shí)修復(fù)、舍棄,降低不必要的時(shí)間成本與人力成本,快速穩(wěn)定且
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TrendForce:庫(kù)存難去化 內(nèi)存原廠罕見(jiàn)減產(chǎn)因應(yīng)

  • 根據(jù)集邦科技TrendForce調(diào)查顯示,自2021年第四季起受部分消費(fèi)性電子需求走弱影響,導(dǎo)致內(nèi)存價(jià)格進(jìn)入下跌走勢(shì)。加上高通膨、俄烏戰(zhàn)事與防疫封控的沖擊,旺季不旺,致使庫(kù)存壓力已由買(mǎi)方端延伸至原廠。為因應(yīng)前述情況,美光(Micron)上周已宣告減產(chǎn)DRAM與NAND Flash,為首家正式下調(diào)產(chǎn)能利用率的內(nèi)存大廠。NAND Flash方面,市況相較DRAM更嚴(yán)峻,隨著主流容量wafer合約均價(jià)已跌至現(xiàn)金成本,逼近各原廠虧損邊緣,鎧俠(Kioxia)繼美光后也公告自10月起減少NAND Flash產(chǎn)能利用
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傳英特爾將關(guān)閉傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù) 傲騰品牌或成為歷史

  • 據(jù)外媒消息,英特爾已經(jīng)在一個(gè)多月前通知傲騰(Optane)內(nèi)存業(yè)務(wù)部門(mén)員工停止相關(guān)業(yè)務(wù),今后不再會(huì)有新產(chǎn)品發(fā)布,庫(kù)存產(chǎn)品處理完之后也將不再生產(chǎn),也就意味著傲騰品牌或?qū)⒊蔀闅v史。雖然之前英特爾透露將關(guān)閉傲騰業(yè)務(wù),但并沒(méi)有正式的對(duì)外公布。雖然英特爾的傲騰品牌下有許多產(chǎn)品,包括傲騰內(nèi)存、傲騰持久內(nèi)存和傲騰 SSD,但此前該公司將所有產(chǎn)品都劃分到了“傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù)”的范圍,所以關(guān)閉的是整個(gè)傲騰部門(mén),不僅僅是傲騰內(nèi)存產(chǎn)品。英特爾在第二季度財(cái)報(bào)中就曾提到,“我們開(kāi)始逐步關(guān)閉我們的英特爾傲騰內(nèi)存業(yè)務(wù)?!庇⑻貭朇EO在財(cái)報(bào)
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西門(mén)子與聯(lián)華電子合作開(kāi)發(fā)3D IC混合鍵合流程

  • 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日與半導(dǎo)體晶圓制造大廠聯(lián)華電子 (UMC) 合作,面向聯(lián)華電子的晶圓堆疊 (wafer-on-wafer) 和芯片晶圓堆疊 (chip-on-wafer) 技術(shù),提供新的多芯片 3D IC?(三維集成電路)?規(guī)劃、裝配驗(yàn)證和寄生參數(shù)提取 (PEX)?工作流程。聯(lián)電將同時(shí)向全球客戶(hù)提供此項(xiàng)新流程。通過(guò)在單個(gè)封裝組件中提供硅片或小芯片?(chiplet)?彼此堆疊的技術(shù),客戶(hù)可以在相同甚至更小的芯片面積上實(shí)現(xiàn)多個(gè)組件功能。相比于在 PCB
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DDR5內(nèi)存滿(mǎn)足未來(lái)內(nèi)容創(chuàng)作、發(fā)布和消費(fèi)的更高要求

  • 在過(guò)去的十年時(shí)間里,隨著程序與應(yīng)用、數(shù)據(jù)集與復(fù)雜代碼,以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領(lǐng)域的空前發(fā)展,DDR4技術(shù)已不堪重負(fù),難以跟上行業(yè)發(fā)展步伐。隨著CPU內(nèi)核數(shù)量的不斷增加,為了應(yīng)對(duì)這些海量需求,內(nèi)存技術(shù)也需要進(jìn)一步擴(kuò)展。下一代系統(tǒng)中的DDR5內(nèi)存是實(shí)現(xiàn)當(dāng)前所需性能的最佳解決方案,同時(shí)能夠進(jìn)一步擴(kuò)展,以滿(mǎn)足未來(lái)內(nèi)容創(chuàng)作、內(nèi)容發(fā)布和內(nèi)容消費(fèi)的更高要求。內(nèi)容創(chuàng)作內(nèi)容創(chuàng)作者受到了DDR4技術(shù)的限制,因?yàn)樗麄兊母咝阅芄ぷ髋_(tái)消耗了增加的內(nèi)存密度或內(nèi)存帶寬。等待時(shí)間延長(zhǎng)導(dǎo)致效率降低,甚至無(wú)法進(jìn)行多任
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金士頓:公司是 2021 年全球最大內(nèi)存模組供應(yīng)商,連續(xù) 19 年位居榜首

  • IT之家 9 月 7 日消息,獨(dú)立內(nèi)存產(chǎn)品制造商金士頓科技公司今天宣布,根據(jù)分析公司 TrendForce (前身為 DRAMeXchange)按收入進(jìn)行的最新排名顯示,該公司是 2021 年全球最大內(nèi)存模組供應(yīng)商。金士頓以 142 億美元的收入保持其第一的位置,占 78.7% 的市場(chǎng)份額。TrendForce 指出,金士頓的收入同比增長(zhǎng)了 8%,這是金士頓連續(xù)第 19 年保持第一的位置。根據(jù)該報(bào)告,2021 年全球前五大內(nèi)存模組供應(yīng)商占該市場(chǎng)總銷(xiāo)售額的 90%,其中金士頓占有該市場(chǎng)近 80%
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NAND半壁江山 三星與海力士拿下全球閃存市場(chǎng)52.9%份額

  • 根據(jù)市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce最近發(fā)布的報(bào)告顯示,在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場(chǎng)中,三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場(chǎng)份額。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示,2022年二季度三星電子NAND銷(xiāo)售額為59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,排名第一。SK海力士因?yàn)閷?duì)英特爾NAND閃存業(yè)務(wù)收購(gòu)的完成,2022年二季度銷(xiāo)售額位36.15億美元,環(huán)比增長(zhǎng)12.1%,超越了鎧俠,成為了全球第二大NAND閃存廠商,兩家韓國(guó)廠商已經(jīng)那拿下了全球NAND市場(chǎng)52.9%的份額。
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內(nèi)存、SSD持續(xù)降價(jià) 韓國(guó)半導(dǎo)體廠商經(jīng)營(yíng)狀況進(jìn)一步惡化

  •   據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)目前的狀況并不樂(lè)觀,已有研究機(jī)構(gòu)預(yù)計(jì)NAND閃存和DRAM的價(jià)格均在下滑,市場(chǎng)供過(guò)于求的狀況在明年會(huì)加劇。  擁有三星電子和SK海力士這兩大存儲(chǔ)芯片巨頭的韓國(guó),是全球重要的存儲(chǔ)芯片供應(yīng)地,存儲(chǔ)芯片價(jià)格下滑,勢(shì)必會(huì)影響到韓國(guó)半導(dǎo)體廠商的業(yè)績(jī)?! 《n國(guó)媒體在報(bào)道中也表示,在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)增速放緩的情況下,存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下滑將使韓國(guó)半導(dǎo)體廠商的經(jīng)營(yíng)狀況進(jìn)一步惡化?! 〈送?,韓國(guó)媒體在報(bào)道中還提到,存儲(chǔ)芯片價(jià)格的下滑,還有可能影響韓國(guó)整體的出口?! №n國(guó)媒體在報(bào)道中表示,半導(dǎo)體在韓
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貿(mào)澤電子與ATP Electronics簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議

  • 專(zhuān)注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與ATP Electronics簽訂全球分銷(xiāo)協(xié)議。ATP Electronics是專(zhuān)業(yè)存儲(chǔ)和內(nèi)存解決方案的知名供應(yīng)商。簽訂協(xié)議后,貿(mào)澤將分銷(xiāo)ATP Electronics面向工業(yè)與汽車(chē)應(yīng)用的存儲(chǔ)卡、SSD和托管NAND設(shè)備。ATP的工業(yè)固態(tài)硬盤(pán) (SSD) 和模塊具有性能可靠、響應(yīng)迅速、使用壽命長(zhǎng)的特點(diǎn),適用于執(zhí)行關(guān)鍵性任務(wù)。ATP SSD堅(jiān)固耐用,可承受?chē)?yán)苛的工作環(huán)境,并且提供多種類(lèi)型的產(chǎn)品,包括適用
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第二大存儲(chǔ)芯片廠商SK海力士將削減投資 存儲(chǔ)降價(jià)

  • 芯研所7月15日消息,知情人士透露,全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商SK海力士考慮將2023年資本支出削減約四分之一至16萬(wàn)億韓元(約合122億美元),以應(yīng)對(duì)電子產(chǎn)品需求慢于預(yù)期的局面。知情人士稱(chēng),SK海力士正基本按計(jì)劃推進(jìn)今年支出約21萬(wàn)億韓元以建設(shè)DRAM和NAND產(chǎn)能。芯研所采編不過(guò),由于智能手機(jī)、服務(wù)器等各個(gè)領(lǐng)域的芯片需求下降的不確定性,迫使該公司重新考慮明年的擴(kuò)張計(jì)劃。此前據(jù)行業(yè)調(diào)研公司集邦科技的報(bào)告,今年二季度,主要存儲(chǔ)芯片DRAM內(nèi)存的平均合同價(jià)格同比下跌10.6%,為2年來(lái)首降,另一種存儲(chǔ)芯片NA
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存,加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

  • 近日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片,可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域,以滿(mǎn)足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線已正式覆蓋高端市場(chǎng),將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示 :“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
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長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s

  • 這兩年,長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán),都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài),從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日,長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景,而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
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存儲(chǔ)芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國(guó)廠商只花了6年

  • 近日,有消息稱(chēng),國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初,會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了??梢?jiàn),國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片,在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
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中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破,正式打破三星壟斷

  • 中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào),長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破,正式打破韓國(guó)三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn),預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài),用短短3年的時(shí)間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層,直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
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