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手機(jī)廠商大行3D 視覺技術(shù)，屏下指紋識(shí)別解鎖或成“覆面系”福音？

自iPhoneX在智能手機(jī)中首次搭載3DSensing以來,其2018年發(fā)布的iPhoneXR、iPhoneXS、iPhoneXSMax均采用3Dsensing。3Dimaging&sensing市場規(guī)模將從2016年的13億美元增長至2022年的90億美元,CAGR達(dá)到37.3%,2022年3D成像設(shè)備有望超過10億個(gè)。誠然,消費(fèi)者的需求已經(jīng)非常明顯,他們不但想要差異化強(qiáng)個(gè)性化足的產(chǎn)品,而且還希望擁有提升體驗(yàn)效率的表現(xiàn)。圖片來源:http://software.it168.com如何解決“覆面系
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內(nèi)存和存儲(chǔ)的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案探析

1 內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域的應(yīng)用和技術(shù)熱點(diǎn)數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲(chǔ)的需求，而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)的最大的需求來源。在移動(dòng)領(lǐng)域，基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長，智能手機(jī)比以往需要更大的DRAM，以支持計(jì)算攝影、面部識(shí)別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷，美光認(rèn)為2020年，智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120GB的 NAND。與此同時(shí)，5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對DRAM和NAND 閃存的更多需求。用戶可以在幾秒鐘內(nèi)下載整部電影，在沒有網(wǎng)絡(luò)延遲的情況下觀看360度的全景內(nèi)容和虛擬
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憑借BiCS5 3D NAND技術(shù)，西部數(shù)據(jù)進(jìn)一步增強(qiáng)其存儲(chǔ)領(lǐng)域領(lǐng)導(dǎo)優(yōu)勢

西部數(shù)據(jù)公司近日宣布已成功開發(fā)第五代3D NAND技術(shù)——BiCS5，繼續(xù)為行業(yè)提供先進(jìn)的閃存技術(shù)來鞏固其業(yè)界領(lǐng)先地位。BiCS5基于TLC和QLC技術(shù)構(gòu)建而成，以有競爭力的成本提供了更高的容量、性能和可靠性。在車聯(lián)網(wǎng)、移動(dòng)設(shè)備和人工智能等相關(guān)數(shù)據(jù)呈現(xiàn)指數(shù)級(jí)增長的當(dāng)下，BiCS5成為了理想的選擇?；?12 Gb的 BiCS5 TLC，西部數(shù)據(jù)目前已成功在消費(fèi)級(jí)產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)出貨。預(yù)計(jì)到2020下半年，BiCS5將投入大規(guī)模量產(chǎn)。西部數(shù)據(jù)將推出一系列容量可選的BiCS5 TLC和BiCS5 QLC，其中包括
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美光交付全球首款量產(chǎn)應(yīng)用于高端智能手機(jī)市場的低功耗DDR5 DRAM 芯片

Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布已交付全球首款量產(chǎn)的低功耗DDR5 DRAM?芯片，并將率先搭載于即將上市的小米10智能手機(jī)。作為小米的內(nèi)存技術(shù)合作伙伴，美光所供應(yīng)的?LPDDR5 DRAM芯片將帶來更低的功耗和更快的數(shù)據(jù)讀取速度，以滿足消費(fèi)者對于智能手機(jī)中人工智能?(AI)和?5G?功能日益增長的需求?！懊拦馔瞥鰳I(yè)界首款應(yīng)用于智能手機(jī)的低功耗?DDR5 DRAM芯片，將加速?5G?
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要漲價(jià)嗎？內(nèi)存、閃存上游成交價(jià)持續(xù)上漲

半導(dǎo)體行業(yè)因?yàn)榉N種原因，非常容易收到外來因素的影響。近日根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，在剛過去的1月份，內(nèi)存和閃存芯片在上游的交易價(jià)均有一定幅度的上漲。其中，8Gb(1GB)DDR4-2133 PC內(nèi)存內(nèi)存環(huán)比上漲1.07%，均價(jià)來到2.84美元，128Gb MLC閃存顆粒價(jià)格環(huán)比上漲3.17%，均價(jià)來到4.56美元。
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都是顆粒為什么SSD有壽命、內(nèi)存卻沒有？

隨著技術(shù)的發(fā)展,我們使用的存儲(chǔ)器也各種各樣,雖然都基于芯片顆粒,但表現(xiàn)截然不同,比如說讀寫次數(shù)限制,或者叫壽命,SSD固態(tài)硬盤就有限制,DRAM內(nèi)存卻沒有。按照分布位置的不同,DRAM內(nèi)存屬于內(nèi)部存儲(chǔ)器,緊挨著CPU處理器,用來臨時(shí)存放后者需要的運(yùn)算數(shù)據(jù),并與外部存儲(chǔ)器進(jìn)行交換,起到橋梁的作用。DRAM內(nèi)存的特點(diǎn)是讀寫速度快、延遲低,但屬于易失性存儲(chǔ),也就是一旦斷電,數(shù)據(jù)就會(huì)全部丟失。DRAM內(nèi)存顆粒利用晶體管加電容來保存數(shù)據(jù),而且只是臨時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),并沒有實(shí)質(zhì)性的寫入,不涉及對物理單元結(jié)構(gòu)、屬性的改變,所
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國內(nèi)內(nèi)存、閃存工廠生產(chǎn)正常Q1合約價(jià)小幅上漲

集邦科技旗下下半導(dǎo)體研究中心DRAMeXchange今天發(fā)表報(bào)告,稱國內(nèi)的內(nèi)存及閃存工廠并沒有受到疫情的影響,目前沒有部分或者全面停產(chǎn)的跡象,生產(chǎn)情況正常,而且Q1季度的合約價(jià)已經(jīng)談完了,預(yù)計(jì)會(huì)小幅上漲。國內(nèi)的存儲(chǔ)芯片工廠主要分為海外投資及自主國產(chǎn)兩部分,其中海外投資的主要是無錫的SK海力士內(nèi)存工廠、大連的Intel閃存工廠、西安的三星閃存工廠,這些地方都遠(yuǎn)離武漢,正常生產(chǎn)沒有受到影響。國產(chǎn)的存儲(chǔ)芯片工廠中,合肥長鑫的內(nèi)存工廠、福建晉華的內(nèi)存工廠也同樣沒受到什么影響,只有紫光旗下的長江存儲(chǔ)是在武漢的,不過
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7nm銳龍線程撕裂者很好很強(qiáng)大,帶火單條32GB內(nèi)存

今年1月份內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)格開始被熱炒，已經(jīng)有漲價(jià)的苗頭了，不過總體來看目前的內(nèi)存價(jià)位還是不錯(cuò)的，8GB單條還在300內(nèi)。2019年內(nèi)存還有個(gè)趨勢值得注意，那就是大容量單條越來越多，32GB單條就很受高玩歡迎，因?yàn)锳MD去年推出的銳龍Threadripper 3000系列是很多人搭配256GB內(nèi)存平臺(tái)的首選。
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內(nèi)存現(xiàn)貨價(jià)狂飆 1月份以來DDR4內(nèi)存漲價(jià)17%

以前降價(jià)的時(shí)候一個(gè)季度也不過10%-15%的降價(jià),最近這一個(gè)月來,內(nèi)存價(jià)格已經(jīng)是風(fēng)云突變,1月份才過了2/3,內(nèi)存價(jià)格就飄了,4Gb顆粒最高漲幅達(dá)到了17%,內(nèi)存廠商的春天來了。從集邦科技發(fā)布的內(nèi)存價(jià)格信息來看,8Gb顆粒的標(biāo)準(zhǔn)型DDR4內(nèi)存芯片現(xiàn)貨價(jià)已經(jīng)漲到了3.5美元,1月份以來漲了10%,而4Gb DDR4顆粒現(xiàn)貨價(jià)全面漲到2美元上以上,1月份到現(xiàn)在就漲了17%,漲幅比大容量產(chǎn)品還要高。內(nèi)存漲價(jià)的動(dòng)機(jī)在哪?1月初三星內(nèi)存(還有閃存工廠)工廠遭遇斷電問題,盡管三星官方表態(tài)影響不大,但是從那之后內(nèi)存市場
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豪威科技和光程研創(chuàng)簽署合作意向書,聚焦近紅外線3D傳感及數(shù)碼成像產(chǎn)品

行業(yè)領(lǐng)先的先進(jìn)數(shù)碼成像解決方案的開發(fā)商豪威科技（OmniVision Technologies, Inc.）和鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者光程研創(chuàng)（Artilux Inc.）于近日聯(lián)合宣布簽署合作意向書，雙方經(jīng)過正式的商業(yè)交流及技術(shù)評(píng)估后，將在CMOS影像傳感器及鍺硅3D傳感技術(shù)上展開合作。此合作項(xiàng)目的主要目的為結(jié)合豪威科技在CMOS數(shù)碼成像的先進(jìn)技術(shù)及市場地位，及光程研創(chuàng)的鍺硅寬帶3D傳感技術(shù)，以完整的解決方案加速導(dǎo)入手機(jī)市場。雙方亦期望能藉此合作基礎(chǔ)，為終端客戶提供更為多元彈性的產(chǎn)品選擇，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)各項(xiàng)
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內(nèi)存和存儲(chǔ)的應(yīng)用熱點(diǎn)與解決方案

　　Raj Talluri? （美光科技移動(dòng)產(chǎn)品事業(yè)部高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理）　　1 內(nèi)存和存儲(chǔ)領(lǐng)域會(huì)出現(xiàn)哪些應(yīng)用或技術(shù)熱點(diǎn)　　數(shù)據(jù)爆發(fā)推動(dòng)了各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域?qū)?nèi)存和存儲(chǔ)的需求，而云和移動(dòng)是當(dāng)前內(nèi)存和存儲(chǔ)的最大需求來源。　　在移動(dòng)領(lǐng)域，基于視頻內(nèi)容和游戲的需求不斷增長，智能手機(jī)比以往需要更大的 DRAM ，以支持計(jì)算攝影、面部識(shí)別、增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等各種功能。根據(jù)客戶的需求趨勢判斷，美光認(rèn)為2020年，智能手機(jī)的平均容量將達(dá)到5GB的DRAM和120 GB的NAND。　　與此同時(shí)，5G網(wǎng)絡(luò)的普及將刺激對DRAM和N
關(guān)鍵字： 202002 內(nèi)存 DRAM AI

2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

　　張明花（集邦咨詢顧問（深圳）有限公司編輯，深圳 518000）　　摘? 要：預(yù)估2020年全球內(nèi)存市場的年成長率僅為12.2%，這個(gè)數(shù)字在年成長動(dòng)輒25%、甚至40%~50%的傳統(tǒng)內(nèi)存產(chǎn)業(yè)是非常低的。三星、SK海力士、美光等內(nèi)存廠商2020年將以獲利為主要目標(biāo)，資本支出也會(huì)減少?！　￡P(guān)鍵詞：內(nèi)存；DRAM；三星；SK海力士；美光　　觀察全球內(nèi)存（DRAM）市場供需格局以及價(jià)格走勢，在歷經(jīng)近5個(gè)季度的庫存調(diào)整后，2019年第4季度DRAM市場仍處于微幅供過于求狀態(tài)，即便2020年第1季度DRAM的
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南亞科宣布10nm級(jí)內(nèi)存完全自主開發(fā) DDR4/LPDDR4/DDR5齊發(fā)

全球DRAM內(nèi)存芯片主要掌握在三星、SK海力士、美光三家公司中，他們的份額高達(dá)95%以上，關(guān)鍵原因就在于這三家的技術(shù)專利形成了極高的門檻，其他公司突圍起來很難。南亞科之前的內(nèi)存也是來自美光授權(quán)，今年他們將轉(zhuǎn)向自研的10nm級(jí)內(nèi)存，未來將自產(chǎn)DDR4/LPDDR4/DDR5等內(nèi)存顆粒。在美光前兩年全資收購華亞科之后，南亞科技變成了全球第四大內(nèi)存廠，不過份額只有2%左右，而且技術(shù)來源也主要是美光授權(quán)，而且技術(shù)落后較多，在三星、美光、SK海力士轉(zhuǎn)向1X、1Y、1Znm工藝之后，南亞的主力還是30nm等，來自美光
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美光出樣DDR5內(nèi)存：1Znm工藝、性能提升85%

2020年AMD、Intel即將推出的新一代CPU處理器還會(huì)支持DDR4內(nèi)存，但是下一代DDR5內(nèi)存已經(jīng)近在眼前，2021年就會(huì)正式上市。今天美光宣布開始向客戶出樣最新的DDR5內(nèi)存，基于1Znm工藝，性能提升了85%。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低，起步頻率至少4800MHz，最高6400MHz。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時(shí)每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。美光現(xiàn)在出樣的DDR5內(nèi)存使用了最新的1Znm工藝
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三星工廠發(fā)生意外斷電：損失尚在評(píng)估、部分內(nèi)存/閃存產(chǎn)線需3天恢復(fù)

本周三，三星電子對外確認(rèn)，部分半導(dǎo)體芯片產(chǎn)線臨時(shí)停車，原因是1分鐘的突然斷電。事發(fā)地點(diǎn)位于三星華城工業(yè)園，波及到的多是DRAM和NAND芯片生產(chǎn)線。據(jù)悉，此次意外是因?yàn)楫?dāng)?shù)剌旊娋€纜問題造成，預(yù)計(jì)產(chǎn)能完全恢復(fù)需要2~3天時(shí)間。三星在聲明中稱，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評(píng)估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大。有分析人士認(rèn)為，此次停車將減少三星的芯片庫存，作為最大的存儲(chǔ)芯片制造上，會(huì)否帶來連鎖效應(yīng)尚不得而知。尤其是最新多方消息預(yù)判，明年內(nèi)存、閃存、MLCC、液晶面板等諸多元器件
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