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三星閃存、內(nèi)存晶圓廠遭遇停電分析師：對清庫存是重大利好

在內(nèi)存、閃存價(jià)格處于一個(gè)很敏感的拐點(diǎn)階段，三星在韓國華城的內(nèi)存及閃存工廠突然遭遇停電事故。對于這件事，大家很容易聯(lián)系到之前三星、海力士、東芝、美光等存儲芯片工廠遭遇的火災(zāi)、停電、跳閘等事故，不少人會(huì)心一笑。調(diào)侃歸調(diào)侃，這次事件最大的問題在于三星損失多嚴(yán)重，對內(nèi)存閃存的影響有多大。官方表示，他們正全面檢查產(chǎn)線，全面評估受損程度。匿名消息人士透露，此次停車的損失在數(shù)百萬美元左右，算不上重大，而且只要2-3天就可以恢復(fù)正常。從目前的信息來看，三星認(rèn)為事件影響不大，數(shù)百萬美元的損失意味著只有極少數(shù)的晶圓受到影響，
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新東芝存儲不看好3D XPoint技術(shù)：XL-Flash更有性價(jià)比

在近日召開的國際電子設(shè)備會(huì)議（IEDM）上，東芝存儲發(fā)布了基于Twin BiCS技術(shù)的閃存產(chǎn)品，并透露了即將推出的XL-Flash技術(shù)信息，同時(shí)它表示對3D XPoint之類的堆疊類存儲方案的前景并不看好。至于原因，東芝認(rèn)為3D XPoint成本太高，在容量/價(jià)格比上難以匹敵3D NAND 技術(shù)，現(xiàn)在市面上96層堆疊的閃存已經(jīng)大量涌現(xiàn)，可以在容量上輕松碾壓3D XPoint。其實(shí)對于高端DIY玩家而言，如果追求極致速度和體驗(yàn)，3D XPoint是不二之選。即便是NAND SSD最強(qiáng)的SLC在4K隨機(jī)性能、
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三星存儲工廠斷電停產(chǎn) 影響到底有多大？

北京時(shí)間2020年1月1日消息，三星電子公司今天表示，在昨天下午發(fā)生大約一分鐘的斷電事故后，其華城芯片工廠的部分芯片生產(chǎn)已經(jīng)暫停。三星在一份聲明中表示，正在檢查生產(chǎn)線以備重新啟動(dòng)，并正在評估造成的損失。需要指出的，這不是三星存儲工廠第一次出現(xiàn)停電事。根據(jù)資料顯示，在2018年3月，三星位于Pyeongtaek（平澤市）的NAND閃存工廠也曾出現(xiàn)過停電事故，雖然停電僅持續(xù)了半小時(shí)，但依然損壞了5000~6000片晶圓，是三星當(dāng)月產(chǎn)量的11%，預(yù)計(jì)相當(dāng)于3月份的全球供應(yīng)的3.5%。事后，根據(jù)預(yù)計(jì)此次事故造成了
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1萬億次寫入壽命傳三星1Gb eMRAM內(nèi)存良率已達(dá)90%

今年3月份，三星宣布全球第一家商業(yè)化規(guī)模量產(chǎn)eMRAM(嵌入式磁阻內(nèi)存)，基于28nm FD-SOI(全耗盡型絕緣層上硅)成熟工藝，內(nèi)存容量8Mb，可廣泛應(yīng)用于MCU微控制器、IoT物聯(lián)網(wǎng)、AI人工智能領(lǐng)域。MRAM是一種非易失性存儲，其前景被廣泛看好，Intel、IBM、TDK、三星、希捷等行業(yè)巨頭多年來一直都在研究，讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM等傳統(tǒng)內(nèi)存，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，綜合了傳統(tǒng)內(nèi)存、閃存的有點(diǎn)。三星量產(chǎn)的eMRAM內(nèi)存是基于磁阻的存儲，擴(kuò)展性非常好，在非易失性、
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蘋果中國官網(wǎng)上架DDR4 ECC內(nèi)存套件：44040元

有不少網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，蘋果中國官網(wǎng)悄悄更新了內(nèi)存套件，其中新上架的DDR4 ECC內(nèi)存套件為：256GB (2×128GB) 和32GB (2×16GB) DDR4 ECC。從蘋果官網(wǎng)給出的售價(jià)來看，256GB DDR4 ECC套件（2933MHz LR-DIMM，為兩個(gè)128GB DIMM）售價(jià)為44040元，而32GB DDR4 ECC 2933MHz R-DIMM（兩個(gè)16GB DIMM）售價(jià)為5872元。如果查看蘋果內(nèi)存套件和Mac Pro技術(shù)規(guī)格會(huì)發(fā)現(xiàn)，蘋果根據(jù)芯片密度使用DDR4 ECC 2933M
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兆易創(chuàng)新募資33.2億元研發(fā)DRAM內(nèi)存最快2021年量產(chǎn)

國內(nèi)最大的NOR閃存公司兆易創(chuàng)新上周末發(fā)表公告，宣布向10位投資者定向募集33.2億元資金，主要用于DRAM內(nèi)存研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，最快2021年開始量產(chǎn)。在募資公告中，兆易創(chuàng)新公布了這個(gè)項(xiàng)目的預(yù)計(jì)實(shí)施時(shí)間及整體進(jìn)度安排，具體如下：·2020年，兆易創(chuàng)新將啟動(dòng)首款DRAM芯片產(chǎn)品定義，包括市場定位、產(chǎn)品規(guī)格及芯片設(shè)計(jì)工藝?！?020年，兆易創(chuàng)新將定義首款芯片的生產(chǎn)職稱，并將經(jīng)過驗(yàn)證后的設(shè)計(jì)開展流片試樣，反復(fù)修改直至通過系統(tǒng)驗(yàn)證?！?021年，對首款芯片試樣進(jìn)行封裝測試，并送交系統(tǒng)芯片商進(jìn)行功能認(rèn)證，并最終通過客
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集邦咨詢：供給調(diào)整速度不及需求成長，2020年第一季顯卡內(nèi)存價(jià)格快速翻漲

近日，根據(jù)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新調(diào)查，2020年第一季除了因1X納米良率問題導(dǎo)致供貨不及，使得服務(wù)器內(nèi)存價(jià)格領(lǐng)漲以外，顯卡內(nèi)存價(jià)格也快速反轉(zhuǎn)向上。由于顯卡內(nèi)存相較于其他產(chǎn)品類別，屬于價(jià)格波動(dòng)明顯的淺碟市場，因此在買方積極拉貨下，預(yù)期價(jià)格將較前一季上漲逾5%，漲幅為所有產(chǎn)品中最高。顯卡與游戲機(jī)規(guī)格提升，高容量GDDR6需求增溫觀察2020年整體需求狀況，市場正快速從GDDR5轉(zhuǎn)向GDDR6，顯卡市場中，NVIDIA的主流產(chǎn)品RTX顯卡幾乎已經(jīng)全部轉(zhuǎn)用GDDR6，而AMD正在積
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芝奇再發(fā)極品內(nèi)存：DDR4-3200延遲只有CL14、單條32GB

我們知道，內(nèi)存的性能不僅僅取決于頻率高低，也要看延遲，甚至很多時(shí)候延遲的重要性要超過頻率。芝奇此前就發(fā)布過DDR4-4000 CL15高頻低延遲內(nèi)存(單條8GB)，現(xiàn)在又帶來了DDR4-3200 CL14，而且單條容量達(dá)32GB！新內(nèi)存分布在Trident Z RGB(幻光戟)、Trident Z Royal(皇家戟)、Trident Z Neo(焰光戟)三個(gè)系列中，單條容量統(tǒng)一都是32GB，搭載業(yè)界最高32Gb DDR4內(nèi)存顆粒，提供雙條共64GB、四條共128GB、八條共256GB三種套裝，主流雙通道
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內(nèi)存、固態(tài)硬盤價(jià)格扛不住了！漲起來

最近一段時(shí)間內(nèi)，大家有入手內(nèi)存和固態(tài)硬盤嗎？有購買需求的小伙伴們可以入手了，因?yàn)閮?nèi)存和SSD都已經(jīng)開始漲價(jià)了。
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中國公司DDR4架構(gòu)成國際標(biāo)準(zhǔn) 正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)制定

日前瀾起科技董事長楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài)，公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。內(nèi)存價(jià)格每次大起大落，中國公司都很受傷，因?yàn)閲鴥?nèi)幾乎沒有公司可以參與內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，全球內(nèi)存主要控制在三星、SK海力士、美光三大公司中，技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)也掌握在Intel、AMD、三星等公司中。瀾起科技是國內(nèi)為數(shù)不多的設(shè)計(jì)DDR內(nèi)存接口芯片的公司之一，該公司成立于2004年，是全球內(nèi)存接口芯片的主要供應(yīng)商之一，憑借領(lǐng)先的技術(shù)水平，在DDR4階段逐步確立了行業(yè)領(lǐng)先優(yōu)勢，公司2018年?duì)I業(yè)收入175,766.46萬元，凈利潤73,687.84萬
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三星將向中國芯片廠再投資80億美元：欲用創(chuàng)新壓制

據(jù)韓國媒體報(bào)道稱，三星電子將對其中國芯片工廠增加80億美元的投資，以促進(jìn)NAND閃存芯片的生產(chǎn)。據(jù)預(yù)計(jì)，由于供應(yīng)有限，以及對5G設(shè)備和網(wǎng)絡(luò)需求的不斷上升，明年全球內(nèi)存芯片市場將出現(xiàn)反彈。
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引領(lǐng)存儲新架構(gòu) 構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔英特爾通過傲騰和QLC NAND技術(shù)變革存儲未來

近日，以“數(shù)智·未來”為主題的2019中國數(shù)據(jù)與存儲峰會(huì)在北京成功舉辦。匯聚全球數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域知名的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)軍人物與代表性企業(yè)用戶，本次峰會(huì)旨在幫助企業(yè)和社會(huì)提升數(shù)據(jù)智能水平，推動(dòng)全球存儲與數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生出席大會(huì)并發(fā)表演講，不僅從產(chǎn)品層面闡述了英特爾如何通過傲騰?技術(shù)和QLC NAND?技術(shù)填補(bǔ)當(dāng)前存儲層級中的巨大鴻溝，還通過諸多用戶案例進(jìn)一步展示英特爾如何通過內(nèi)存與存儲的產(chǎn)品、技術(shù)創(chuàng)新引領(lǐng)存儲新架構(gòu)，構(gòu)建數(shù)據(jù)金字塔。英特爾公司中國區(qū)非易失性存儲事業(yè)部
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邊緣AI為智能零售、智能工廠帶來的改變

　　Amit?Gattani?（美光嵌入式產(chǎn)品事業(yè)部?高級市場總監(jiān)）　　摘?要：存儲器廠商美光介紹了邊緣AI為機(jī)器視覺和智能零售、智能工廠應(yīng)用帶來的變化，以及美光的存儲器解決方案?！　￡P(guān)鍵詞：邊緣AI；智能零售；智能工廠；內(nèi)存　　1 智能零售、智能工廠的AI機(jī)會(huì)　　邊緣AI正在智能零售、智能工廠/制造、智能城市/交通等工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域迅速崛起。它提供了更智能的業(yè)務(wù)洞察，以實(shí)現(xiàn)更高的生產(chǎn)力、更低的運(yùn)營成本，并更好地理解人們的行為。例如，零售商正在部署基于邊緣AI的系統(tǒng)，幫助更好地了解顧客行為、員工行為，管理店內(nèi)
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國產(chǎn)內(nèi)存再加速日本半導(dǎo)體行業(yè)重磅人物坂本幸雄加盟紫光

中國半導(dǎo)體行業(yè)又迎來一名重磅外援——紫光集團(tuán)今天宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級副總裁及日本公司CEO，負(fù)責(zé)開拓日本市場。坂本幸雄在DRAM領(lǐng)域具有30余年的從業(yè)經(jīng)驗(yàn)，在技術(shù)以及戰(zhàn)略發(fā)展上擁有優(yōu)秀的領(lǐng)導(dǎo)力。
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國產(chǎn)雄起！合肥長鑫19nm DRAM內(nèi)存芯片產(chǎn)能增加

存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。最新報(bào)道稱，合肥長鑫正逐步提到19nm DRAM芯片的產(chǎn)能，目標(biāo)是月產(chǎn)4萬片晶圓。在9月份開幕的201 9世界制造業(yè)大會(huì)上，合肥長鑫公司宣布總投資1500億元的合肥長鑫內(nèi)存芯片自主制造項(xiàng)目投產(chǎn)，將生產(chǎn)國產(chǎn)第一代10nm級8Gb DDR4內(nèi)存。長鑫存儲董事長兼首席執(zhí)行官朱一明介紹，投產(chǎn)的8Gb DDR4通過了多個(gè)國內(nèi)外大客戶的驗(yàn)證，今年底正式交付，另有一款供移動(dòng)終端使用的低功耗產(chǎn)品也即將投產(chǎn)。據(jù)悉，長鑫的DRAM技術(shù)
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