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STRATASYS推出碳纖維3D打印機(jī)滿足日益激增的碳纖維應(yīng)用需求

隨著各行各業(yè)越來越多的公司開始使用復(fù)合材料，3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者Stratasys（Nasdaq：SSYS）正式發(fā)售價(jià)格實(shí)惠的碳纖維填充尼龍12材料專用增材制造系統(tǒng)。該工業(yè)級Fortus 380mc碳纖維3D打印機(jī)曾在今年3月首次亮相，目前已經(jīng)面向全球市場正式出貨，國內(nèi)售價(jià)53萬元人民幣（含稅）。
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報(bào)告：內(nèi)存芯片需求旺盛三星擴(kuò)大對英特爾領(lǐng)先優(yōu)勢

　　北京時(shí)間8月21日晚間消息，調(diào)研公司IC Insights今日發(fā)布報(bào)告稱，由于DRAM和NAND閃存需求的持續(xù)增長，今年上半年三星電子在全球半導(dǎo)體市場的銷售額較英特爾高出22%，而一年前的該比例僅為1%?！　?017年第一季度，英特爾仍是全球最大的半導(dǎo)體供應(yīng)商。事實(shí)上，自1993年以來，英特爾一直保持著全球最大半導(dǎo)體廠商的頭銜。但從去年第二季度開始，以及整個(gè)2017年，英特爾被三星反超?！　C Insights預(yù)計(jì)，今年內(nèi)存類設(shè)備將占到三星整體半導(dǎo)體銷售額的84%，較2017年的81%高3個(gè)百分點(diǎn)，
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盤點(diǎn)值得一看的未來新型電池技術(shù)

顯然，我們不是第一次探討未來電池技術(shù)。在鋰電池?zé)o法獲得更大突破的情況下，科學(xué)家和技術(shù)人員紛紛著手研發(fā)新的電池技術(shù)，如石墨烯、鈉離子、有機(jī)電池
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中國企業(yè)自主研發(fā)的內(nèi)存芯片亮相美國

　　報(bào)道稱，YMTC此次公開的NAND當(dāng)中，32層產(chǎn)品將于下半年進(jìn)入試產(chǎn)階段。目前三星和SK海力士生產(chǎn)的是96層、72層產(chǎn)品。半導(dǎo)體業(yè)界認(rèn)為，企業(yè)技術(shù)水平上，韓國比中國領(lǐng)先3年?！　?bào)道稱，YMTC透露，新產(chǎn)品使用的是3D NAND架構(gòu)創(chuàng)新技術(shù)Xtacking，有效提高了數(shù)據(jù)處理速度。　　報(bào)道稱，YMTC計(jì)劃先在位于武漢的工廠進(jìn)行生產(chǎn)，后將在南京建廠，從明年開始提高產(chǎn)量。中國的NAND進(jìn)入市場已成為不可阻擋的趨勢，市場調(diào)查機(jī)構(gòu)預(yù)測認(rèn)為，NAND價(jià)格到明年將持續(xù)下降?！　?bào)道稱，中國政府為2025年內(nèi)存半導(dǎo)
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3D圖形芯片的算法原理是什么樣的？

一、引言3D芯片的處理對象是多邊形表示的物體。用多邊形表示物體有兩個(gè)優(yōu)點(diǎn)：首先是直接(盡管繁瑣)，多邊形表示的物體其表面的分段線性特征除輪廓外可
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中國三大存儲公司將量產(chǎn)內(nèi)存、閃存：2019年開始

外界普遍認(rèn)為，中國存儲芯片公司逐步擴(kuò)大產(chǎn)能，全球內(nèi)存閃存芯片市場的價(jià)格有望出現(xiàn)下降。
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三星被曝抑制內(nèi)存產(chǎn)能以防內(nèi)存降價(jià)，半導(dǎo)體設(shè)備廠商遭殃

　　DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片去年的產(chǎn)值超過了1320億美元，占了全球半導(dǎo)體芯片市場的三分之一，相比2016年的800多億美元暴漲了65%，主要原因就是持續(xù)近兩年的漲價(jià)所致，如今NAND閃存的價(jià)格已經(jīng)由漲轉(zhuǎn)跌，但是DRAM內(nèi)存價(jià)格一直居高不下，這其中不是單純的市場因素，三星作為全球最大的DRAM供應(yīng)商被爆減產(chǎn)以控制內(nèi)存價(jià)格，此舉也導(dǎo)致了半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料、LAM等公司的出貨量短期內(nèi)下降了10-25%?！　?nèi)存及閃存市場都是高度壟斷的，其中內(nèi)存顆粒主要掌握在三星、SK Hynix及美光三家
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3D SiC技術(shù)閃耀全場，基本半導(dǎo)體參展PCIM Asia引關(guān)注

　　6月26日-28日，基本半導(dǎo)體成功參展PCIM?Asia 2018上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會。　　基本半導(dǎo)體展臺以充滿科技感和未來感的藍(lán)白為主色調(diào)，獨(dú)有的3D SiC?技術(shù)和自主研發(fā)的碳化硅功率器件吸引了眾多國內(nèi)外參展觀眾的眼球。　　全球獨(dú)創(chuàng)3D SiC?技術(shù)　　展會期間，基本半導(dǎo)體技術(shù)團(tuán)隊(duì)詳細(xì)介紹了公司獨(dú)創(chuàng)的3D SiC?外延技術(shù)，該技術(shù)能夠充分利用碳化硅的材料潛力，通過外延生長結(jié)構(gòu)取代離子注入，使碳化硅器件在高溫應(yīng)用中擁有更高的穩(wěn)定性。優(yōu)良的外延質(zhì)量和設(shè)計(jì)靈活性也有利于實(shí)現(xiàn)高電流密度的
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紫光對3D NAND閃存芯片的戰(zhàn)略愿景

在“2018中國半導(dǎo)體市場年會暨IC中國峰會”上，紫光集團(tuán)有限公司董事長趙偉國作了“自主可控的中國存儲器產(chǎn)業(yè)崛起之路”報(bào)告，介紹了從2015年3月到2018年上半年的三年時(shí)間，紫光進(jìn)入3D NAND閃存芯片的思考與愿景。
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晶圓代工和內(nèi)存受惠三大動能成長

受惠物聯(lián)網(wǎng)新興應(yīng)用需求增加，高速運(yùn)算和人工智能應(yīng)用將成今年推動半導(dǎo)體市場成長動力。
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三星第一季度凈利潤狂漲：內(nèi)存需求旺盛

　　對于三星來說，真正扛起整個(gè)公司利潤的還是半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。　　三星電子發(fā)布的2018年第一季度財(cái)報(bào)顯示，運(yùn)營利潤為15.64萬億韓元(約合144億美元)，創(chuàng)歷史新高;凈利潤為11.6萬億韓元(約合107億美元)，同比增長52.11%。　　財(cái)報(bào)中，三星表示凈利潤繼續(xù)上漲，主要還是存儲芯片需求將繼續(xù)強(qiáng)勁，不過自家手機(jī)業(yè)務(wù)利潤率卻節(jié)節(jié)下滑。　　三星芯片業(yè)務(wù)當(dāng)季實(shí)現(xiàn)營業(yè)利潤11.6萬億韓元，達(dá)到手機(jī)部門的3倍。三星大約控制全球三分之二的DRAM市場。該公司今年2月推出Galaxy S9旗艦手機(jī)，其手機(jī)業(yè)
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中美貿(mào)易戰(zhàn) 東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)賣不掉了？

　　去年9月底，美國貝恩資本(Bain Capital)牽頭的財(cái)團(tuán)與東芝簽約，以180億美元收購東芝芯片(Toshiba Memory)業(yè)務(wù)部門。收購隨后進(jìn)入各國反壟斷審查階段，目前已獲得歐洲和美國監(jiān)管機(jī)構(gòu)批準(zhǔn)。中國方面，商務(wù)部反壟斷局正對此案進(jìn)行審查。由于審查時(shí)間超過外界預(yù)期，近來，日媒、英媒相繼曝出，東芝內(nèi)存業(yè)務(wù)交易可能生變，原因在于中美貿(mào)易戰(zhàn)。　　在外界聚焦東芝芯片出售或遇挑戰(zhàn)之際，韓國芯片制造商SK海力士表示，已經(jīng)取得重大勝利：它成功阻止了東芝芯片部門被一家中國公司接管。　　審查仍未放行
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2018年內(nèi)存芯片收入有望實(shí)現(xiàn)創(chuàng)紀(jì)錄增長

　　全球半導(dǎo)體行業(yè)在2017年創(chuàng)下了10年以來的最好成績，年收入比2016年增長了22%，達(dá)到4291億美元。　　這是根據(jù)英國分析公司IHS Markit的新統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)得出的，HIS認(rèn)為市場對內(nèi)存芯片處理能力需求的大幅增加歸因于新興應(yīng)用如大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)和機(jī)器學(xué)習(xí)。　　這一需求的增長使得三星電子作為全球領(lǐng)先芯片制造商占據(jù)第一位置，領(lǐng)先于競爭對手英特爾，而英特爾已經(jīng)占據(jù)第一的位置有25年之久。2017年，三星的收入增長了54%。　　IHS表示，動態(tài)隨機(jī)存取存儲器芯片的銷售總額增長了77%，而閃存芯片
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比內(nèi)存快1000倍，中國投資130億元量產(chǎn)相變內(nèi)存

　　全球的內(nèi)存市場主要被三星、SK Hynix和美光三家公司壟斷，他們?nèi)壹悠饋淼姆蓊~高達(dá)95%，中國要想在內(nèi)存市場突破封鎖并不容易，盡管有紫光、長鑫、兆易創(chuàng)新等公司投身存儲芯片市場，但在現(xiàn)有的DDR內(nèi)存技術(shù)上，中國公司技術(shù)、產(chǎn)能還差得遠(yuǎn)呢。此外，內(nèi)存也不止傳統(tǒng)的DDR技術(shù)，還有很多新興領(lǐng)域正在發(fā)展，比如PCM相變存儲，相比傳統(tǒng)內(nèi)存它的優(yōu)勢很多，比如速度快了1000倍，耐用性也是傳統(tǒng)內(nèi)存的1000倍，江蘇淮安市時(shí)代芯存公司投資130億元建設(shè)了國內(nèi)最大的相變存儲基地，上周已經(jīng)開始正式運(yùn)營，預(yù)計(jì)年產(chǎn)值45億元
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