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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

基于 LPC5528 的 3D 打印機方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個 Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。      該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機，支持 5 軸電機控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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Intel傲騰內(nèi)存死而不僵：再活3個月

  • 2022年9月底，Intel宣布徹底終結(jié)Optane傲騰業(yè)務(wù)，包括SSD固態(tài)硬盤、PMem持久內(nèi)存兩大產(chǎn)品線，但是現(xiàn)在，傲騰內(nèi)存還要再掙扎一下。Intel原計劃在今年9月30日之后停止出貨傲騰持久內(nèi)存100系列，但是現(xiàn)在，Intel將截止期限延長到了12月29日，多供貨3個月。同時，Intel建議客戶，按照0.44％的年故障率備足存貨，以備不時之需。不過，Intel并未解釋延長出貨期限的原因，不知道是客戶仍有需求，還是庫存太多清不完？傲騰持久內(nèi)存的地位介于傳統(tǒng)DIMM內(nèi)存、傲騰SSD之間，將數(shù)據(jù)比特保存在
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DRAM迎來3D時代？

3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

  • 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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RAM 是如何工作的？

  • 計算機關(guān)閉時，RAM 中存儲的信息會丟失，而長期存儲設(shè)備（SSD 或 HDD）中的數(shù)據(jù)會保留。
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2023 年全球半導(dǎo)體收入將下降 11%

平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？

  • 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導(dǎo)體負責人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

  • 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導(dǎo)體負責人最近在半導(dǎo)體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”

  • 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”稱號。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注。“3D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
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芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”

  • 國內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺在2.5D/3DIC Chiplet先進封裝設(shè)計分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國際在線平臺3D InCites的評選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計工具供應(yīng)商獎”稱號。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
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支持下一代 SoC 和存儲器的工藝創(chuàng)新

  • 本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對架構(gòu)、材料和核心制造流程進行復(fù)雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)

  • 近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅(qū)動3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)， 這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點，是否會向其他同類產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布， 努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng)，包含大量運用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來自多個包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開發(fā)商的內(nèi)容支持。
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西部數(shù)據(jù)宣布進一步削減生產(chǎn)和投資，NAND 晶圓產(chǎn)量將減少至 30%

  • IT之家 2 月 7 日消息，據(jù)韓媒 Business Korea 報道，在內(nèi)存半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)低迷的情況下，全球 NAND 閃存市場第四大公司西部數(shù)據(jù)宣布將進一步縮減設(shè)備投資和生產(chǎn)。西部數(shù)據(jù) 1 月 31 日在 2022 年第四季度業(yè)績電話會議上表示，2023 財年設(shè)備投資總額將達到 23 億美元（當前約 156.17 億元人民幣）。據(jù)IT之家了解，這一數(shù)字比 2022 年 10 月披露的 27 億美元（當前約 183.33 億元人民幣）下降了 14.8%，與 2022 年 8 月公布
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瀾起科技：計劃年內(nèi)完成 CKD 芯片量產(chǎn)版本研發(fā)并實現(xiàn)出貨

  • IT之家 2 月 6 日消息，據(jù)瀾起科技披露的投資者關(guān)系活動記錄，瀾起科技近日在接受機構(gòu)調(diào)研時表示，公司 2022 年 9 月宣布在業(yè)界率先推出 DDR5 第一子代時鐘驅(qū)動器（簡稱 CKD 芯片）工程樣片，并已送樣給業(yè)界主流內(nèi)存廠商，該產(chǎn)品將用于新一代臺式機和筆記本電腦內(nèi)存。據(jù)介紹，在 DDR5 初期，桌面端臺式機和筆記本電腦的 UDIMM、SODIMM 模組需要搭配一顆 PMIC 和一顆 SPD，暫不需要 CKD 芯片。當 DDR5 數(shù)據(jù)速率達到 6400MT / s 及以上時，PC 端內(nèi)存如
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3d 內(nèi)存介紹

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