3d 內(nèi)存文章進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果：適用于機(jī)器視覺(jué)和機(jī)器人的3D 立體視覺(jué)攝像頭

雙方將通過(guò)立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺(jué)， *AIoT 、AGV小車(chē)和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門(mén)圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專(zhuān)
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如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí)，并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬(wàn)向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加，從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng)，到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇；它們具有高重復(fù)性和可靠性，還可以與窗戶(hù)、門(mén)和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此，使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)。霍爾效應(yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器（MCU）介接，以
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SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存：超越DDR5-4800 80％！

SK海力士宣布，已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存，起步速率就可以達(dá)到8Gbps，相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80％，也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā)，面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱(chēng)“ Multiplexer Combined Ranks ”，多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù)，通過(guò)在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
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瀾起科技：DDR5 世代內(nèi)存模組配套芯片需求將大幅增加

IT之家 12 月 5 日消息，根據(jù)瀾起科技今日披露的投資者關(guān)系活動(dòng)記錄，瀾起科技在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，隨著 DDR5 相關(guān)產(chǎn)品滲透率的穩(wěn)步提升，2022 年第三季度公司的內(nèi)存接口芯片和內(nèi)存模組配套芯片收入均有所增長(zhǎng)，從而推動(dòng)互連類(lèi)芯片產(chǎn)品線業(yè)務(wù)的增長(zhǎng)。據(jù)介紹，內(nèi)存接口及模組配套芯片的需求量和服務(wù)器內(nèi)存模組的數(shù)量呈正相關(guān)。行業(yè)對(duì)內(nèi)存容量的需求是持續(xù)增加的，為滿(mǎn)足內(nèi)存容量的增長(zhǎng)需求，主要通過(guò)兩種方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，一是提升內(nèi)存顆粒密度，二是增加內(nèi)存模組數(shù)量。如果在一定時(shí)期內(nèi)存顆粒密度提升放緩，則內(nèi)存容量增
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等等黨又贏了內(nèi)存價(jià)格還要再跌半年：2023年下半年有望反彈

早買(mǎi)早享受，晚買(mǎi)享折扣，這是電子產(chǎn)品的通用規(guī)律，2022年最值得買(mǎi)的電子就是存儲(chǔ)產(chǎn)品了，不論內(nèi)存還是SSD硬盤(pán)都在跌價(jià)，廠商的日子很難過(guò)，但是消費(fèi)者確實(shí)撿到便宜了，只不過(guò)這個(gè)日子不會(huì)一直持續(xù)下去。內(nèi)存價(jià)格從去年底到現(xiàn)在跌了快一年了，什么時(shí)候止跌反彈？這是行業(yè)內(nèi)廠商都在期盼的大事，Q3季度中內(nèi)存價(jià)格跌了30%，導(dǎo)致美光、SK海力士等公司大砍資本支出，削減產(chǎn)能， 2023年內(nèi)存位元容量可能不會(huì)增加，甚至?xí)形⒎禄?。不過(guò)此前的舉動(dòng)并沒(méi)有推動(dòng)內(nèi)存價(jià)格止跌，由于需求下滑得實(shí)在厲害，10月到現(xiàn)在價(jià)格還是在
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1TB降到100元可期！SSD還要降價(jià) 原廠顆粒賣(mài)不動(dòng)：內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續(xù)走跌

很顯然內(nèi)存市場(chǎng)的需求依然很淡，不少消費(fèi)者依然沒(méi)有出手，當(dāng)然還是覺(jué)得廠商能繼續(xù)降價(jià)。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報(bào)告，表明目前DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)仍在保持下跌的趨勢(shì)，主要買(mǎi)家對(duì)未來(lái)皆抱持跌價(jià)心態(tài)，整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來(lái)說(shuō)：DDR4 1Gx8 2666/3200 部分，SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右；三星WC-BCWE報(bào)價(jià)下調(diào)至 2.08~2.10 美元，WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案

2022年11月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案的展示板圖在現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)建設(shè)和智能管理的驅(qū)動(dòng)下，人工智能門(mén)禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來(lái)了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下，各種酒店、賓館、寫(xiě)字樓、智能大廈、政府機(jī)關(guān)等單位，對(duì)于多功能智能門(mén)禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢(shì)下，大
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Arm Immortalis 實(shí)現(xiàn) 3D 游戲新境界

新聞重點(diǎn)· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計(jì)算解決方案，Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤，將為高級(jí)移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計(jì)算基礎(chǔ)可為新一代智能手機(jī)提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級(jí) GPU Arm Immortalis?-G
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美光發(fā)布 LPDDR5X-8500 內(nèi)存：采用先進(jìn) 1β 工藝，15% 能效提升

IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發(fā)布了 LPDDR5X-8500 內(nèi)存，采用先進(jìn) 1β 工藝，正在向智能手機(jī)制造商和芯片組合作伙伴發(fā)送樣品。據(jù)官方介紹，美光 2021 年實(shí)現(xiàn) 1α 工藝批量出貨，現(xiàn)在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場(chǎng)領(lǐng)先地位。官方稱(chēng)，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過(guò) 35% 的密度提升，每個(gè) die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動(dòng)產(chǎn)品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機(jī)的性能的同時(shí)，消
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臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺(tái)積電10月27日宣布，成立開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門(mén)子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺(tái)積電同步開(kāi)發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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SK 海力士宣布開(kāi)發(fā)出迄今最快 DDR5 DRAM 內(nèi)存，速度達(dá) 6400 Mbps

IT之家 10 月 25 日消息，SK 海力士今日宣布，近日開(kāi)發(fā)出業(yè)界首款 DDR5 6400 Mbps 速度的 32GB UDIMM（無(wú)緩沖雙列直插式內(nèi)存模組）和 SODIMM（小型雙列直插式內(nèi)存模），并向客戶(hù)提供樣品。UDIMM 是 PC 中使用的內(nèi)存模塊的總稱(chēng)，SODIMM 是 PC 中使用的超小型內(nèi)存模塊。SK 海力士公司表示，該公司開(kāi)發(fā)的 DDR5 6400Mbps 模塊產(chǎn)品是 PC 和客戶(hù)端最快的 DDR5 產(chǎn)品，6400 Mbps 的速度在 1 秒內(nèi)可以傳輸大約 10 部全高清電影
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蘋(píng)果正測(cè)試全新M系列芯片Mac Pro：24核CPU、76核GPU、192GB內(nèi)存

10 月 24 日消息，在最新一期“Power On”通訊中，彭博社記者 Mark Gurman 表示，蘋(píng)果正在測(cè)試搭載 Apple Silicon 芯片的 Mac Pro。Gurman 表示，他認(rèn)為第一臺(tái) Apple Silicon Mac Pro 不會(huì)在 2023 年之前上市銷(xiāo)售，但這一設(shè)備的測(cè)試已在蘋(píng)果內(nèi)部進(jìn)行。據(jù) Gurman 透露，全新高端 Mac Pro 將提供至少是 M2 Max 兩倍或四倍的芯片版本，并將這些芯片稱(chēng)為“M2 Ultra”和“M2 Extreme”。他認(rèn)為
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IQE 宣布與全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略協(xié)議

- 長(zhǎng)期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應(yīng)用開(kāi)發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進(jìn)一步加強(qiáng) IQE 作為 3D 傳感市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“IQE”或“集團(tuán)”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
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內(nèi)存供過(guò)于求，分析師預(yù)計(jì) SK 海力士 Q3 業(yè)績(jī)令人失望、Q4 由盈轉(zhuǎn)虧

10 月 21 日消息，據(jù)韓國(guó)時(shí)報(bào)，在多重不利因素的影響下，智能手機(jī)等電子消費(fèi)品的需求受到了影響，對(duì)存儲(chǔ)芯片的需求也就此放緩，價(jià)格下滑，存儲(chǔ)芯片制造商在業(yè)績(jī)方面也在承受壓力。韓國(guó)媒體的最新的報(bào)道顯示，多位分析師預(yù)計(jì)，在全球半導(dǎo)體行業(yè)周期性下滑的情況下，全球第二大存儲(chǔ)芯片制造商 SK 海力士，在下周將發(fā)出令人失望的三季度財(cái)報(bào)。從韓國(guó)媒體的報(bào)道來(lái)看，總部位于首爾的金融服務(wù)公司 FnGuide 分析師預(yù)計(jì)，SK 海力士三季度的營(yíng)業(yè)利潤(rùn)將降至 2.5 萬(wàn)億韓元，也就是約 17.3 億美元，同比將下滑 3
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西門(mén)子推軟件解決方案加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測(cè)試性設(shè)計(jì)

西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶(hù)加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測(cè)試性設(shè)計(jì)（DFT）。隨著市場(chǎng)對(duì)于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是，這種做法為芯片測(cè)試帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測(cè)試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門(mén)子推出Tess
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