3d 內(nèi)存文章進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
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imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
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英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
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英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞?。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
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3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
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美光GDDR6X進(jìn)一步提升帶寬和容量

16Gb內(nèi)存版本實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先的 24Gb/秒速率，是游戲玩家和內(nèi)容創(chuàng)作者的理想之選2022年4月18日，上海—內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商?Micron?Technology， Inc.，今日宣布量產(chǎn)全新的 16Gb 容量 GDDR6X 內(nèi)存，并已搭載于NVIDIA(英偉達(dá)) GeForce RTX 3090 Ti 顯卡。新款 GDDR6X 內(nèi)存為美光獨(dú)有產(chǎn)品，容量較上一代 8Gb 版本翻了一倍，性能提升高達(dá) 15%。容量和性能的提升意味著終端用戶可在游戲和內(nèi)容創(chuàng)作等內(nèi)存密集應(yīng)用中體驗(yàn)
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微處理器、單片機(jī)及其外設(shè)：處理還是控制？

每項(xiàng)新應(yīng)用設(shè)計(jì)都需要一個(gè)單片機(jī)或微處理器。當(dāng)在兩者之間選擇其一時(shí)，需要考慮一些因素。以下是微處理器、單片機(jī)以及異構(gòu)架構(gòu)的概述。
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史上第一次5位數(shù)！DDR5內(nèi)存頻率突破10000MHz

　　DDR5內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)起步頻率只有4800MHz，而潛力顯然是無(wú)限的。此前華碩、芝奇合作先后超到了8888MHz、9560MHz，現(xiàn)在終于突破了10000MHz！　　這也是內(nèi)存頻率第一次達(dá)到五位數(shù)字，進(jìn)入了10GHz+時(shí)代?！　∵_(dá)成這一成就的是Kovan Yang領(lǐng)銜的微星超頻團(tuán)隊(duì)成員，使用了一條金士頓的Fury Beast DDR5，搭配微星Z690 UNIFY-X主板，成功運(yùn)行在了5001.8MHz的基礎(chǔ)頻率，等效于DDR5-10004?！　榱巳绱酥叩念l率，內(nèi)存時(shí)序也放寬到了史無(wú)前例的72-126
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8533Mhz的LPDDR5X內(nèi)存，未必有你想的那么快

經(jīng)常關(guān)注我們?nèi)咨畹呐笥芽赡苓€記得，對(duì)于5G手機(jī)來(lái)說(shuō)高速的內(nèi)存和閃存非常重要。一方面，這是因?yàn)榫W(wǎng)速的增加使得在線視頻、大型手游的品質(zhì)可以越做越高，對(duì)手機(jī)的IO吞吐性能提出了更高要求；另外一方面，根據(jù)國(guó)際電聯(lián)的要求，5G時(shí)代的最終目標(biāo)是達(dá)到20Gbps的網(wǎng)絡(luò)帶寬，這就意味著手機(jī)至少也得具備與之相應(yīng)的內(nèi)存和閃存讀寫(xiě)速度，才有可能充分發(fā)揮高速網(wǎng)絡(luò)的優(yōu)勢(shì)。正因如此，自2019年秋季國(guó)內(nèi)市場(chǎng)5G正式商用以來(lái)，各上游廠商都在快速迭代手機(jī)的內(nèi)存、閃存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)。例如，2019年秋季的驍龍855+，使用的還是LPDDR4
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DDR5內(nèi)存五大升級(jí)都有啥？最后一個(gè)你絕對(duì)想不到

12代酷睿誕生以來(lái)，除開(kāi)CPU本身，最受關(guān)注的莫過(guò)于在先進(jìn)協(xié)議上的革命，其一是全面支持PCIe5.0協(xié)議，為下一代的顯卡和存儲(chǔ)器提供了普及接口；其二便是全面引入新一代的DDR5內(nèi)存協(xié)議，打破了多年來(lái)內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗(yàn)的“停滯不前”，引發(fā)新一輪的內(nèi)存浪潮。關(guān)于前者，鑒于尚未出現(xiàn)消費(fèi)級(jí)PCIe5.0相關(guān)產(chǎn)品，在此略過(guò)。今天，重點(diǎn)聊聊被譽(yù)為“內(nèi)存行業(yè)革命”的DDR5內(nèi)存。關(guān)于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受便是頻率的提升，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率，倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR5內(nèi)
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NVIDIA透過(guò)人工智能將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場(chǎng)景

當(dāng)人們?cè)?5年前使用寶麗來(lái) (Polaroid ) 相機(jī)拍攝出世界上第一張實(shí)時(shí)成像照片時(shí)，便是一項(xiàng)以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫(huà)面的創(chuàng)舉。時(shí)至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場(chǎng)景。 NVIDIA Research 透過(guò)人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場(chǎng)景這項(xiàng)稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過(guò)程，利用 AI 來(lái)預(yù)估光線在真實(shí)世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
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適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應(yīng)傳感器的評(píng)估模塊

TMAG5170UEVM 是一個(gè)易于使用的平臺(tái)，用于評(píng)估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評(píng)估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫(xiě)入寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果。還包括一個(gè) 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過(guò)單個(gè)器件測(cè)試角度測(cè)量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫(xiě)入器件寄存器以及查看和保存測(cè)量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過(guò)常見(jiàn)的 micro-USB 連接器充電
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LPDDR5 讓更多的手機(jī)擁有旗艦功能

手機(jī)制造商們發(fā)現(xiàn)了為旗艦和中端智能手機(jī)提供優(yōu)異性能的美光低功耗（LP）DDR5 DRAM。
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LPDDR5X標(biāo)準(zhǔn)與LPDRR5對(duì)比：帶寬增至8533Mbps

2021年7月28日，JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于發(fā)布了關(guān)于 LPDDR5 內(nèi)存芯片的最新標(biāo)準(zhǔn)，標(biāo)準(zhǔn)號(hào) JESD209-5B。新版標(biāo)準(zhǔn)針對(duì)目前已經(jīng)應(yīng)用的 LPDDR5 內(nèi)存提供了新的規(guī)格，提高了性能，降低了功耗以及增強(qiáng)了兼容性。此外，還包含下一代 LPDDR5X 內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。新標(biāo)準(zhǔn)表示，LPDDR5/LPDDR5X 旨在提高內(nèi)存速率和效率，適用于 5G 智能手機(jī)等產(chǎn)品。具體來(lái)看：（1）LPDDR5X 將實(shí)現(xiàn)最高 8533 Mbps 的速率；（2）信號(hào) TX/RX 發(fā)射或接收需要有更高的完整性；（3）新增 Ad
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