3d 內(nèi)存文章進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

廠商預(yù)計(jì)內(nèi)存明年價(jià)格或上調(diào)40%

半導(dǎo)體最近各種缺貨、漲價(jià)消息不斷，一系列元器件供需緊張的情況下，漲價(jià)趨勢(shì)顯然已經(jīng)開始傳到到我們最關(guān)心的存儲(chǔ)領(lǐng)域了?！　?1　　漲價(jià)大幕即將開啟　　內(nèi)存跌價(jià)2年來，現(xiàn)在又到了一個(gè)新階段，原本預(yù)期明年下半年才可能止跌回升，但是最近內(nèi)存行業(yè)已經(jīng)開始蠢蠢欲動(dòng)，某些特定類型的內(nèi)存率先拉開漲價(jià)之門，利基型內(nèi)存明年甚至要漲40%之多?！　±蛢?nèi)存（Specialty DRAM，又稱特制內(nèi)存）是一種特殊內(nèi)存，主要用于各種嵌入式、消費(fèi)電子市場(chǎng)，相對(duì)來說比較低端，而且占全部?jī)?nèi)存份額約為10%左右，遠(yuǎn)不如PC/服務(wù)器內(nèi)存、移
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TDK推出使用3D NAND閃存的高可靠性SSD

· SSD使用了支持串行ATA的TDK自有控制器 GBDriver GS2· 配置了3D NAND（TLC或pSLC）閃存· 新一代產(chǎn)品包括5個(gè)系列共計(jì)6個(gè)尺寸TDK株式會(huì)社（TSE:6762）將于2020年12月推出新一代閃存產(chǎn)品，該產(chǎn)品擁有5個(gè)系列，并針對(duì)工業(yè)、醫(yī)療、智能電網(wǎng)、交通和安全等應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。5個(gè)系列全部采用了支持串行ATA的TDK自有NAND閃存控制IC“GBDrive
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美光推出 176 層 3D NAND

IT之家了解到，美光表示其 176 層 3D NAND 已開始批量生產(chǎn)，并已在某些英睿達(dá)的消費(fèi)級(jí) SSD 產(chǎn)品中出貨。

11 月 10 日消息全球頂級(jí)半導(dǎo)體峰會(huì)之一的 Flash Memory 峰會(huì)將于 2020 年 11 月 10 日在美國加州圣克拉拉會(huì)議中心舉行。而在 11 月 9 日晚，美光宣告了自己最新的第五代 3D NAND 閃存技術(shù)，該技術(shù)具有 176 層存儲(chǔ)單元堆疊。新的 176 層閃存是美光與英特爾分手以來所研發(fā)的第二代產(chǎn)品，上一代 3D NAND 則是 128 層設(shè)計(jì)，算是美光的過渡節(jié)點(diǎn)。而目前在三星的存儲(chǔ)技術(shù)大幅度領(lǐng)先之下，美光 128 層 3D NAND 并沒有特

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受華為斷供影響，DRAM 十月份價(jià)格暴跌 9％

11月1日消息據(jù)韓媒 The Lec 今日?qǐng)?bào)道，今年十月份，DRAM 和 NAND 價(jià)格遭遇集體暴跌。分析師認(rèn)為，這是由于美國對(duì)華為的制裁所致，這加劇了存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格的下跌。據(jù)市場(chǎng)研究公司 DRAM Exchange 上個(gè)月 30 日的統(tǒng)計(jì)，截至 10 月底，PC DRAM（DDR4 8Gb）的固定交易價(jià)格為 2.85 美元，相比 9 月份的交易價(jià)格下降 8.9%。這與八月和九月連續(xù)第二個(gè)月保持平穩(wěn)的情況形成了對(duì)比，就 NAND 閃存而言，128GB 存儲(chǔ)卡和用于 USB 的多層單元存儲(chǔ)（MLC）
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完全漲不動(dòng)：內(nèi)存價(jià)格繼續(xù)觸底

根據(jù)IC Insights的分析報(bào)告，DRAM內(nèi)存芯片在今年底之前將繼續(xù)呈現(xiàn)下滑態(tài)勢(shì)。簡(jiǎn)單回顧下，內(nèi)存跌價(jià)大致是從2018下半年開始，2019年12月均價(jià)一度跌至3.9美元。盡管今年上半年，由于新冠肺炎的原因，在家辦公、遠(yuǎn)程學(xué)習(xí)等推動(dòng)了PC等設(shè)備的需求增長(zhǎng)，內(nèi)存價(jià)格有所小幅反彈，但持續(xù)的時(shí)間并不長(zhǎng)。6月份DRAM均價(jià)是3.7美元，7、8月份則在3.51美元處徘徊。通常來說，三四季度是DRAM價(jià)格大幅飆升的旺季，可今年的情況大家都懂，無論是廠商還是個(gè)人消費(fèi)者，其季節(jié)性的購買行為也被擾亂了。另外，盡管5G智能
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三星、SK海力士、美光停止向華為供貨：內(nèi)存供大于求將持續(xù)到明年

對(duì)于華為來說，隨著三星、SK海力士、美光三大內(nèi)存廠商的停止供貨，這也給內(nèi)存市場(chǎng)帶來了不小的傷害。昨天，美光公布的財(cái)報(bào)顯示，該公司已在9月14日停止向華為出貨。受此消息影響，美光股價(jià)在盤后交易中下挫3.6%。美光CEO 桑杰 · 梅洛特 (Sanjay Mehrotra)稱，華為是美光的最大客戶，公司需要時(shí)間來彌補(bǔ)損失的訂單。跟美光一樣的是，由于無法在向華為供貨，服務(wù)器內(nèi)存的現(xiàn)貨上漲價(jià)格趨勢(shì)將停止，三星、SK海力士正在遭遇艱難時(shí)刻。據(jù)悉，華為一直是三星和SK海力士的主要客戶，分別占兩家公司銷售額的3%和12
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HBM2E 和GDDR6： AI內(nèi)存解決方案

前言人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)（AI/ML）改變了一切，影響著每個(gè)行業(yè)并觸動(dòng)著每個(gè)人的生活。人工智能正在推動(dòng)從5G到物聯(lián)網(wǎng)等一系列技術(shù)市場(chǎng)的驚人發(fā)展。從2012年到 2019年，人工智能訓(xùn)練集增長(zhǎng)了30萬倍，每3.43個(gè)月翻一番，這就是最有力的證明。支持這一發(fā)展速度需要的遠(yuǎn)不止摩爾定律所能實(shí)現(xiàn)的改進(jìn)，摩爾定律在任何情況下都在放緩，這就要求人工智能計(jì)算機(jī)硬件和軟件的各個(gè)方面都需要不斷的快速改進(jìn)。從2012年至今，訓(xùn)練能力增長(zhǎng)了30萬倍內(nèi)存帶寬將成為人工智能持續(xù)增長(zhǎng)的關(guān)鍵焦點(diǎn)領(lǐng)域之一。以先進(jìn)的駕駛員輔助系
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5G手機(jī)中的低功耗內(nèi)存有多重要？

今年我國迎來了5G手機(jī)爆發(fā)之年。相信很多消費(fèi)者也在考慮是否去換一部5G手機(jī)。但是他們也是有顧慮的：5G是什么？5G手機(jī)到底能干啥？另外，一些5G手機(jī)中出現(xiàn)了一個(gè)新名詞——LPDDR5內(nèi)存，是怎么回事？
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5G手機(jī)中的低功耗內(nèi)存有多重要？

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內(nèi)存、SSD價(jià)格恐崩盤：三星等存儲(chǔ)廠商積壓4個(gè)月庫存

自Digitimes的最新報(bào)道稱，包括三星電子在內(nèi)的主要芯片廠商積壓了多達(dá)四個(gè)月的DRAM和NAND庫存。積壓的原因要?dú)w咎于需求疲軟，數(shù)據(jù)中心頂不上，消費(fèi)級(jí)同樣慘淡，當(dāng)然，都是被疫情“拖累”了。雖然因返校季的到來，已經(jīng)進(jìn)入傳統(tǒng)旺季時(shí)間，可如果不降價(jià)就企圖消化如此多的庫存、回籠資金，并不現(xiàn)實(shí)。這也呼應(yīng)了此前宇瞻總經(jīng)理張家騉的判斷，他當(dāng)時(shí)表示，DRAM和NAND存儲(chǔ)芯片供過于求的局面將一直持續(xù)到明年上半年?？紤]到NVIDIA剛剛發(fā)布RTX 30系顯卡、Intel發(fā)布Tiger Lake 11代酷睿處理器以及A
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三星加快部署3D芯片封裝技術(shù) 希望明年同臺(tái)積電展開競(jìng)爭(zhēng)

據(jù)國外媒體報(bào)道，本月中旬，三星展示了他們的3D芯片封裝技術(shù)，而外媒最新的報(bào)道顯示，三星已加快了這一技術(shù)的部署。外媒是援引行業(yè)觀察人士透露的消息，報(bào)道三星在加快3D芯片封裝技術(shù)的部署的。加快部署，是因?yàn)槿菍で竺髂觊_始同臺(tái)積電在先進(jìn)芯片的封裝方面展開競(jìng)爭(zhēng)。從外媒的報(bào)道來看，三星的3D芯片封裝技術(shù)名為“eXtended-Cube” ，簡(jiǎn)稱“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已經(jīng)能用于7nm制程工藝。三星的3D芯片封裝技術(shù)，是一種利用垂直電氣連接而不是電線的封裝解決方案，允許多層超薄疊加，利用直通硅通孔技術(shù)來
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三星電子展示3D晶圓封裝技術(shù) 可用于5納米和7納米制程

據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，三星電子成功研發(fā)3D晶圓封裝技術(shù)“X-Cube”，稱這種垂直堆疊的封裝方法，可用于7納米制程，能提高該公司晶圓代工能力。圖片來自三星電子官方三星的3D IC封裝技術(shù)X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、簡(jiǎn)稱TSV)，能讓速度和能源效益大幅提升，以協(xié)助解決次世代應(yīng)用嚴(yán)苛的表現(xiàn)需求，如5G、人工智能(AI)、高效能運(yùn)算、行動(dòng)和穿戴設(shè)備等。三星晶圓代工市場(chǎng)策略的資深副總裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技術(shù)，確保TSV在先進(jìn)的極紫外光(EUV)制程節(jié)
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內(nèi)存、SSD存儲(chǔ)芯片價(jià)格年底前要跌10%

考慮裝機(jī)DIY的用戶們，可以稍安勿躁，好消息拍馬趕到。來自Digitimes的最新報(bào)道稱，業(yè)內(nèi)消息顯示，存儲(chǔ)類芯片產(chǎn)品的價(jià)格將在今年第四季度環(huán)比下跌10%，注意，這包括但不限于DRAM和NAND。DRAM就是DDR內(nèi)存芯片，NAND就是閃存芯片，換言之，內(nèi)存條、SSD的價(jià)格將進(jìn)一步松動(dòng)。此次價(jià)格下探的原因在于庫存擠壓，這與上半年疫情的因素影響有關(guān)。由于四季度是傳統(tǒng)的出貨旺季，包括覆蓋感恩節(jié)、圣誕節(jié)、雙11、雙12等購物狂歡活動(dòng)，廠商和渠道商們寄望于借此來快速消化庫存，回籠資金。事實(shí)上，上周，宇瞻總經(jīng)理張家
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內(nèi)存條價(jià)格下降，三星：都是因?yàn)橹袊鴱S商能夠造存儲(chǔ)芯片了

最近一段時(shí)間，內(nèi)存條的價(jià)格降了不少。這一點(diǎn)據(jù)說主要是因?yàn)橹袊恍S商，例如合肥長(zhǎng)鑫現(xiàn)在也能夠造存儲(chǔ)芯片了，畢竟這種東西以前的確是真正的高科技，中國在這方面一直無法取得突破。發(fā)達(dá)國家的幾個(gè)公司能夠壟斷這個(gè)存儲(chǔ)芯片的生產(chǎn)，所以價(jià)格自然定得很高，最有名的就是三星了。記得三星某一年其他的產(chǎn)業(yè)上虧損了不少，但是他拆東墻補(bǔ)西墻，把存儲(chǔ)這一塊的價(jià)格往上漲了不少，結(jié)果那一年三星成功的扭虧為盈。三星能夠如此厲害的掌控整個(gè)世界的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)，就是因?yàn)樗谶@個(gè)產(chǎn)業(yè)上幾乎占有絕對(duì)壟斷的地位。某一天他想在存儲(chǔ)上賺錢了，他就找一些理由，
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PC 新時(shí)代！DDR5 內(nèi)存規(guī)范正式發(fā)布：最高速度達(dá) 6.4Gbps，單芯片密度達(dá) 64Gbit

作為計(jì)算機(jī)內(nèi)存發(fā)展的重要里程碑，JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)發(fā)布了下一個(gè)主流內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)DDR5 SDRAM的最終規(guī)范。DDR5是DDR標(biāo)準(zhǔn)的最新迭代，DDR5再次擴(kuò)展了DDR內(nèi)存的功能，將峰值內(nèi)存速度提高了一倍，同時(shí)也大大增加了內(nèi)存容量?；谛聵?biāo)準(zhǔn)的硬件預(yù)計(jì)將于2021年推出，先從服務(wù)器層面開始采用，之后再逐步推廣到消費(fèi)者PC和其他設(shè)備。外媒anandtech報(bào)道，和之前的每一次DDR迭代一樣，DDR5的主要關(guān)注點(diǎn)再次放在提高內(nèi)存密度以及速度上。JEDEC希望將這兩方面都提高一倍，最高內(nèi)存速度將達(dá)到6.4Gbps
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