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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

SK 海力士第三季度虧損大幅收窄，人工智能芯片成救命稻草

  • IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內(nèi)存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強勁需求，緩解了由于智能手機和電腦等設備中使用的普通芯片需求持續(xù)低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設備的 DRAM 芯片的業(yè)務，在第三季度重新盈利，而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業(yè)務…… 預計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續(xù)改善。仍然虧損的 NAN
  • 關鍵字： SK海力士  人工智能  內(nèi)存  

TDK推出采用3D HAL技術并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

  • ●? ?全新霍爾效應傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
  • 關鍵字： TDK  3D HAL  位置傳感器  

美光推出 1β DDR5 DRAM：7200 MT/s、性能比前代提升 50%

  • IT之家 10 月 11 日消息，美光公司今天發(fā)布新聞稿，進一步擴展了 1β（1-beta）工藝節(jié)點技術，推出 16Gb DDR5 內(nèi)存。美光演示的 1β DDR5 DRAM 目前已經(jīng)開始向數(shù)據(jù)中心和 PC 用戶提供，峰值速度可以達到 7200 MT/s。這款新型 DDR5 內(nèi)存采用先進的 high-k CMOS 器件技術，4 相時鐘和時鐘同步（clock-sync）1，相比較上一代性能提高 50%，每瓦性能提高了 33%。全新 1β DDR5 DRAM 產(chǎn)品線提供 4,800 MT/s 至 7
  • 關鍵字： 美光  內(nèi)存  

3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優(yōu)勢

  • 3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術，在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
  • 關鍵字： 3D ToF  相機  物流倉儲  自動化  臺達  

有選擇的后摩爾堆疊時代

  • 臺積電、英特爾等大廠近年來不斷加大對異構(gòu)集成制造及相關研發(fā)的投入。隨著 AIGC、8K、AR/MR 等應用的不斷發(fā)展，3D IC 堆疊和 chiplet 異構(gòu)集成已成為滿足未來高性能計算需求、延續(xù)摩爾定律的主要解決方案。不久前，華為公布了一項芯片堆疊技術的新專利，顯示了該公司在芯片技術領域的創(chuàng)新實力。這項專利提供了一種簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)制備工藝的方法，有望解決芯片堆疊過程中的各種技術難題。堆疊技術可以提高芯片的效率，并更好地利用可用空間，進一步推動芯片技術的進步。盡管目前該專利與將兩個 14nm 芯片堆疊成
  • 關鍵字： CPU  EDA  內(nèi)存  

三星推出其首個LPCAMM內(nèi)存解決方案 開啟內(nèi)存模組新未來

  • 三星電子宣布已開發(fā)出其首款 7.5Gbps（千兆字節(jié)每秒）低功耗壓縮附加內(nèi)存模組（LPCAMM）形態(tài)規(guī)格，這有望改變個人計算機和筆記本電腦的 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器） 市場，甚至改變數(shù)據(jù)中心的DRAM市場。三星的突破性研發(fā)成果已在英特爾平臺上完成了系統(tǒng)驗證。三星LPCAMM內(nèi)存模組結(jié)構(gòu)示意圖截至目前，個人計算機和筆記本電腦都在使用傳統(tǒng)的 LPDDR DRAM 或基于 DDR 的 So-DIMM（小型雙重內(nèi)嵌式內(nèi)存模組）。然而受結(jié)構(gòu)限制，LPDDR需要被直接安裝在設備的主板上，導致其在維修
  • 關鍵字： 三星  LPCAMM  內(nèi)存  內(nèi)存模組  

消息稱三星和 SK 海力士改進 HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

  • IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國 The Elec 報道，三星電子和 SK 海力士兩家公司加速推進 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動英偉達加速卡的需求之外，也帶動了對高容量存儲器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進名為混合鍵合（Hybrid Bonding
  • 關鍵字： 三星  海力士  內(nèi)存  

要漲價？內(nèi)存、閃存同時需求大漲

  • 這兩年，DRAM內(nèi)存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價格持續(xù)處于地位，內(nèi)存、SSD硬盤產(chǎn)品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結(jié)束了。根據(jù)集邦咨詢最新研究報告，預計在2024年，內(nèi)存、閃存原廠仍然會延續(xù)減產(chǎn)策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務器需求相對疲弱。由于內(nèi)存、閃存市場在2023年已經(jīng)處于低谷，價格也來到相對低點，因此 預計在2024年，內(nèi)存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
  • 關鍵字： 內(nèi)存  閃存  

3D NAND還是卷到了300層

  • 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
  • 關鍵字： V-NAND  閃存  3D NAND  

3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

  • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設備和游戲機。技術進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
  • 關鍵字： 3D DRAM  泛林  

HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購的“魔力”到底是什么？

  • 由于各大企業(yè)對布局AI領域的興趣激增，同時，SK海力士在用于生成式AI領域的高帶寬存儲器（HBM）DRAM方面處于市場領先地位，其二季度用于AI領域的高性能DRAM銷售增長強勁，對高端DRAM的需求增長了一倍多。繼英偉達之后，全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
  • 關鍵字： HBM  高帶寬  內(nèi)存  海力士  三星  美光  

被壟斷的NAND閃存技術

  • 各家 3D NAND 技術大比拼。
  • 關鍵字： NAND  3D NAND  

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

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3d 內(nèi)存介紹

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