3d 內(nèi)存文章進(jìn)入3d 內(nèi)存技術(shù)社區(qū)

為什么仍然沒有商用3D-IC？

摩爾不僅有了一個良好的開端，但接下來的步驟要困難得多。
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對內(nèi)存的重新思考

馮·諾依曼架構(gòu)將繼續(xù)存在，但人工智能需要新的架構(gòu)，3D 結(jié)構(gòu)需要新的測試工具。
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三星新設(shè)內(nèi)存研發(fā)機(jī)構(gòu)：建立下一代3D DRAM技術(shù)優(yōu)勢

三星稱其已經(jīng)在美國硅谷開設(shè)了一個新的內(nèi)存研發(fā)（R&D）機(jī)構(gòu)，專注于下一代3D DRAM芯片的開發(fā)。該機(jī)構(gòu)將在設(shè)備解決方案部門美國分部（DSA）的硅谷總部之下運(yùn)營，由三星設(shè)備解決方案部門首席技術(shù)官、半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)的主管Song Jae-hyeok領(lǐng)導(dǎo)。全球最大的DRAM制造商自1993年市場份額超過東芝以來，三星在隨后的30年里，一直是全球最大的DRAM制造商，市場份額要明顯高于其他廠商，但仍需要不斷開發(fā)新的技術(shù)、新的產(chǎn)品，以保持他們在這一領(lǐng)域的優(yōu)勢。三星去年9月推出了業(yè)界首款且容量最高的32 Gb
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DDR硬件設(shè)計(jì)要點(diǎn)

1. 電源 DDR的電源可以分為三類：a主電源VDD和VDDQ，主電源的要求是VDDQ=VDD，VDDQ是給IO buffer供電的電源，VDD是給但是一般的使用中都是把VDDQ和VDD合成一個電源使用。有的芯片還有VDDL，是給DLL供電的，也和VDD使用同一電源即可。電源設(shè)計(jì)時，需要考慮電壓，電流是否滿足要求，電源的上電順序和電源的上電時間，單調(diào)性等。電源電壓的要求一般在±5%以內(nèi)。電流需要根據(jù)使用的不同芯片，及芯片個數(shù)等進(jìn)行計(jì)算。由于DDR的電流一般都比較大，所以PCB設(shè)計(jì)時，如果有一個完整的電源平
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華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場趨穩(wěn)求進(jìn)

華邦電子新年展望——技術(shù)發(fā)展不可阻擋，內(nèi)存市場趨穩(wěn)求進(jìn)
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大廠有意擴(kuò)產(chǎn)DDR5、HBM 內(nèi)存

內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇明確，包括旺宏、南亞科、創(chuàng)見、鑫創(chuàng)、廣穎、鈺創(chuàng)、商丞等七家公司，去年12月營收呈現(xiàn)月增，且2024年第一季DRAM及NAND Flash合約價續(xù)漲。然全球第二大內(nèi)存生產(chǎn)商SK海力士計(jì)劃階段性擴(kuò)產(chǎn)，為內(nèi)存市況投下變量。海力士透露，公司可能于第一季縮小DRAM減產(chǎn)幅度，NAND Flash生產(chǎn)策略可能視情況在第二季或第三季跟著調(diào)整。針對內(nèi)存大廠有意擴(kuò)產(chǎn)，國內(nèi)存儲器廠商則認(rèn)為，海力士擴(kuò)廠應(yīng)集中在DDR5和HBM（高帶寬內(nèi)存）產(chǎn)品為主，因?yàn)榕_灣目前產(chǎn)品主攻DDR4，不致影響產(chǎn)品報(bào)價。TrendForc
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300層之后，3D NAND的技術(shù)路線圖

開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
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SK海力士成立新部門負(fù)責(zé)AI半導(dǎo)體業(yè)務(wù)

據(jù)韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負(fù)責(zé)人工智能（AI）半導(dǎo)體相關(guān)業(yè)務(wù)，由現(xiàn)任全球銷售營銷部門負(fù)責(zé)人Kim Juseon管理。報(bào)道稱，新部門將整合分散在公司內(nèi)部的高帶寬內(nèi)存（HBM）能力和功能，還將主導(dǎo)新一代HBM芯片等人工智能技術(shù)的發(fā)展，尋找并開發(fā)新市場。
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美光高性能內(nèi)存與存儲，推動 AI 豐富殘障人士生活體驗(yàn)

美光云計(jì)算高級業(yè)務(wù)發(fā)展經(jīng)理 Eric Booth 90 歲的祖母患有嚴(yán)重的聽力障礙，即使佩戴助聽器也很難聽清別人在說什么。Eric 注意到，她需要湊近講話者，識別他們的唇語，努力理解他們的話語。而當(dāng)多人進(jìn)行交談時，她常常會感到迷茫。Eric 萌生了一個想法：為何不用祖母的智能手機(jī)幫她來“傾聽”呢？他打開手機(jī)的記事簿功能，按下麥克風(fēng)按鈕，向她展示了手機(jī)如何將他的話轉(zhuǎn)錄成屏幕上的文字。他表示：“我的祖母非常興奮，笑得合不攏嘴，她現(xiàn)在可以參與到從前無法進(jìn)行的對話中?！边@也讓我們看到了該技術(shù)如何切實(shí)改善了言語、語
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TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

●? ?HAL 3930-4100（單芯片）和 HAR 3930-4100（雙芯片）是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器，具備穩(wěn)健的雜散場補(bǔ)償能力，并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級，可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中，最高可達(dá) ASIL D 級●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型
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江波龍聯(lián)合多家知名廠商發(fā)起內(nèi)存質(zhì)量聯(lián)盟，促進(jìn)算力產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展

?11月8日，2024存儲產(chǎn)業(yè)趨勢研討會 (Memory Trend Seminar 2024，以下簡稱“MTS”）在深圳盛大舉行，眾多行業(yè)專家、企業(yè)代表及媒體代表齊聚深圳，共同探討未來存儲技術(shù)的發(fā)展和趨勢。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?
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市況好轉(zhuǎn) 內(nèi)存廠Q3獲利嗨

NAND Flash現(xiàn)貨價于8月中旬反彈，DRAM價格也在9月開始回升，內(nèi)存市況確立好轉(zhuǎn)，帶動內(nèi)存族群獲利能力普遍呈現(xiàn)攀升。觀察第三季內(nèi)存族群財(cái)報(bào)，內(nèi)存制造大廠包括南亞科、旺宏及華邦電仍呈小幅虧損；內(nèi)存模塊廠創(chuàng)見、威剛、廣穎、品安、宇瞻單季每股稅后純益（EPS）皆有1元以上，宜鼎及群聯(lián)單季EPS更分別有3、4元以上亮眼成績。另從毛利率、營利率及稅后純益率三大財(cái)務(wù)指標(biāo)來看，第三季財(cái)報(bào)數(shù)字呈現(xiàn)「三率三升」的內(nèi)存廠商，則有創(chuàng)見、威剛、十銓、廣穎、宜鼎、品安，財(cái)務(wù)成績表現(xiàn)亮眼。此外，威剛14日公告10月自結(jié)財(cái)務(wù)數(shù)
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美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存

當(dāng)?shù)貢r間11月9日，存儲大廠美光科技宣布推出32Gb單片芯片128GB DDR5 RDIMM內(nèi)存，速度高達(dá)8000MT/s，可支持當(dāng)前和未來的數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載。據(jù)美光介紹，該產(chǎn)品采用美光1β(1-beta)技術(shù)，與競爭性3DS硅通孔(TSV)產(chǎn)品相比，位密度提高45%以上、能源效率提高高達(dá)24%、延遲降低高達(dá)16%、AI訓(xùn)練性能提升高達(dá)28%。該產(chǎn)品旨在滿足數(shù)據(jù)中心和云環(huán)境中各種關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用程序的性能和數(shù)據(jù)處理需求，包括人工智能(AI)、存儲數(shù)據(jù)庫(IMDB)）以及多線程、多核計(jì)數(shù)一般計(jì)算工作負(fù)載的高效處
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消息稱三星電子將從明年 1 月開始向英偉達(dá)供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，此前已向 AMD 供貨

IT之家 11 月 13 日消息，韓國日報(bào)稱，三星電子打破了 SK 海力士為 NVIDIA 獨(dú)家供應(yīng) HBM 3 的局面，該公司計(jì)劃從明年 1 月開始向英偉達(dá)提供 HBM3。有分析師預(yù)測稱，今年以來一直低迷的三星電子半導(dǎo)體業(yè)務(wù)業(yè)績將在明年迅速復(fù)蘇。一些猜測認(rèn)為，三星電子可能會在明年下半年在 HBM 市場份額上超過 SK 海力士。此前，三星電子已成功向美國 AMD 供應(yīng) HBM3 內(nèi)存，但由于 AMD 在該市場的主導(dǎo)地位并不大，因此據(jù)說供應(yīng)有限。市場研究公司 Trend Force 預(yù)測，SK 海
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不負(fù)期待：與美光相約2023進(jìn)博會

不負(fù)期待?與美光相約2023進(jìn)博會2023年11月5日，第六屆中國國際進(jìn)口博覽會正式開幕，吸引了來自世界各地的企業(yè)參展。其中，美光首次亮相進(jìn)博會，為業(yè)界帶來了一系列創(chuàng)新的內(nèi)存和存儲產(chǎn)品及解決方案，并展示了其為賦能數(shù)據(jù)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，推動人工智能和5G應(yīng)用進(jìn)步所付出的不懈努力。深入存儲四大應(yīng)用領(lǐng)域美光的展位以“深耕存儲領(lǐng)域，賦能數(shù)字中國”為主題，向觀眾展示了一系列高性能內(nèi)存和存儲產(chǎn)品。展臺劃分為數(shù)據(jù)中心、汽車與智能邊緣領(lǐng)域、移動設(shè)備以及PC客戶端四大應(yīng)用領(lǐng)域，最新的產(chǎn)品和解決方案令人印象深刻。這些創(chuàng)新的
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