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EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d 內(nèi)存

中國臺灣AI關(guān)鍵組件的發(fā)展現(xiàn)況與布局

  • 就人工智能（AI）裝置的硬件來看，關(guān)鍵的零組件共有四大塊，分別是邏輯運算、內(nèi)存、PCB板、以及散熱組件。他們扮演著建構(gòu)穩(wěn)定運算處理的要角，更是使用者體驗?zāi)芊駜?yōu)化的重要輔助。而隨著AI大勢的來臨，中國臺灣業(yè)者也已做好準(zhǔn)備，準(zhǔn)備在這些領(lǐng)域上大展拳腳。邏輯組件扮樞紐 中國臺灣IC設(shè)計有商機對整個AI運算來說，最關(guān)鍵就屬于核心處理組件的部分。盡管中國臺灣沒有強大的CPU與GPU技術(shù)供貨商，但在AI ASIC芯片設(shè)計服務(wù)與IP供應(yīng)方面，則是擁有不少的業(yè)者，而且其中不乏領(lǐng)頭羊的先進業(yè)者。在AI ASIC芯片設(shè)計方面，
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美光：GDDR7內(nèi)存已正式送樣

  • 6月5日，美光科技宣布出樣業(yè)界容量密度最高的新一代GDDR7顯存。美光GDDR7采用其1β（1-beta）DRAM技術(shù)和創(chuàng)新架構(gòu)，速率高達32Gb/s。性能上，GDDR7的系統(tǒng)帶寬超過1.5TB/s，較GDDR6提升高達60%，并配備四個獨立通道以優(yōu)化工作負(fù)載，從而實現(xiàn)更快的響應(yīng)時間、更流暢的游戲體驗和更短的處理時間。與GDDR6相比，美光GDDR7的能效提升超過50%，實現(xiàn)了更優(yōu)的散熱和續(xù)航；全新的睡眠模式可將待機功耗降低高達70%。美光GDDR7還具備領(lǐng)先的可靠性、可用性及適用性（RAS），在不影響性
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DDR6內(nèi)存新標(biāo)準(zhǔn)將上線

  • 據(jù)JEDEC（固態(tài)技術(shù)協(xié)會）消息，DDR6（包括LPDDR6）已明確會以CAMM2取代使用多年的SO-DIMM和DIMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)。DDR6內(nèi)存最低頻率8800MHz，可提高至17.6GHz，理論最高可以推進至21GHz，遠超DDR4和DDR5內(nèi)存。CAMM2是一種全新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，同樣支持DDR6標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存，也就是適用于臺式PC等大型PC設(shè)備。JEDEC預(yù)計，將在今年內(nèi)完成DDR6內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的初步草稿，1.0正式版最快也要到明年二季度，具體產(chǎn)品可能要到明年四季度或2026年才能看到了。從LPDDR6來看，該內(nèi)存產(chǎn)
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NVIDIA官宣全新Rubin GPU、Vera CPU：3nm工藝配下代HBM4內(nèi)存

  • 6月2日消息，臺北電腦展2024的展前主題演講上，NVIDIA CEO黃仁勛宣布了下一代全新GPU、CPU架構(gòu)，以及全新CPU+GPU二合一超級芯片，一直規(guī)劃到了2027年。黃仁勛表示，NVIDIA將堅持?jǐn)?shù)據(jù)中心規(guī)模、一年節(jié)奏、技術(shù)限制、一個架構(gòu)的路線，也就是使用統(tǒng)一架構(gòu)覆蓋整個數(shù)據(jù)中心GPU產(chǎn)品線，并最新最強的制造工藝，每年更新迭代一次。NVIDIA現(xiàn)有的高性能GPU架構(gòu)代號"Blackwell"，已經(jīng)投產(chǎn)，相關(guān)產(chǎn)品今年陸續(xù)上市，包括用于HPC/AI領(lǐng)域的B200/GB200、用于游
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

  • IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道，南亞科技在昨日的年度股東常會上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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整合計算和高速緩存功能，SK 海力士探索 HBM4E 新封裝方案

  • IT之家 5 月 29 日消息，SK 海力士計劃在 HBM4E 內(nèi)存中集成更多功能，從而將 HBM 產(chǎn)業(yè)推向一個新的高度。SK 海力士正在積極探索 HBM4E 內(nèi)存，嘗試推出可以整合計算、高速緩存和網(wǎng)絡(luò)存儲器等多種功能的 HBM 類型，進一步提高能效和信號傳輸速度。IT之家援引韓媒 ETNews 報道，該方案目前依然停留在概念階段，不過 SK 海力士已經(jīng)著手設(shè)計相關(guān) IP 朝著這個目標(biāo)邁進。SK 海力士計劃在 HBM 上集成內(nèi)存控制器，內(nèi)存控制器置于其 HBM 結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)芯片上，賦予第
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存儲龍頭計劃興建新工廠！

  • 近期，日媒報道美光科技計劃在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片，美光計劃投入約51億美元。上述新廠有望于2026年動工，并安裝EUV設(shè)備，最快2027年投入運營。據(jù)悉，美光曾計劃該工廠能在2024年投入使用，然而由于當(dāng)前市場環(huán)境的挑戰(zhàn)和不確定性，美光調(diào)整了原定的時間表。近年日本積極出臺補貼政策吸引半導(dǎo)體大廠赴日建廠，美光同樣可以獲得補貼。2023年10月，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省正式宣布，將為美光科技在廣島工廠的存儲芯片項目提供高達1920億日元的補貼，以支持在日研發(fā)下一代芯片。
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三星否認(rèn)HBM3E品質(zhì)問題，聲明巧妙回避

  • 有報導(dǎo)稱，三星的高頻寬存儲器（HBM）產(chǎn)品因過熱和功耗過大等問題，未能通過Nvidia品質(zhì)測試，三星對此否認(rèn)。韓媒BusinessKorea報導(dǎo)稱，三星表示正與多間全球合作伙伴順利開展HBM供應(yīng)測試，強調(diào)將繼續(xù)合作，確保品質(zhì)和可靠性。三星聲明表示，“我們正與全球各合作伙伴順利測試HBM供應(yīng)，努力提高所有產(chǎn)品品質(zhì)和可靠性，也嚴(yán)格測試HBM產(chǎn)品的品質(zhì)和性能，以便為客戶提供最佳解決方案?！比墙陂_始量產(chǎn)第五代HBM產(chǎn)品，即8-Hi（24GB）和12-Hi（36GB）容量的HBM3E設(shè)備。外媒Tom′s Har
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業(yè)界預(yù)測：LPDDR6的帶寬將增加一倍以上？

  • 當(dāng)前低功耗問題仍是業(yè)界關(guān)心重點。根據(jù)國際能源署(IEA)最近報告顯示，考慮到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次請求消耗2.9Wh，每天進行90億次搜索，每年需要額外消耗10太瓦時(TWh)的電力。從預(yù)計銷售的AI服務(wù)器需求來看，到2026年，AI行業(yè)可能會呈指數(shù)級增長，消耗的電力需求至少是去年的十倍。德州儀器首席技術(shù)官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服務(wù)還轉(zhuǎn)向移動和PC設(shè)備，這導(dǎo)致功耗激增，因此這是一個關(guān)鍵的討論話題。因應(yīng)市場需求，目前業(yè)界正積極致力于
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SK 海力士出席戴爾科技全球峰會，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品

  • IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費級固態(tài)硬盤領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認(rèn) PVC10 的具體讀寫性能，預(yù)計將強于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，SK 海力
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美光：已基本完成 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判，相關(guān)訂單價值數(shù)十億美元

  • IT之家 5 月 22 日消息，美光在昨日的摩根大通投資者會議活動上表示，美光 2025 年 HBM 內(nèi)存供應(yīng)談判基本完成。美光高管代表宣稱，其已與下游客戶基本敲定了明年 HBM 訂單的規(guī)模和價格。美光預(yù)計 HBM 內(nèi)存將在其截至 2024 年 9 月的本財年中創(chuàng)造數(shù)億美元量級的營收，而在 25 財年相關(guān)業(yè)務(wù)的銷售額將增加到數(shù)十億美元。美光預(yù)測，未來數(shù)年其 HBM 內(nèi)存位元產(chǎn)能的復(fù)合年增長率將達到 50%。為了應(yīng)對 HBM 領(lǐng)域的強勁需求，美光調(diào)升了本財年資本支出的預(yù)計規(guī)模，從 75~80 億美
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組臺電腦成本越來越高：除 CPU / GPU 之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤價格也瘋漲

  • IT之家 5 月 20 日消息，各位網(wǎng)友，你有發(fā)現(xiàn)現(xiàn)在組裝一臺電腦越來越貴了嗎？除了 CPU 和 GPU 兩個大件之外，內(nèi)存和固態(tài)硬盤的價格也水漲船高，基本上所有零件都處于漲價狀態(tài)。固態(tài)硬盤的價格到去年第 4 季度一直處于歷史最低點，甚至連 DDR5 內(nèi)存的價格似乎也已觸底。然而，這一切都將在 2024 年下半年發(fā)生改變。IT之家基于 XDA 媒體觀點，簡要介紹如下：固態(tài)硬盤科技媒體 xda-developers 追蹤觀測過去 6-7 個月亞馬遜平臺固態(tài)硬盤價格，從 2023 年 10 月左右開
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

  • IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

  • 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

  • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨特的性能。
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