3d nand堆疊 文章 進入3d nand堆疊技術社區(qū)
長江存儲SSD上新!42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年,長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤,都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài),從技術到產品都不斷推陳出新。6月23日,長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列,可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務器等各種場景,而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓,可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構的第三代3D NAND閃存芯片,容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
存儲芯片從落后20年,到追上三星、美光,中國廠商只花了6年
- 近日,有消息稱,國內存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初,會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內存儲芯片廠商,終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片,而大規(guī)模量產和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內推出200層以上的3D NAND閃存芯片,而大規(guī)模應用也要到2023年去了??梢?,國產存儲芯片,在技術上確實已經(jīng)追上了三星
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報,長江存儲取得技術突破,正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來捷報,長江存儲取得重大技術突破,正式打破韓國三星壟斷,目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產,預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè),從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài),用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離,長江存儲直接越級跳過了96層,直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
國產存儲芯片又取得突破,長江存儲192層閃存送樣,預計年底量產
- 頭一段時間,有媒體報道稱,長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣,預計年底實現(xiàn)量產。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產存儲芯片企業(yè),從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立,2017年便推出了32層NAND閃存。2019年,推出64層堆棧3D NAND閃存,并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距,長江存儲跳過了96層,直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā),并在2020年正式宣布研發(fā)成功,它是業(yè)內首款128層QLC規(guī)格的3D N
- 關鍵字: 長江存儲 3D NAND
英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術,賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應用
- 增強現(xiàn)實(AR)應用將從根本上改變人類的生活和工作方式。預計今年下半年,AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應用而設計,將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計,擁有行業(yè)領先的光學技術和強大的計算能力,能夠讓操作人員更高效地開展工作,幫助公司優(yōu)化復雜的流程,并支持員工進行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX:
- 關鍵字: 3D s深度傳感
3D DRAM技術是DRAM的的未來嗎?
- 5月25日,有消息傳出,華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限,DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前,DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示,三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨;美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么,10nm是DRAM工藝的極限嗎?在回答這個問題之前,我
- 關鍵字: DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應傳感器的評估模塊
- TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺,用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI),用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結果。還包括一個 3D 打印旋轉和推送模塊,用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結果· 3D 打印旋轉和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
- 關鍵字: 精密數(shù)模轉換器 霍爾效應傳感器 3D
AMD推動高效能運算產業(yè)發(fā)展 首款3D chiplet應用亮相
- AMD展示了最新的運算與繪圖技術創(chuàng)新成果,以加速推動高效能運算產業(yè)體系的發(fā)展,涵蓋游戲、PC以及數(shù)據(jù)中心。AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐博士發(fā)表AMD在高效能運算的最新突破,揭示AMD全新3D chiplet技術;與業(yè)界領導廠商特斯拉和三星合作,擴大了AMD運算與繪圖技術在汽車與手機市場的應用;新款AMD Ryzen處理器瞄準狂熱級玩家與消費性PC;最新AMD第3代EPYC處理器所帶來領先的數(shù)據(jù)中心效能;以及為游戲玩家提供的一系列全新AMD繪圖技術。 AMD總裁暨執(zhí)行長蘇姿豐展示AMD全新3D chi
- 關鍵字: AMD 3D chiplet Ryzen
ams攜手ArcSoft 力推3D dToF走進安卓手機
- 作為傳感器領域風頭最勁的企業(yè),ams(艾邁斯半導體)通過技術積累和持續(xù)的并購戰(zhàn)略逐漸成為各類傳感器領域的領導者,特別是經(jīng)過收購歐司朗之后,進一步實現(xiàn)了公司業(yè)務規(guī)模的擴大和業(yè)務領域的平衡,使得ams在各個核心領域上都有非常好的市場地位。 經(jīng)過對歐司朗的收購之后,ams聚焦在三大核心技術領域,主要包括傳感、照明(光源)以及可視化,即visualization、illumination和Sensing。ams大中華區(qū)銷售和市場高級副總裁陳平路表示,隨著5G時代帶來的技術和產業(yè)的革新非??春胕ToF、
- 關鍵字: ams ArcSoft 3D dToF 安卓手機
3d nand堆疊介紹
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