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feol 文章進(jìn)入feol技術(shù)社區(qū)

巴斯夫拓展與IMEC為半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)發(fā)工藝化學(xué)品

　　巴斯夫與歐洲領(lǐng)先的獨(dú)立納米技術(shù)研究機(jī)構(gòu)比利時(shí)弗拉芒校際微電子研究中心(IMEC)今天宣布繼續(xù)拓展聯(lián)合研發(fā)項(xiàng)目。作為進(jìn)一步合作的領(lǐng)域之一，雙方計(jì)劃研發(fā)工藝化學(xué)品，這將提高半導(dǎo)體生產(chǎn)中的清洗化學(xué)品的性能。研究工作的另一個(gè)重點(diǎn)是降低生產(chǎn)工藝復(fù)雜性及減少生產(chǎn)步驟。　　聯(lián)合研發(fā)下一階段將專注于選擇性清洗技術(shù)，這一技術(shù)將推動(dòng)以22納米技術(shù)為基礎(chǔ)的新一代芯片的開(kāi)發(fā)。這些解決方案將用于集成電路生產(chǎn)的第一個(gè)部分，即“前段制程”(FEOL)，此時(shí)個(gè)別組件(如晶體管)將被固定在半導(dǎo)體上。重要的是
關(guān)鍵字： IMEC 22納米 FEOL BEOL

SEZ部署了FEOL清洗產(chǎn)品特性全新的ESANTI 單晶圓濕式平臺(tái)

Esanti 標(biāo)志著SEZ面向FEOL戰(zhàn)略發(fā)展藍(lán)圖又邁出了至關(guān)重要的一步 SEZ（瑟思）集團(tuán) (瑞士股票交易市場(chǎng)SWX代碼：SEZN)于宣布了公司面向前段工藝過(guò)程（FEOL）中清洗和光阻剝離工藝的Esanti平臺(tái)。極其靈活的Esanti平臺(tái)充分利用了SEZ集團(tuán)久經(jīng)考驗(yàn)的專業(yè)技術(shù)單晶圓濕式處理技術(shù)，旨在滿足45納米及其更低尺寸的芯片制造中前段工藝過(guò)程的清洗衍變需求。它構(gòu)筑于公司的核心旋轉(zhuǎn)處理器技術(shù)之上，增加了新的功
關(guān)鍵字： ESANTI FEOL SEZ 單晶圓濕式平臺(tái) 工業(yè)控制清洗產(chǎn)品其他IC 制程工業(yè)控制

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feol介紹

FEOL就是制程的前道，形成Device feol特指那些形成活性電性部件之前的生產(chǎn)步驟。在這些步驟中，晶片表面尤其是mos器件的柵區(qū)域，是暴露的、極易受損的。在這些清洗步驟中，一個(gè)極其關(guān)鍵的參數(shù)是表面粗糙度。過(guò)于粗糙的表面會(huì)改變器件的性能，損害器件上面沉積層的均勻性。表面粗糙度是以納米為單位的表面縱向變差的平方根（nmrms）。 [ 查看詳細(xì) ]

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巴斯夫拓展與IMEC為半導(dǎo)體行業(yè)開(kāi)發(fā)工藝化學(xué)品

SEZ部署了FEOL清洗產(chǎn)品特性全新的ESANTI 單晶圓濕式平臺(tái)

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