ai risc-v 文章進(jìn)入ai risc-v技術(shù)社區(qū)

高通發(fā)布深度學(xué)習(xí)SDK讓智能設(shè)備更有AI

　　芯片制造商高通希望幫助加快機(jī)器學(xué)習(xí)進(jìn)程。該公司為其“機(jī)器智能平臺(tái)”推出全新軟件開發(fā)工具包。該SDK將使企業(yè)更容易在智能手機(jī)和無人駕駛飛機(jī)的設(shè)備當(dāng)中直接運(yùn)行深學(xué)習(xí)程序，當(dāng)然芯片必須是高通產(chǎn)品。目前，谷歌和Facebook等公司正在使用深度學(xué)習(xí)軟件進(jìn)行圖像和語音識(shí)別，但通常，這一過程發(fā)生在云中，將結(jié)果提供給用戶的手機(jī)。但是高通推出的Zeroth SDK(高通Snapdragon神經(jīng)處理引擎)，為制造商和公司在本地運(yùn)行深度學(xué)習(xí)程序提供一個(gè)簡單的工具。　　高通表示，這意味著更好的私
關(guān)鍵字：高通 AI

外媒：蘋果面臨三大威脅—中國、AI、廉價(jià)手機(jī)

　　北京時(shí)間3月14日下午消息，盡管市場擔(dān)心iPhone銷量增速放緩，但蘋果依然是全球股票市值最大的企業(yè)。不過，瑞士銀行分析師史蒂芬·米倫諾維奇(Steven Milunovich)卻認(rèn)為，中國、聊天機(jī)器人和廉價(jià)手機(jī)將成為該公司面臨的三大突出挑戰(zhàn)。　　“當(dāng)今圍繞蘋果升級的討論主要依據(jù)的是新功能和升級周期的延長。”米倫諾維奇在周三發(fā)表的研究報(bào)告中說，“很多人認(rèn)為這是個(gè)高級問題，關(guān)鍵挑戰(zhàn)來自升級周期，而非生態(tài)系統(tǒng)外部” 　　分析師普遍預(yù)計(jì)，i
關(guān)鍵字：蘋果 AI

“中國智造”確定AI升值路線圖

人機(jī)大戰(zhàn)將人工智能推上了歷史巔峰，人工智能有望成為未來10年乃至更長時(shí)間內(nèi)IT產(chǎn)業(yè)發(fā)展的焦點(diǎn)。
關(guān)鍵字： AI 機(jī)器人

Imec結(jié)合III-V材料打造高性能Flash

　　比利時(shí)奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式，發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。　　目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道，并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動(dòng)至垂直的方向，3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝，而不必遵循微縮規(guī)則。　　此外，Imec最近發(fā)現(xiàn)，透過使用通道中的III-V材
關(guān)鍵字： Imec III-V

我們是否該對AI感到不安？

我覺得嘗試遏止科技的進(jìn)步是愚蠢的，你說呢?你對于科技的進(jìn)展有沒有任何想法?我們該對一個(gè)AI未來世界感到不安嗎?
關(guān)鍵字： AI 機(jī)器人

MIT新型AI機(jī)器：無需人類也能執(zhí)行大數(shù)據(jù)分析

　　據(jù)外媒報(bào)道，伴隨著互聯(lián)網(wǎng)的不斷普及以及移動(dòng)設(shè)備的不斷流行，現(xiàn)在，數(shù)據(jù)及其設(shè)備中心要比過去任何一個(gè)時(shí)代都顯得重要。這種被叫做大數(shù)據(jù)分析的處理過程大部分情況下還是需要借助人類的直覺來完成。任何一位人工智能(AI)科學(xué)家都認(rèn)為，直覺是人類思維過程中最難復(fù)制的部分之一。然而就在近日，來自MIT的科研人員可能在這一領(lǐng)域取得了突破。　　　　據(jù)悉，由他們開發(fā)出的數(shù)據(jù)科學(xué)機(jī)器(Data Science Machine)能夠像人類一樣執(zhí)行數(shù)據(jù)分析甚至更優(yōu)秀。　　數(shù)據(jù)科學(xué)機(jī)器專門為大數(shù)據(jù)分
關(guān)鍵字： MIT AI

電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。　　　　由圖1可見，電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
關(guān)鍵字： V/I V/F

RISC或CISC真的有差嗎？

精簡指令RISC和復(fù)雜指令CISC之爭從來沒有落下帷幕，每隔一段時(shí)間就拿出來吵，實(shí)際只有合不合適，對不對口，沒有好壞之分。
關(guān)鍵字： RISC CISC

三星電子以3D V-NAND主宰SSD版圖生態(tài)

　　2015年固態(tài)硬碟(SSD)市場中的3D V-NAND占比達(dá)10%，為當(dāng)初預(yù)期的3倍以上，預(yù)料到了2016年，占比將進(jìn)一步提升至40%，三星電子(Samsung Electronics)將成市場最大贏家。　　據(jù)韓媒Money Today報(bào)導(dǎo)，逐漸取代傳統(tǒng)硬碟(HDD)的SSD，發(fā)展重心開始愈來愈偏向3D V-NAND。三星2013年領(lǐng)先全球率先推出3D V-NAND后，目前仍然是唯一量產(chǎn)3D V-NAND業(yè)者。　　據(jù)市調(diào)業(yè)者IHS iSuppli統(tǒng)計(jì)資料，如果以數(shù)量而言，2015年企業(yè)用SSD
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

2016年3D V-NAND市場擴(kuò)大10倍　三星拉大與后起業(yè)者差距

　　在存儲(chǔ)器芯片市場上，垂直堆疊結(jié)構(gòu)的3D V-NAND Flash比重正迅速擴(kuò)大，全球企業(yè)間的競爭也將漸趨激烈。　　據(jù)韓國MT News報(bào)導(dǎo)，2016年前3D V-NAND市場規(guī)模預(yù)估將擴(kuò)大10倍，而除目前獨(dú)占市場的三星電子(Samsung Electronics)外，也將有更多半導(dǎo)體廠加速生產(chǎn)V-NAND。三星獨(dú)大V-NAND市場，為拉大與后起業(yè)者的差距，生產(chǎn)產(chǎn)品將從目前的32層堆疊結(jié)構(gòu)，增加到48層。　　外電引用市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli資料指出，以NAND Flash的技術(shù)分類，V-N
關(guān)鍵字：三星 V-NAND

基于Atmega16的室內(nèi)照明系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　照明是室內(nèi)環(huán)境設(shè)計(jì)的重要組成部分，光照的作用，對人的視覺功能尤為重要。而長期以來，將自然光與室內(nèi)智能照明系統(tǒng)相結(jié)合的方式一直被設(shè)計(jì)者忽略，大部分的室內(nèi)場所仍沿用單一的傳統(tǒng)照明方式，在一些公用場所的照明設(shè)備長時(shí)間打開，不僅導(dǎo)致能源浪費(fèi)，而且加速了設(shè)備老化。　　1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)和工作原理　　1. 1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu) 　　室內(nèi)照明控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)主要采用Atmega16 單片機(jī)作為MCU 控制器，與LED 顯示技術(shù)、光感技術(shù)、按鍵采集與處理技術(shù)、紅外線傳感技術(shù)、延時(shí)技術(shù)等技術(shù)相結(jié)合，然后實(shí)現(xiàn)室內(nèi)照明設(shè)備的智能
關(guān)鍵字： Atmega16 RISC

零基礎(chǔ)學(xué)FPGA（十四）第一片IC——精簡指令集RISC_CPU設(shè)計(jì)精講

　　不得不說，SDRAM的設(shè)計(jì)是我接觸FPGA以來調(diào)試最困難的一次設(shè)計(jì)，早在一個(gè)多月以前，我就開始著手想做一個(gè)SDRAM方面的教程，受特權(quán)同學(xué)影響，開始學(xué)習(xí)《高手進(jìn)階，終極內(nèi)存技術(shù)指南》這篇論文，大家都知道這篇文章是學(xué)習(xí)內(nèi)存入門的必讀文章，小墨同學(xué)花了一些時(shí)間在這上面，說實(shí)話看懂這篇文章是沒什么問題的，文件講的比較直白，通俗易懂，很容易入手。當(dāng)了解了SDRAM工作方式之后，我便開始寫代碼，從特權(quán)同學(xué)的那篇經(jīng)典教程里面，我認(rèn)真研讀代碼的來龍去脈，終于搞懂了特權(quán)同學(xué)的設(shè)計(jì)思想，并花了一些時(shí)間將代碼自己敲一遍，
關(guān)鍵字： FPGA RISC

基于Microblaze的經(jīng)典設(shè)計(jì)匯總，提供軟硬件架構(gòu)、流程、算法

　　Microblaze嵌入式軟核是一個(gè)被Xilinx公司優(yōu)化過的可以嵌入在FPGA中的RISC處理器軟核，具有運(yùn)行速度快、占用資源少、可配置性強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通信、軍事、高端消費(fèi)市場等領(lǐng)域。支持CoreConnect總線的標(biāo)準(zhǔn)外設(shè)集合。Microblaze處理器運(yùn)行在150MHz時(shí)鐘下，可提供125 D-MIPS的性能，非常適合設(shè)計(jì)針對網(wǎng)絡(luò)、電信、數(shù)據(jù)通信和消費(fèi)市場的復(fù)雜嵌入式系統(tǒng)。本文介紹基于Microblaze的設(shè)計(jì)實(shí)例，供大家參考。　　雙Microblaze軟核處理器的SOPC系統(tǒng)設(shè)計(jì)
關(guān)鍵字： RISC Xilinx GPIO

可充電觸屏遙控模塊設(shè)計(jì)

　　摘要　　本文介紹了使用MSP430作為主處理器實(shí)現(xiàn)可充電的觸屏遙控模塊，該設(shè)計(jì)方案支持紅外(IR)信號傳輸，且可擴(kuò)展RF和NFC無線傳輸方式;用戶輸入采用觸摸按鍵實(shí)現(xiàn)，設(shè)計(jì)簡潔美觀;系統(tǒng)可由電池供電，且自帶可充電模塊，可由USB或者直流電源適配器充電。TI的430系列MCU產(chǎn)品功耗低，可為便攜式電子設(shè)備提供更長的使用壽命;其內(nèi)嵌LCD驅(qū)動(dòng)器，可以方便實(shí)時(shí)顯示監(jiān)測數(shù)據(jù);其支持多種觸摸按鍵實(shí)現(xiàn)方式，設(shè)計(jì)簡便靈活。　　簡介　　遙控設(shè)備在日常生活中非常易見，家電遙控器、玩具遙控器等方便了用戶對設(shè)備
關(guān)鍵字： MSP430 RISC SoC

基于VIM的嵌入式存儲(chǔ)控制器的研究與實(shí)現(xiàn)

　　1 引言　　隨著VLSI技術(shù)的迅猛發(fā)展，微處理器主頻日益提高、性能飛速增長，盡管與此同時(shí)存儲(chǔ)器集成度也越來越高、存取延時(shí)也在不斷下降，但是處理器性能的年增長速度為50%～60%，而存儲(chǔ)器性能每年提高的幅度只有5%～7%，DRAM存儲(chǔ)器的低帶寬和高延遲使高性能處理器無法充分發(fā)揮其性能，處理器和存儲(chǔ)器之間速度的差距越來越成為制約整個(gè)系統(tǒng)性能的瓶頸。眾多的研究者從微體系結(jié)構(gòu)出發(fā)，采取亂序執(zhí)行、多線程、預(yù)取、分支預(yù)測、推斷執(zhí)行等技術(shù)，或多級Cache的層次式存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)來彌補(bǔ)微處理器與存儲(chǔ)器性能差距，但是這些
關(guān)鍵字： VIM SRAM RISC