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交錯式 HDR 解決方案讓能耗最多降低 24%,谷歌 Pixel 8 將采用三星 ISOCELL GN2 相機
- IT之家 12 月 20 日消息,谷歌 Pixel 系列手機為了改善動態(tài)范圍、減少重影,一直使用多幀 HDR 解決方案。小道消息人士和開發(fā)者 Kuba Wojciechowski 發(fā)現(xiàn) 2023 年款 Pixel 將會采用交錯式 HDR(staggered HDR)解決方案,帶來更優(yōu)秀的成像質(zhì)量。Wojciechowski 近日逆向編譯了 Google Camera Go 應(yīng)用,發(fā)現(xiàn)明年推出的 Pixel 8 將會采用交錯式 HDR 解決方案。而且他還表示 Pixel 6/7 系列所使用的三星
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富士將在韓國建設(shè)半導(dǎo)體生產(chǎn)工廠,將于 2024 年春季投入運營
- IT之家 12 月 20 日消息,富士膠片已宣布計劃在韓國建設(shè)一家工廠,生產(chǎn)用于半導(dǎo)體制造的先進(jìn)材料,新工廠將具有尖端的制造能力和最先進(jìn)的評估設(shè)備,以便能夠生產(chǎn)高質(zhì)量和高性能的產(chǎn)品。據(jù)介紹,該工廠位于韓國平澤市,由富士膠片株式會社的子公司 Fujifilm Electronic Materials Korea Co., Ltd 負(fù)責(zé)建設(shè),預(yù)計將于 2024 年春季投入運營。該工廠將生產(chǎn)用于圖像傳感器的傳感器濾色片,并將成為該公司在韓國的第二家制造工廠。IT之家了解到,富士韓國第一家工廠位于 Ch
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ADALM2000實驗:CMOS邏輯電路、傳輸門XOR
- 本實驗活動的目標(biāo)是進(jìn)一步強化上一個實驗活動 “使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理,并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言,您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建傳輸門異或(XOR)和異或非邏輯功能。背景知識為了在本實驗活動中構(gòu)建邏輯功能,需要使用 ADALP2000 模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管(ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS)。CD4007由3對互補MOSFET組成,如圖
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思特威推出高端ADAS應(yīng)用圖像傳感器
- IT之家 11 月 25 日消息,CMOS 圖像傳感器供應(yīng)商思特威(SmartSens)近期推出 8.3MP 車規(guī)級圖像傳感器新品 ——SC850AT。新品采用思特威 SmartClarity-2 成像技術(shù)架構(gòu)以及升級的自研 Raw 域算法,結(jié)合 SFCPixel、PixGain HDR 專利技術(shù)、LFS 技術(shù)等,帶來高分辨率、高感度、140dB 高動態(tài)范圍、以及出色的 LED 閃爍抑制性能等提升。此外作為 Automotive Sensor (AT) Series 系列新品,SC850AT 基于 ASI
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比亞迪半導(dǎo)體發(fā)布全局快門 CMOS 圖像傳感器芯片
- IT之家 9 月 10 日消息,近年來,CMOS 圖像傳感器在工業(yè)應(yīng)用中變得愈發(fā)重要。比亞迪半導(dǎo)體近日宣布推出一款工業(yè)級全局快門 CMOS 圖像傳感器芯片 ——BF3031。BF3031 是比亞迪半導(dǎo)體采用 Global shutter 技術(shù)研發(fā)生產(chǎn)的一款 1/3 英寸的 50 萬像素圖像傳感器芯片,支持并行和 MIPI 數(shù)字輸出接口,有效像素陣列為 838×640,最大幀速率為 120fps@full。比亞迪半導(dǎo)體表示,相較于 Rolling shutter,Global shutter 可有效解決物體
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豪威發(fā)布超小尺寸全局快門圖像傳感器
- IT之家 8 月 25 日消息,當(dāng)?shù)貢r間 8 月 24 日,豪威集團(tuán)宣布發(fā)布了業(yè)界首款也是唯一一款三層堆疊式 BSI 全局快門(GS)圖像傳感器 OG0TB?! 『劳硎荆@款超小尺寸圖像傳感器用于 AR / VR / MR 和 Metaverse(元宇宙)消費設(shè)備中的眼球和面部跟蹤,封裝尺寸僅為 1.64 毫米 ×1.64 毫米,采用 2.2 微米像素尺寸和 1/14.46 英寸光學(xué)格式(OF)?! 〈送猓@款 CMOS 圖像傳感器具有 400×400 分辨率和超低功耗。豪威數(shù)據(jù)顯示,OG0TB BS
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長光辰芯發(fā)布GMAX4002全局快門近紅外增強CMOS圖像傳感器
- IT之家 11 月 10 日消息,長光辰芯宣布推出 GMAX 系列最新產(chǎn)品- GMAX4002,進(jìn)一步豐富 GMAX 小面陣 CMOS 產(chǎn)品線,為小面陣工業(yè)相機提供更多選擇。GMAX4002 采用 4um 電荷域全局快門像素設(shè)計,有效分辨率為 2048 (H) x 1200 (V),可以被廣泛用于定位、檢測、識別等多種視覺應(yīng)用場景,同時也是讀碼器、ANPR 等應(yīng)用的理想選擇。 得益于 4um 像素設(shè)計,GMAX4002 滿阱容量為 12 ke-,讀出噪聲小于 2.3e-,使得其最大動態(tài)范圍為 68.
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ADALM2000實驗:CMOS邏輯電路、D型鎖存器
- 本實驗活動的目標(biāo)是進(jìn)一步強化上一個實驗活動 “ADALM2000實驗:使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能” 中探討的CMOS邏輯基本原理,并獲取更多使用復(fù)雜CMOS門級電路的經(jīng)驗。具體而言,您將了解如何使用CMOS傳輸門和CMOS反相器來構(gòu)建D型觸發(fā)器或鎖存器。背景知識為了在本實驗活動中構(gòu)建邏輯功能,需要使用 ADALP2000 模擬部件套件中的CD4007 CMOS陣列和分立式NMOS和PMOS晶體管(ZVN2110A NMOS和ZVP2110A PMOS)。CD4007由3對互補MOSFET組成
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睿感(ScioSense)推出基于CMOS-MEMS工藝的單芯片壓力傳感器
- 荷蘭 埃因霍溫,中國 濟(jì)南,2022年11月15日——業(yè)界領(lǐng)先的環(huán)境和高精度流量和時間測量傳感芯片廠商睿感(ScioSense)今日宣布,推出采用緊湊型封裝的內(nèi)置溫度傳感器的超低功耗壓力傳感器--ENS220,可提供卓越的測量速度、分辨率和精度。 ENS220將在慕尼黑電子展(electronica,11月15-18日慕尼黑)B3.419號ScioSense展臺展出。 該傳感器采用業(yè)界主流的2.0mm×2.0mm尺寸LGA封裝,適用于移動設(shè)備和可穿戴設(shè)備,如智能手表和腕帶、GPS導(dǎo)航系
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FLIR CMOS 機器視覺攝像頭使數(shù)字熒光顯微鏡變得經(jīng)濟(jì)實惠
- Zaber Technologies 設(shè)計和制造經(jīng)濟(jì)實惠、集成且易于使用的精確定位和運動控制設(shè)備,適用于光子學(xué)和光學(xué)、生命科學(xué)、顯微鏡和工業(yè)自動化領(lǐng)域的應(yīng)用。其 MVR 電動倒置顯微鏡是一種可連續(xù)使用,且經(jīng)濟(jì)實惠的顯微鏡,降低了自動顯微成像的進(jìn)入壁壘,為研究人員節(jié)省了時間和金錢。降低壁壘Zaber 之所以能開發(fā)出經(jīng)濟(jì)實惠但性能強大的顯微鏡,方法之一是顯著簡化光程。通過取消兩個目鏡筒,僅靠 FLIR Blackfly USB3 攝像頭進(jìn)行圖像的觀察和捕獲,視覺系統(tǒng)設(shè)計人員得以取消顯微鏡中
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使用CD4007陣列構(gòu)建CMOS邏輯功能
- 本實驗活動的目標(biāo)是使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建各種CMOS邏輯功能。CD4007包含三對互補的NMOS和PMOS晶體管。使用CD4007晶體管陣列構(gòu)建反相器圖1顯示了CD4007的原理圖和引腳排列。圖1. CD4007 CMOS晶體管陣列引腳排列多達(dá)三個單獨的反相器可由一個CD4007封裝陣列構(gòu)建而成。第一個配置最簡單,如圖2所示,將引腳8和13連接在一起作為反相器輸出即可構(gòu)建。引腳6將作為輸入端。確保將引腳14(VDD)連接到電源,引腳7(VSS)連接到地。圖2. 三個反相器第二個反相器是通過將引腳2
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手機CMOS出貨 恐年年減
- 受到手機需求下滑、中國品牌取消主相機景深鏡頭影響,市調(diào)機構(gòu)Counterpoint表示,上半年手機CMOS影像傳感器出貨量比去年同期大減14%、只剩24億顆左右,雖然下半年手機CMOS出貨量有機會比上半年反彈5%~9%,然而在通膨、經(jīng)濟(jì)不景氣等影響下,預(yù)估全年出貨量仍會比去年下滑約1成,而在取消景深鏡頭已成業(yè)界共識下,明年CMOS影像傳感器出貨量恐較今年再減少。根據(jù)Counterpoint數(shù)據(jù)顯示,全球智能型手機上半年出貨量為6.21億支,比去年同期下滑8.4%,然而手機CMOS影像傳感器上半年出貨量卻年
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留住歷史,定格瞬間
- 光,是人類永恒的話題。當(dāng)80萬年前第一團(tuán)人造火在人類中生起,劇烈的氧化反應(yīng)為闃寂的黑夜中帶來了光與熱。從此,光與暗便有了區(qū)別,人類不用在寒冷的長夜中等待夜闌。光,將人類聚集在一起,它吸引人類,同時也引導(dǎo)人類,暗夜不再駭人,星空從此璀璨。不知何時,一個智人,在火光的照映下,抬頭仰望這星瀚?!拔沂钦l,我從哪里來,又要到那里去?”他無法回答這些問題,但是在這團(tuán)微弱火光之下,他已經(jīng)邁出了人類科學(xué)的第一步——好奇與思考。 “景。光之人,煦若射,下者之人也高;高者之人也下。足蔽下光,故成景于上
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如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
- 源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后,源極信號耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器(如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器)中常見的規(guī)格參數(shù),在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù),但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法,關(guān)斷隔離度定義為,開關(guān)關(guān)斷狀態(tài)下,耦合到漏極的源極的信號量。本文將討論如何從關(guān)斷隔離度推導(dǎo)出COUT,以及如何通過它來更有效地比較固態(tài)繼電器和CMOS開關(guān)的性能。這一點很重要,因為CMOS開關(guān)適合
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