d-mos 文章進(jìn)入d-mos技術(shù)社區(qū)

基于單片機(jī)的智能窗控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)方案

　　一、引言　　隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，家庭中的許多電器設(shè)備如彩電、冰箱、空調(diào)等都已貼上了智能化的標(biāo)簽，為提高人們的生活質(zhì)量做出了貢獻(xiàn)。但遺憾的是，居室的眼睛---窗戶，卻遲遲未跟上時(shí)代的步伐。即使是在眾多的智能化生活小區(qū)，我們都可以發(fā)現(xiàn)，幾乎所有的窗戶的管理仍然處在原始管理方式，與電子技術(shù)毫不沾邊，更不用說智能化了。如果使窗戶具有一定的智能，如下雨則自動(dòng)關(guān)、室內(nèi)有害氣體超標(biāo)則自動(dòng)開、有盜賊入內(nèi)則自動(dòng)報(bào)警等，就會(huì)給人們的居家生活帶來諸多方便，從而進(jìn)一步提高人們的生活質(zhì)量。　　
關(guān)鍵字： AT89C51 A/D 轉(zhuǎn)換

D/A與A/D轉(zhuǎn)換器你要知道的都在這里了

　　一、D/A轉(zhuǎn)換器的基本原理及分類　　T型電阻網(wǎng)絡(luò)D/A轉(zhuǎn)換器：　　　　二：輸出電壓與數(shù)字量的對(duì)應(yīng)關(guān)系　　　　三：D/A轉(zhuǎn)換器的主要性能指標(biāo) 　　1、分辨率　　分辨率是指輸入數(shù)字量的最低有效位(LSB)發(fā)生變化時(shí)，所對(duì)應(yīng)的輸出模擬量(電壓或電流)的變化量。它反映了輸出模擬量的最小變化值。　　分辨率與輸入數(shù)字量的位數(shù)有確定的關(guān)系，可以表示成FS / 2^n 。FS表示滿量程輸入值，n為二進(jìn)制位數(shù)。對(duì)于5V的滿量程，采用8位的DAC時(shí)，
關(guān)鍵字： D/A A/D

高手詳解，MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)

　　在使用MOS管設(shè)計(jì)開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候，大部分人都會(huì)考慮MOS管的導(dǎo)通電阻、最大電壓、最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的。　　下面是我對(duì)MOS及MOS驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié)，其中參考了一些資料。包括MOS管的介紹、特性、驅(qū)動(dòng)以及應(yīng)用電路。　　MOSFET管FET的一種(另一種是JEFT)，可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，
關(guān)鍵字： MOS MOS驅(qū)動(dòng)電路

恩智浦將分立器件與功率MOS業(yè)務(wù)出售給中國(guó)公司

　　半導(dǎo)體行業(yè)的重組還在繼續(xù)。恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)將把經(jīng)營(yíng)分立器件、邏輯芯片、功率MOS半導(dǎo)體等產(chǎn)品的標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門出售給中國(guó)的投資公司(英文發(fā)布資料)。　　標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品業(yè)務(wù)部門2015年財(cái)年的銷售額為12億美元，約占恩智浦總銷售額(61億美元)的2成。該部門約有員工1.1萬名，約為恩智浦總員工數(shù)量(4.5萬)的2.5成。　　出售金額約為27.5億美元，購(gòu)買方是北京建廣資產(chǎn)管理有限公司(簡(jiǎn)稱“建廣資產(chǎn)”)與Wise Road Capital兩家
關(guān)鍵字：恩智浦 MOS

教你如何選擇A/D芯片

　　A/D器件和芯片是實(shí)現(xiàn)單片機(jī)數(shù)據(jù)采集的常用外圍器件。A/D轉(zhuǎn)換器的品種繁多、性能各異，在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)時(shí)，首先碰到的就是如何選擇合適的 A/D轉(zhuǎn)換器以滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的問題。選擇A/D轉(zhuǎn)換器件需要考慮器件本身的品質(zhì)和應(yīng)用的場(chǎng)合要求，基本上，可以根據(jù)以下幾個(gè)方面的指標(biāo)選擇一個(gè)A/D 器件。　　　　(1)A/D轉(zhuǎn)換器位數(shù) 　　A/D轉(zhuǎn)換器位數(shù)的確定，應(yīng)該從數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的靜態(tài)精度和動(dòng)態(tài)平滑性這兩個(gè)方面進(jìn)行考慮。從靜態(tài)精度方面來說，要考慮輸入信號(hào)的原始誤差傳遞到輸出所產(chǎn)生的誤差
關(guān)鍵字： A/D 芯片

【E問E答】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞)，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。　　靜電放電形成
關(guān)鍵字： MOS 擊穿

一種簡(jiǎn)單的防短路的保護(hù)方法

　　前段時(shí)間開發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來說是一種效果不錯(cuò)的器件。　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電流也有最大限制，如果電流過大，比如外接負(fù)載短路，同樣會(huì)被燒毀。短路都是非正常工
關(guān)鍵字：防短路 MOS

場(chǎng)效應(yīng)晶體管的幾點(diǎn)使用知識(shí)

　　我們常接觸到晶體三級(jí)管，對(duì)它的使用也比較熟悉，相對(duì)來說對(duì)晶體場(chǎng)效應(yīng)管就陌生一點(diǎn)，但是，由于場(chǎng)效應(yīng)管有其獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，例輸入阻抗高，噪聲低，熱穩(wěn)定性好等，在我們的使用中也是屢見不鮮。我們知道場(chǎng)效應(yīng)晶體管的種類很多，根據(jù)結(jié)構(gòu)不同分為結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管;絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管又稱為金屬氧化物導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管，或簡(jiǎn)稱MOS場(chǎng)效應(yīng)管.　　1、如何防止絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管擊穿　　由于絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的輸入阻抗非常高，這本來是它的優(yōu)點(diǎn)，但在使用上卻帶來新的問題.由于輸入阻抗高，當(dāng)帶電荷物體一旦靠近柵極時(shí)，在柵極感應(yīng)出來的
關(guān)鍵字：場(chǎng)效應(yīng)晶體管 MOS

【E課堂】A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率和準(zhǔn)確度的區(qū)別

　　筆者與使用模數(shù)(A/D)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員聊天時(shí)，他們最常問的就是：“您的16位A/D轉(zhuǎn)換器準(zhǔn)確度也是16位嗎?” 　　　　要回答這個(gè)問題，關(guān)鍵在于從根本上理解分辨率和準(zhǔn)確度這兩個(gè)概念之間的區(qū)別。盡管這兩個(gè)術(shù)語是截然不同的，但它們卻經(jīng)常被混淆或互換使用。　　A/D轉(zhuǎn)換器的分辨率被定義為輸入信號(hào)值的最小變化，可通過一次計(jì)數(shù)改變數(shù)字輸出值。就理想的A/D轉(zhuǎn)換器而言，傳遞函數(shù)呈階梯狀，且每個(gè)步階寬度等于分辨率。但使用較高分辨率(16位或16位以上)的系
關(guān)鍵字： A/D 分辨率

深度分析MOS場(chǎng)效應(yīng)管在消費(fèi)類電子中的電路設(shè)計(jì)

　　當(dāng)我們還是學(xué)生的時(shí)候，不論從做題還是原理分析上,通常會(huì)重點(diǎn)學(xué)習(xí)NPN和PNP三極管的特性：靜態(tài)工作特性計(jì)算、動(dòng)態(tài)信號(hào)分析等等。對(duì)于MOS管，老師一般都會(huì)草草帶過，沒有那么深入的分析和了解，一般都會(huì)說MOS管和三極管的不同就是一個(gè)是電壓控制，一個(gè)是電流控制，一個(gè)Ri大，一個(gè)Ri小等等。除了這些明顯的特性，下文就從工作實(shí)戰(zhàn)的角度進(jìn)行MOS場(chǎng)效應(yīng)管的分析。　　首先我們來看下經(jīng)常使用的增強(qiáng)型mos場(chǎng)效應(yīng)管：N溝道和P溝道m(xù)os場(chǎng)效應(yīng)管。　　在消費(fèi)類電子設(shè)計(jì)中由于對(duì)功耗要求比較嚴(yán)格，通常使用N溝道和P溝道MOS
關(guān)鍵字： MOS 場(chǎng)效應(yīng)管

如何選擇A/D芯片

　　本文介紹了AD轉(zhuǎn)換器選用時(shí)應(yīng)注意的問題。　　A/D器件和芯片是實(shí)現(xiàn)單片機(jī)數(shù)據(jù)采集的常用外圍器件。A/D轉(zhuǎn)換器的品種繁多、性能各異，在設(shè)計(jì)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)時(shí)，首先碰到的就是如何選擇合適的A/D轉(zhuǎn)換器以滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)要求的問題。選擇A/D轉(zhuǎn)換器件需要考慮器件本身的品質(zhì)和應(yīng)用的場(chǎng)合要求，基本上，可以根據(jù)以下幾個(gè)方面的指標(biāo)選擇一個(gè)A/D器件。　　(1)A/D轉(zhuǎn)換器位數(shù) 　　A/D轉(zhuǎn)換器位數(shù)的確定，應(yīng)該從數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的靜態(tài)精度和動(dòng)態(tài)平滑性這兩個(gè)方面進(jìn)行考慮。從靜態(tài)精度方面來說，要考慮輸入信號(hào)的原始誤差傳遞到
關(guān)鍵字： A/D

怎樣正確使用MOS 集成電路

　　所有MOS集成電路(包括P溝道MOS，N溝道MOS，互補(bǔ)MOS—CMOS集成電路)都有一層絕緣柵，以防止電壓擊穿。一般器件的絕緣柵氧化層的厚度大約是25nm50nm80nm三種。在集成電路高阻抗柵前面還有電阻——二極管網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行保護(hù)，雖然如此，器件內(nèi)的保護(hù)網(wǎng)絡(luò)還不足以免除對(duì)器件的靜電損害(ESD)，實(shí)驗(yàn)指出，在高電壓放電時(shí)器件會(huì)失效，器件也可能為多次較低電壓放電的累積而失效。按損傷的嚴(yán)重程度靜電損害有多種形式，最嚴(yán)重的也是最容易發(fā)生的是輸入端或輸出端的完全破壞以至于與
關(guān)鍵字： MOS 集成電路

到底什么是fmax講解

　　簡(jiǎn)介：今天一個(gè)剛剛?cè)胄械呐笥颜业轿艺f，他的老板給了他一個(gè)MOS管讓他測(cè)管子的fmax,幫他測(cè)完之后，他還問到怎么才能加大這個(gè)fmax~~想到自己也曾千辛萬苦的琢磨這個(gè)參數(shù)，就寫個(gè)短短的文章說一下fmax到底是什么和哪些參數(shù)有關(guān)。　　這兩個(gè)頻率都是晶體管的重要參數(shù)，無論BJT還是MOS，也決定了將來電路能工作到的最大頻率(當(dāng)然這個(gè)最大頻率是絕對(duì)不可能到fmax和ft的)。這兩個(gè)頻率其實(shí)離得不遠(yuǎn)，那他們有什么差別呢：ft是用電流增益來定義的，fmax是用最大功率增益來定義的，千萬別弄混了哦。下圖是一
關(guān)鍵字： MOS fmax

一種簡(jiǎn)單的防短路保護(hù)方法

　　簡(jiǎn)介：注釋：靜電損壞器件是擊穿，和燒毀是兩個(gè)概念，不要混淆在一起。　　前段時(shí)間開發(fā)了一個(gè)產(chǎn)品，由單片機(jī)控制對(duì)負(fù)載供電，滿負(fù)載時(shí)基準(zhǔn)電流為800毫安，程序提供不同的供電模式，具體是由單片機(jī)輸出一個(gè)PWM信號(hào)控制MOS管，從而按要求調(diào)整工作電流。我們知道MOS管導(dǎo)通時(shí)內(nèi)阻非常小，我們所用的型號(hào)約為0.1歐姆的樣子，這樣正常工作時(shí)上面最大壓降非常小，只有800毫安*0.1歐姆=0.08伏，上面的功率損耗為0.064瓦，對(duì)于電源控制來說是一種效果不錯(cuò)的器件。　　雖然MOS管導(dǎo)通內(nèi)阻非常小，但所流過的電
關(guān)鍵字：靜電損壞 MOS

低待機(jī)功耗電源方案選擇

　　歐盟EUP環(huán)保指令你知道嗎?你知道此指令對(duì)靜態(tài)能耗有什么要求嗎?我們產(chǎn)品上需要怎樣應(yīng)對(duì)呢?下面給你解決此問題的電源供電方案。　　2009年1月6日，歐盟電子類產(chǎn)品待/關(guān)機(jī)模式之EuP能耗指令執(zhí)行措施已正式生效，其生態(tài)化設(shè)計(jì)要求與去年7月經(jīng)歐盟生態(tài)化設(shè)計(jì)管理委員會(huì)批準(zhǔn)的工作草案相同。廠商需在2010年1月6日前達(dá)到第一階段的要求，2013年1月6日達(dá)到第二階段要求。　　　　圖1 Eup圖標(biāo) 　　我們來了解一下EuP能耗指令第二階段的具體要求，　　1、產(chǎn)品在關(guān)機(jī)或待機(jī)
關(guān)鍵字： MOS AC-DC