首頁  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會展  EETV  百科   問答  電路圖  工程師手冊   Datasheet  100例   活動中心  E周刊閱讀   樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

南亞科技9月下半月將把芯片價格上調(diào)10%

  •   9月18日消息 據(jù)華爾街日報導(dǎo)報,南亞科技發(fā)言人白培霖周五稱,因個人電腦銷售旺盛,繼續(xù)帶動DRAM芯片需求,公司將把9月下半月的動態(tài)隨機(jī)存儲(DRAM)芯片價格較上半月上調(diào)10%。   白培霖表示,公司幾乎已經(jīng)達(dá)成了下半月的所有交易,由此可見需求之旺盛。南亞科技每月與個人電腦制造商進(jìn)行兩次DRAM芯片價格談判。   白培霖還稱,南亞科技9月上半月將DRAM芯片價格較8月末上調(diào)了15%,公司目前的芯片平均售價約為2美元,高于其現(xiàn)金成本。   但白培霖稱,南亞科技仍然不太可能在本季度扭虧為盈。該公司
  • 關(guān)鍵字: 南亞科技  DRAM  

DRAM廠和模塊廠誤判情勢 DDR2供貨吃緊

  •   2009年面臨DDR2和DDR3規(guī)格交替之際,各廠紛紛壓寶氣勢如虹的DDR3氣勢,DDR2飽受冷板凳之苦許久,然現(xiàn)在風(fēng)水輪流轉(zhuǎn),DDR2受到供給減少、PC大廠又回頭青睞之故,市場意外出現(xiàn)缺貨聲浪,DRAM廠和模塊廠雙雙感嘆誤判形勢,導(dǎo)致現(xiàn)在DDR2庫存過低,南亞科副總白培霖即指出,DDR2在10月之后,缺貨問題將更明顯浮上臺面,且由合約價蔓延至現(xiàn)貨價,屆時1Gb DDR2現(xiàn)貨價格將看到2美元。   近期市場傳言,三星電子(Samsung Electronics)有意將1Gb DDR2價格壓在1.7美
  • 關(guān)鍵字: Samsung  DRAM  NAND  

全球IC市場V形反彈已啟動 增長勢頭將延續(xù)至2011年

  •   市場研究公司IC Insights表示,今年1月到7月NAND flash銷售額和出貨量分別增長98%和67%,其他產(chǎn)品的業(yè)績數(shù)據(jù)也十分健康,這說明產(chǎn)業(yè)已調(diào)頭撞向V形反彈的上升階段。   從今年1月到7月,IC市場銷售額增長了43%,DRAM、MPU、模擬電路銷售額分別增長61%、57%和50%。   爆炸式的增長率當(dāng)然也與今年1月半導(dǎo)體市場業(yè)績達(dá)到此輪衰退的最低點有關(guān)。   “IC產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇并不會是緩慢的,而是V形增長,目前上升周期已經(jīng)開始。”IC Insights分析師
  • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND  MPU  模擬電路  

三星電子半導(dǎo)體部門第3季營業(yè)利益重回1兆韓元大關(guān)

  •   三星電子(Samsung Electronics)半導(dǎo)體部門可望再創(chuàng)2年9個月來未見的1兆韓元(約8.2億美元)營業(yè)利益。據(jù)韓國證券業(yè)與相關(guān)業(yè)者表示,三星電子2009年第3季合并營業(yè)利益推估可落在3.7兆~3.8兆韓元間,且可能超越上述區(qū)間。   三星電子2004年第1季創(chuàng)下最大營業(yè)利益4.01兆韓元,其中半導(dǎo)體部門營業(yè)利益為1.78兆韓元,通訊部門則是1.257兆韓元,占公司整體營業(yè)利益大半。三星半導(dǎo)體事業(yè)更在2004年第2季創(chuàng)下史上最大營業(yè)利益2.15兆韓元,占整體單季營業(yè)利益(3.773兆韓元
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  LCD  

海力士第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈

  •   韓國半導(dǎo)體廠商海力士(Hynix)2009年第3季創(chuàng)下2,000億韓元(約1.63億美元)的營業(yè)利益,破除2007年第3季以來連續(xù)8季虧損魔咒。海力士在全球DRAM市場繼三星電子(Samsung Electronics)之后第2家轉(zhuǎn)虧為盈的廠商。   據(jù)業(yè)界預(yù)測,2009年第2季營業(yè)虧損2,110億韓元的海力士,2009年第3季可望轉(zhuǎn)虧為盈,落在2,000億韓元左右,接近2007年第3季營業(yè)利益2,540億韓元規(guī)模,而在2007年第3季以后,三星已連續(xù)7季營運(yùn)呈現(xiàn)虧損。   分析指出,海力士營運(yùn)改
  • 關(guān)鍵字: Hynix  DRAM  50納米  

南科:資金陸續(xù)到位 制程轉(zhuǎn)換進(jìn)度無虞

  •   景氣轉(zhuǎn)好,近期科技業(yè)聯(lián)貸案陸續(xù)通過,合約DRAM大廠南科150億元(新臺幣,下同)聯(lián)貸案也可望于9月底通過,加上6月時私募120億元,以及年底可能再辦約100多億元的現(xiàn)增案,南科銀彈滿滿,轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程進(jìn)度已經(jīng)無虞。   日前奇美電聯(lián)貸案金額不斷往上追加,原應(yīng)在8月結(jié)案,順延到9月上旬,金額也由最初預(yù)定的300億元規(guī)模,被聯(lián)貸銀行團(tuán)超額認(rèn)購到422億元,最后以400億元結(jié)案。顯見隨景氣轉(zhuǎn)好,銀行團(tuán)原本緊縮的態(tài)度,也逐漸放松。而南科150億元聯(lián)貸案,預(yù)計將在9月底登場。據(jù)銀行端消息透露,最晚第四季就
  • 關(guān)鍵字: 南科  DRAM  68納米  

存儲器產(chǎn)業(yè)可望出現(xiàn)DRAM、NAND Flash雙好行情

  •   DRAM價格趨于穩(wěn)定,1Gb容量提前在9月初站上1.7美元,臺廠面對這樣美好的光景,心中還是有些疑慮,擔(dān)心三星電子(Samsung Electronics)會從中作梗,破壞DRAM價格漲勢,然現(xiàn)在蘋果(Apple)強(qiáng)勁追加NAND Flash訂單,且隨著智能型手機(jī)價格平民化的趨勢,未來內(nèi)建高容量存儲器普及,都讓各界相當(dāng)看好2010年NAND Flash市場前景,三星在喜迎蘋果大單之余,也無暇與臺系DRAM廠廝殺,暌違多年的DRAM和NAND Flash雙好行情可望再現(xiàn)。   2009 年存儲器產(chǎn)業(yè)觸
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  NAND  存儲器  

施顏祥:處理TMC 著眼技術(shù)生根

  •   臺灣新任“經(jīng)濟(jì)部長”施顏祥11日強(qiáng)調(diào),成立TMC的時空環(huán)境在變,當(dāng)時規(guī)劃時全球DRAM產(chǎn)業(yè)正處嚴(yán)峻狀態(tài),現(xiàn)在已稍微舒緩;他將以技術(shù)生根臺灣理念來處理TMC的后續(xù)問題。   施顏祥說,現(xiàn)在很難說TMC政策到底要不要調(diào)整,他會在下周聽取工業(yè)局簡報,了解TMC政策推動進(jìn)度與細(xì)節(jié),再決定未來怎么做,原則上還是會以技術(shù)生根角度處理TMC的問題。   施顏祥臨危受命接下“經(jīng)濟(jì)部”重?fù)?dān),未來不僅要面對TMC政策衍生的爭議,還有即將來臨的兩岸洽簽ECFA(經(jīng)濟(jì)合作架
  • 關(guān)鍵字: TMC  DRAM  

全球DRAM業(yè)僅韓廠賺錢

  •   盡管近期DRAM價格大幅反彈,但估計2009年第3季仍僅有韓系兩大廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)可以賺錢,2010年再輪到美光(Micron)和爾必達(dá)(Elpida)轉(zhuǎn)虧為盈,至于臺廠方面,由于 2010年三星制程技術(shù)將晉級到40納米,以目前臺廠腳步,未來恐將會有多家大廠被迫淡出標(biāo)準(zhǔn)型DRAM市場。   DRAM價格雖已開始反彈,然復(fù)原最快廠商仍是三星,第2季已開始賺錢,預(yù)計第3季三星和海力士兩大韓廠都可望進(jìn)入獲利,隨著DRAM產(chǎn)業(yè)逐步復(fù)蘇,美光和爾必達(dá)2
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  40納米  晶圓代工  

高盛:未來半年 看好DRAM更勝TFT LCD產(chǎn)業(yè)

  •   Window 7將在下個月上市,觸控面板成為主打商機(jī)。不過,今天高盛出具的產(chǎn)業(yè)報告卻是指出未來3~6個月看好DRAM更勝于面板(TFT LCD)。高盛認(rèn)為,今年TFT LCD的價格在9月已經(jīng)到頂,因為10月回補(bǔ)庫存結(jié)束。而在DRAM方面,據(jù)了解,國內(nèi)最早切入DDR3 NB的宏碁,目前搭載DDR3產(chǎn)品的出貨占五成。   臺灣NB大廠宏碁,在本周一推出的六款全新Aspire ULV NB,該六款NB也都搭載2G DDR3,顯示DDR3在NB的使用也逐漸擴(kuò)大。而優(yōu)群目前連接器方面已經(jīng)準(zhǔn)備因應(yīng)未來DDR3的
  • 關(guān)鍵字: 高盛  DRAM  觸控面板  

40nm工藝帶來全新競爭力

  •   全球能源問題的集中爆發(fā),讓半導(dǎo)體產(chǎn)品的發(fā)展不再僅僅追求性能的提升,而是要綜合考慮性能、功耗與成本的平衡點。與眾多先進(jìn)電源管理方案實現(xiàn)降低系統(tǒng)功耗相比,制程工藝的進(jìn)步才是提升性能和降低功耗最根本的辦法,轉(zhuǎn)向更高制程無疑是提升半導(dǎo)體產(chǎn)品性能功耗比和市場競爭力最直接有效的辦法。   市場研究機(jī)構(gòu)Gartner Dataquest產(chǎn)業(yè)分析師Kay-Yang Tan表示,過去數(shù)十年來,集成器件制造商(IDM)在工藝技術(shù)及服務(wù)的創(chuàng)新方面扮演領(lǐng)航者的角色,未來也將繼續(xù)在新一代產(chǎn)品的開發(fā)上扮演重要的角色。同時,專業(yè)
  • 關(guān)鍵字: 臺積電  DRAM  40nm  45nm  200909  

三星電子計劃將DRAM生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓

  •   韓國三星電子計畫于今年10月底前停止使用8寸晶圓生產(chǎn)DRAM,將DRAM的生產(chǎn)全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓,以藉由使用產(chǎn)能效率較高的大尺寸晶圓來提高DRAM的成本競爭力。   報導(dǎo)指出,三星電子計畫于10月底前停止在美國德州奧斯丁(Austin)半導(dǎo)體工廠內(nèi)生產(chǎn)使用8寸晶圓的DRAM,加上三星電子已于今年初停止京畿道華城工廠的8寸晶圓DRAM生產(chǎn),故待奧斯丁工廠停止生產(chǎn)后,三星電子的DRAM生產(chǎn)將全數(shù)轉(zhuǎn)為使用12寸晶圓。   彭博社曾于日前轉(zhuǎn)述韓國網(wǎng)路媒體“E-Daily”報導(dǎo)指
  • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  晶圓  NAND  

上半年臺灣四大內(nèi)存廠商共虧555億新臺幣

  •   9月2日消息,據(jù)臺灣媒體報道,茂德昨公布今年上半年財報,稅后凈損109.78億元,僅次于力晶的稅后凈損180.61億元,四家DRAM廠上半年共虧555億元,平均每天虧損3.04億元。   茂德上半年營收僅35.5億元,比去年同期大幅衰退近八成,營業(yè)毛損124.2億元,毛利率負(fù)314%,較去年同期負(fù)56.4%大幅增加,營業(yè)虧損139.9億元,稅后凈損109.8億元,每股凈損1.51元。   茂德第二季營收21.37億元,營業(yè)毛損54.6億元,毛利率為負(fù)255%,營業(yè)虧損61.61億元,稅后凈損23.
  • 關(guān)鍵字: 茂德  DRAM  

德州儀器有意1.725億美元收購奇夢達(dá)

  •   據(jù)國外消息報道,法庭文件顯示,德州儀器計劃斥資1.725億美元收購奇夢達(dá)旗下申請破產(chǎn)的美國子公司。   眾所周知,德州儀器是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商,設(shè)計并生產(chǎn)模擬器件,數(shù)字信號處理(DSP)以及微控制器(MCU)半導(dǎo)體芯片,是模擬器件解決方案和數(shù)字嵌入及應(yīng)用處理半導(dǎo)體解決方案的專家,而奇夢達(dá)是全球第四大DRAM芯片制造商,其產(chǎn)品主要應(yīng)用于PC;受產(chǎn)品價格劇跌和全球融資緊縮拖累,奇夢達(dá)于今年1月份申請破產(chǎn)。今年2月份,QimondaRichmond與奇夢達(dá)旗下另一子公司一同申請了破產(chǎn)保護(hù)。Qimond
  • 關(guān)鍵字: 德州儀器  DSP  MCU  DRAM  

TMC成立 DRAM四大陣營競爭態(tài)勢即將成型

  •   近期爾必達(dá)(Elpida)陸續(xù)發(fā)布與臺灣創(chuàng)新記憶體公司(TMC)相關(guān)的訊息,似乎也意味TMC正式營運(yùn)的日子已越來越近。市調(diào)機(jī)構(gòu)拓墣產(chǎn)業(yè)研究所(TRI)表示,TMC成立后,全球DRAM產(chǎn)業(yè)將進(jìn)入TMC/爾必達(dá)、臺塑集團(tuán)/美光(Micron)、三星(Samsung)、海力士(Hynix)等四大聯(lián)盟相互競爭的態(tài)勢。   爾必達(dá)社長(土反)本幸雄日前于股東會中指出,TMC對爾必達(dá)的出資比重預(yù)估將為9.5%;爾必達(dá)預(yù)計于2009年度 (2009年4月~2010年3月)內(nèi)以第三者配額增資的方式自TMC取得200
  • 關(guān)鍵字: 爾必達(dá)  DRAM  
共1827條 99/122 |‹ « 97 98 99 100 101 102 103 104 105 106 » ›|

dram 介紹

DRAM(Dynamic Random-Access Memory),即動態(tài)隨機(jī)存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以 必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快,在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473