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DRAM齊備庫(kù)存迎接下半年旺季作多心態(tài)濃厚

  • 　　國(guó)際DRAM廠供應(yīng)貨源不足因應(yīng)旺季需求 OEM廠轉(zhuǎn)向臺(tái)廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)。由于OEM計(jì)算機(jī)大廠擔(dān)心進(jìn)入下半年產(chǎn)業(yè)旺季后，目前庫(kù)存貨源可能不敷使用，近期紛紛開(kāi)始增加對(duì)DRAM廠下單，惟國(guó)際DRAM廠已陸續(xù)轉(zhuǎn)移產(chǎn)能生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型DRAM顆粒以外的產(chǎn)品，因此供貨情況未能滿足國(guó)際OEM計(jì)算機(jī)廠需求，為此，OEM計(jì)算機(jī)廠也轉(zhuǎn)向臺(tái)灣DRAM廠尋求產(chǎn)能支應(yīng)，且以過(guò)去主力供應(yīng)現(xiàn)貨市場(chǎng)的DRAM廠為主，據(jù)傳訂單數(shù)量相當(dāng)驚人。  　　TRI觀點(diǎn)：以產(chǎn)業(yè)鏈各廠商的動(dòng)態(tài)來(lái)觀察DRAM產(chǎn)業(yè)目前上下游市況如下： 　　
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臺(tái)灣DRAM廠商第二季財(cái)報(bào)多數(shù)將會(huì)出現(xiàn)赤字

  •     DRAM廠商第2季財(cái)報(bào)恐多出現(xiàn)赤字，早盤(pán)股價(jià)紛紛拉回修正，盤(pán)中力晶、南科、茂德跌幅均超過(guò)1%以上，茂硅一度跌停。      據(jù)港臺(tái)媒體報(bào)道，DRAM 價(jià)格第 2 季處于低檔，在美光(Micron)上周公布年度第 3 季(4 月至 6 月)會(huì)計(jì)盈轉(zhuǎn)虧，稅后虧損 1.28 億美元、每股虧損 0.2&nbs
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DRAM晶圓廠商態(tài)度轉(zhuǎn)硬　出貨報(bào)價(jià)決不妥協(xié)

  • 　　進(jìn)入第二季底，多數(shù)DRAM廠原本為應(yīng)對(duì)季底作帳而壓低DRAM報(bào)價(jià)，不過(guò)，由于日前合約價(jià)公布后竟逆勢(shì)上漲1～3%，讓所有DRAM廠吃下定心丸，不再擔(dān)心DRAM現(xiàn)貨價(jià)恐將因DRAM廠拋貨而產(chǎn)生跌價(jià)壓力。DRAM渠道商指出，現(xiàn)在DRAM廠態(tài)度可說(shuō)是相當(dāng)強(qiáng)硬，客戶(hù)端若無(wú)法接受其報(bào)出價(jià)位，寧可不賣(mài)也不愿壓低報(bào)價(jià)。  　　全球DRAM最新合約價(jià)公布后，盡管無(wú)法達(dá)到DRAM廠原本希望上調(diào)到3～5%的幅度，但部份OEM電腦大廠已接受DRAM廠上調(diào)1～3%的事實(shí)，而DRAM廠之所以能順勢(shì)漲價(jià)，最重要因素在于目
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DDRII需求過(guò)于樂(lè)觀　導(dǎo)致DDR供應(yīng)出現(xiàn)缺口

  •     5月26日消息，近幾個(gè)月以來(lái)，全球DRAM大廠為配合英特爾（Intel）及國(guó)際計(jì)算機(jī)大廠全力推動(dòng)DDRII成為下一世代的計(jì)算機(jī)主流架構(gòu)，紛紛加速將產(chǎn)能轉(zhuǎn)換至DDRII，因而造成DDR產(chǎn)出量迅速下滑。也由于計(jì)算機(jī)大廠對(duì)于DDRII做出“過(guò)于樂(lè)觀”的錯(cuò)誤判斷，反而需回頭向中國(guó)臺(tái)灣DRAM廠采買(mǎi)更多的DDR顆粒以因應(yīng)市場(chǎng)需求。  　　DRAM廠指出，過(guò)去幾個(gè)月以來(lái)，戴爾（Dell）、惠普（HP）等個(gè)人計(jì)算機(jī)（PC）大廠，對(duì)于推升DDRII成為市場(chǎng)主流的態(tài)度越來(lái)越積
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臺(tái)灣DRAM晶圓產(chǎn)業(yè)高層人事變動(dòng)近期趨頻繁

  •     近來(lái)臺(tái)灣DRAM晶圓廠人事異動(dòng)頻繁，包括華邦電（2344）原記憶體事業(yè)部資深高階主管王其國(guó)，以及力晶（5346）原創(chuàng)始元老曾邦助，都相繼轉(zhuǎn)換跑道，為其他DRAM業(yè)者效力，加上華邦電近半年來(lái)亦出現(xiàn)研發(fā)人員流動(dòng)率偏高情況，DRAM業(yè)界多認(rèn)為，盡管人員流動(dòng)不至于影響DRAM廠既有運(yùn)作，但仍凸顯出DRAM產(chǎn)業(yè)高度不確定及不穩(wěn)定特性。   　華邦電發(fā)言人溫萬(wàn)壽19日表示，王其國(guó)原任華邦電BG2（Business Group 2）事業(yè)群總經(jīng)
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半導(dǎo)體分析師認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌將減緩

  •  根據(jù)彭博資訊(Bloomberg)，證券業(yè)者花旗集團(tuán)旗下半導(dǎo)體分析師，宣布將DRAM業(yè)者包括美光集團(tuán)科技(Micron)、英飛凌(Infineon)與南亞科技等的股票投資評(píng)等調(diào)高，理由是認(rèn)為DRAM價(jià)格下跌的狀態(tài)將開(kāi)始減緩。     據(jù)了解，花旗將Infineon和南亞科技的評(píng)等由“持有”調(diào)高至“買(mǎi)進(jìn)”，Micron和茂德(PronMOS)則由“賣(mài)出”調(diào)高至“持有”，韓國(guó)三星電子評(píng)等維持不變?cè)凇俺钟小?。分析師指出，價(jià)格可能在下個(gè)月或其后一個(gè)約觸底，而全球
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300mm線建設(shè)今年掀高潮

  • 2005年3月A版    盡管2005年世界半導(dǎo)體業(yè)的銷(xiāo)售值勢(shì)比上年大幅下降，但銷(xiāo)量將繼續(xù)快速增長(zhǎng)。為迎接這一需求，2005年300mm晶圓片生產(chǎn)線將加速建設(shè)。據(jù)iSuppli公司預(yù)測(cè)，當(dāng)年將共建成16條生產(chǎn)線，比2003和2004年所建線加在一起還多。    2005年建設(shè)高潮是經(jīng)歷多年才形成的。早在1998年建成的300mm線，其回報(bào)在2001年經(jīng)濟(jì)衰退中受到嚴(yán)重打擊，可執(zhí)著堅(jiān)持的公司卻在2004年半導(dǎo)體市場(chǎng)再創(chuàng)新高時(shí)獲得豐厚回報(bào)。 
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英飛凌在DRAM溝槽技術(shù)中取得重大突破

  • 　　英飛凌科技公司在2004年IEEE（電子和電氣工程師學(xué)會(huì)　2004年12月13～15日于美國(guó)舊金山舉行）國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上，展示了該公司具有高生產(chǎn)性的、適合未來(lái)DRAM產(chǎn)品的70 nm工藝技術(shù)，此技術(shù)以在300 mm晶圓上的深溝（DT）單元為基礎(chǔ)。目前全球25％的DRAM生產(chǎn)都是以溝槽技術(shù)為基礎(chǔ)的。在其報(bào)告中，英飛凌闡述了全部集成計(jì)劃和主要技術(shù)特征――包括首次在基于溝槽技術(shù)的DRAM生產(chǎn)流程中使用高介電常數(shù)物質(zhì)。英飛凌70 nm DRAM程序堪稱(chēng)重大技術(shù)突破，顯示了溝槽技術(shù)的可伸縮性。
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上半年全球DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)66% 中國(guó)成決定因素

  • 　　iSuppli最新發(fā)布的報(bào)告指出，今年上半年全球DRAM市場(chǎng)規(guī)模比去年同期增長(zhǎng)66%，中國(guó)市場(chǎng)增長(zhǎng)88%，其次為亞太地區(qū)(不含中國(guó))的81%。日本經(jīng)濟(jì)情況改善，其DRAM銷(xiāo)售增 長(zhǎng)70%。美國(guó)僅僅增長(zhǎng)48%，遠(yuǎn)不及全球的66%。  　　　在主要供貨商方面，Hynix、Elpida Memory與大部份臺(tái)灣地區(qū)供貨商在上半年的占有率都比去年有所增長(zhǎng)；而三星、美光與英飛凌的市場(chǎng)份額則在下降。中國(guó)是全球增長(zhǎng)最迅速的DRAM市場(chǎng)，Hynix是該地區(qū)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，市場(chǎng)占有率高達(dá)42%，去年同期為40%。
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美商凱創(chuàng)獲獎(jiǎng)入侵偵測(cè)系統(tǒng)Dragon新版問(wèn)世

  • 企業(yè)網(wǎng)路設(shè)備廠商 - 美商凱創(chuàng)(Enterasys Networks)表示，日內(nèi)發(fā)表其獲獎(jiǎng)產(chǎn)品Dragon入侵偵測(cè)系統(tǒng)（Intrusion Detection System；IDS）的最新版本。Dragon 5在其基礎(chǔ)架構(gòu)中加入更好的延展性、可用性與彈性，以強(qiáng)化企業(yè)網(wǎng)路的安全
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1993年，第一塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功

  • 　　1993年，第一塊256K DRAM在中國(guó)華晶電子集團(tuán)公司試制成功。
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1985年，第一塊64K DRAM在無(wú)錫國(guó)營(yíng)742廠試制成功

  • 　　1985年，第一塊64K DRAM在無(wú)錫國(guó)營(yíng)742廠試制成功。
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dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以 必須隔一段時(shí)間刷新（refresh）一次，如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新，存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 它的存取速度不快，在386、486時(shí)期被普遍應(yīng)用。 動(dòng)態(tài)RAM的工作原理 動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列來(lái)組 [ 查看詳細(xì) ]

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