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富通微電與南亞簽署協(xié)議 了結(jié)芯片專利糾紛
- 據(jù)道瓊斯通訊社報道，南通富士通微電子股份有限公司（Nantong Fujitsu Microelectronics Co.， 簡稱：富通微電）和南亞科技（Nanya Technology Corp.， ）周二表示，雙方簽署了一份專利許可協(xié)議，以解決雙方圍繞動態(tài)隨機存儲器（Dynamic Random Access Memory， DRAM芯片）的專利糾紛。 兩公司發(fā)表聯(lián)合公告表示，根據(jù)協(xié)議，南通富士通微電子股份有限公司母公司富士通（Fujitsu Ltd.， ）將撤回要求法院禁止南亞科技DRAM
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奇夢達為PS3計算機娛樂系統(tǒng)量產(chǎn)Rambus XDR DRAM
- 奇夢達公司與專精于高速內(nèi)存架構(gòu)的全球領(lǐng)先的技術(shù)授權(quán)公司Rambus共同宣布奇夢達已開始為PLAYSTATION 3（PS3）計算機娛樂系統(tǒng)量產(chǎn)出貨XDR DRAM. 奇夢達的第一批512 Mb XDR DRAM樣本已于2008年1月開始出貨。 XDR內(nèi)存解決方案拓展了奇夢達的利基型內(nèi)存（specialty RAM portfolio）產(chǎn)品布局，能滿足全球快速成長的計算機和消費電子產(chǎn)品市場對高效能及高頻寬的應(yīng)用需求。 XDR內(nèi)存架構(gòu)能支持高容量且具有成本競爭力的應(yīng)用。奇夢達XDR DRAM
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臺灣力晶半導體或推遲新工廠設(shè)備安裝
- 臺灣力晶半導體表示，由于晶片價格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。 綜合外電8月27日報道，力晶半導體股份有限公司（5346.OT）發(fā)言人譚仲民27日表示，由于晶片價格下跌，公司很可能推遲兩家新12英寸晶片廠的設(shè)備安裝。以收入計，力晶半導體是臺灣最大的動態(tài)隨機存儲器（DRAM）晶片生產(chǎn)商。 力晶半導體原計劃于2009年第三季度臺灣北部新竹的兩家工廠建設(shè)完工后開始安裝新設(shè)備。 譚仲民稱，由于市場狀況較差，目前看來公司可能會在2009年第四季度或2010年年初開始安裝設(shè)
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日本對現(xiàn)代半導體征收反補貼關(guān)稅降為9.1%
- 當?shù)貢r間本周五，路透社披露消息稱，日本計劃削減韓國儲存芯片廠商現(xiàn)代半導體在日本銷售DRAM芯片征收反補貼關(guān)稅。 媒體援引日本經(jīng)濟、貿(mào)易和工業(yè)部提供的消息報道說，日本收取的進口反補貼關(guān)稅將從最初的27.2%削減為9.1%。 數(shù)年來，美國、歐盟和日本以儲存芯片競爭者提出抱怨為理由，對現(xiàn)代半導體和它的DRAM芯片征收了不同比例的關(guān)稅。抱怨者聲稱韓國政府向現(xiàn)代半導體提供了不公平的補貼，制約了市場的公平競爭。 今年三月，歐盟委員會正式采納了一項決定，取消進口現(xiàn)代半導體DRAM儲存芯片的反補貼關(guān)
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此消彼長 全球半導體投資格局風移亞洲
- 受半導體銷售增長放緩的影響，全球半導體投資緊縮。 據(jù)美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)的消息，由于內(nèi)存IC產(chǎn)業(yè)的拖累，預(yù)計2008年半導體銷售增長放緩，但整體半導體銷售額將在2011年以前保持強勁增長。 市場調(diào)研機構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報告，稱由于受到美國經(jīng)濟低迷和DRAM芯片市場拖累，預(yù)計2008年全球半導體廠商支出將下降19.8%，達475億美元。預(yù)計今年DRAM市場支出將減少47%，而整個存儲芯片市場費用支出將減少29。Gartner還稱，預(yù)計今年全球用于芯片設(shè)備制造開支將減
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。 三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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三星上半年閃存產(chǎn)品銷量居全球第一
- 新華網(wǎng)首爾8月20日電 韓國三星電子公司19日宣布，公司上半年閃存產(chǎn)品銷量位列全球第一。 三星公司援引市場研究公司iSuppli日前發(fā)表的一份報告稱，今年1至6月份，三星閃存產(chǎn)品銷售額達75.1億美元，占全球閃存市場的30%。 韓國海力士半導體公司位列第二，全球市場份額為13%，美國米克倫技術(shù)公司和日本的爾必達內(nèi)存公司分列第三、第四位，市場份額分別為8%和7%。 三星的成功主要源自NAND閃存產(chǎn)品的暢銷，第二季度該類產(chǎn)品銷售額達14.2億美元，占當季全球NAND閃存銷售的42.3%，
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2008年全球芯片與電子設(shè)備市場放緩
- 消費者已感受到經(jīng)濟增長放緩的壓力，全球半導體與電子設(shè)備供應(yīng)商也是如此。據(jù)iSuppli公司，這些廠商在2008年面臨需求增長放慢的局面。 在全球電子設(shè)備市場中，六大領(lǐng)域中的五個預(yù)計2008年增長率將低于2007年，這五個領(lǐng)域是：電腦，工業(yè)設(shè)備，汽車設(shè)備、有線通訊和無線通訊。這種全面放緩將導致2008年全球所有類型電子設(shè)備的OEM營業(yè)收入增長率降至5.9%，低于2007年時的7%。iSuppli公司以前預(yù)測2008年增長率為6.6%。 這將對半導體銷售產(chǎn)生負面影響。預(yù)計2008年
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全球半導體市場：上半年觸底，下半年反彈
- SIA發(fā)表研究報告指出，因受DRAM和內(nèi)存市場疲軟的影響，2008年全球半導體市場銷售額將為2666億美元，全年市場的增幅為4.3%。2009年增長率在6.0%以上，達2832億美元。2010年增長8.4%，達到3070億美元。到2011年增幅回落到6%，達到3241億美元。 IC Insights指出，2008年半導體廠平均產(chǎn)能利用率預(yù)計達到90%以上，而2007年的水平僅為89%。2008年集成電路的出貨量預(yù)計比2007年增加8%左右。 iSuppli表示，模擬芯片在未來五年內(nèi)
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半導體：前景依然看好 設(shè)備業(yè)表現(xiàn)堅挺
- 時光飛逝，轉(zhuǎn)眼2008年已過大半，對半導體業(yè)而言，7月底是個坎。大部分公司的季度財報公布后是有人歡喜，有人愁。如果認真地收集資料，再加以綜合分析，我們從中能看出些半導體業(yè)前景的端倪。 半導體設(shè)備業(yè)幸存者少毛利率高 全球著名的市場分析公司Gartner(高德納)最近調(diào)低了2008年半導體生產(chǎn)設(shè)備的銷售額預(yù)期，由447億美元下降到355億美元，下降幅度達20.6%，這也是近期少見的大震蕩。 競爭力維持高毛利率 SEMI(國際半導體設(shè)備與材料協(xié)會)總裁兼首
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半導體廠商收入排行榜 幾家歡喜幾家愁
- 市場調(diào)查公司IC Insights公布最新統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，今年一至六月份期間，在全球半導體廠商銷售收入排名中，英特爾以1750億美元的收入仍然保持全球第一。它的競爭者AMD以28.5億美元的收入下滑為第十五名。 調(diào)查公司表示，今年前半年，全球半導體市場的銷售收入比去年同期增長6%，前20家半導體廠商的收入同比增長了10%。銷售收入至少達到21億美元的廠商才能夠入圍前20家名單。在全球最高20家半導體提供商中（包括無工廠模式半導體廠商），美國公司占八家，日本占六家，三家歐洲公司和二家韓國公司，
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DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機
- 據(jù)國外媒體報道，人們現(xiàn)在可以歡呼DRAM內(nèi)存芯片的供過于求，雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價格。從積極的角度看，較低的內(nèi)存價格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多DRAM芯片，同時將促使DRAM制造商加快推出速度更快和更先進的第三代內(nèi)存芯片。 全球最大DRAM制造商三星電子公司相信，內(nèi)存價格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐，其速度將大大超過以往。就在三個月前，三星公司曾表示，由于價格疲弱，電腦標配內(nèi)存已從512M變成了1G。 目前，主流DRAM芯片為1G字
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臺灣內(nèi)存雙雄同時宣布暫緩擴產(chǎn)
- 臺灣最大兩家內(nèi)存芯片生產(chǎn)商日前均表示，行業(yè)的下滑趨勢讓他們?nèi)狈ΜF(xiàn)金，維持將推遲原定的擴產(chǎn)計劃。 力晶半導體(Powerchip)不但是臺灣最大的動態(tài)隨機存儲芯片(DRAM)生產(chǎn)商，也是業(yè)內(nèi)最積極興建新廠的廠商之一，但近日卻表示將把今年的資本投資額從新臺幣340億元(約11億美元)下調(diào)至240億元。與此同時，其對手南亞科技也預(yù)計今年的資本支出額會從原來預(yù)測的新臺幣300億元減少至230億元。 由于內(nèi)存芯片價格持續(xù)下滑，兩家公司已經(jīng)連續(xù)五個季度錄得凈虧損。這種下滑趨勢對一些內(nèi)存芯片
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虧損將導致廠商控制三季度DRAM內(nèi)存供貨量
- 7月6消息，據(jù)臺灣地區(qū)DRAM內(nèi)存廠商稱，由于全球大多數(shù)DRAM內(nèi)存廠商推遲建設(shè)新的工廠或者推遲實施其它擴大生產(chǎn)能力的計劃，今年第三季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)出貨量的增長率將受到限制。 DRAM內(nèi)存價格下降引起的虧損使許多DRAM內(nèi)存廠商暫停建設(shè)新的12英寸晶圓工廠，同時減少新的晶圓產(chǎn)量。臺灣地區(qū)的主要DRAM內(nèi)存廠商包括南亞科技、力晶半導體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內(nèi)存出貨量的增長率控制在50%至60%。據(jù)介紹，華亞科技2007年內(nèi)存出貨量的增長率是112%。力晶半導體20
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dram 介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]
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