新聞中心

EEPW首頁 > 網(wǎng)絡(luò)與存儲 > 業(yè)界動態(tài) > DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機

DRAM過剩為DDR3內(nèi)存加速普及帶來良機

作者: 時間:2008-07-30 來源:eNet 收藏
  據(jù)國外媒體報道,人們現(xiàn)在可以歡呼內(nèi)存芯片的供過于求,雖然它影響了一些公司和它們的庫存產(chǎn)品價格。從積極的角度看,較低的內(nèi)存價格正在刺激電腦制造商在新機器上安裝更多芯片,同時將促使制造商加快推出速度更快和更先進的第三代內(nèi)存芯片。

  全球最大DRAM制造商三星電子公司相信,內(nèi)存價格下跌將加快業(yè)界采用更大字節(jié)容量DRAM芯片的步伐,其速度將大大超過以往。就在三個月前,三星公司曾表示,由于價格疲弱,電腦標配內(nèi)存已從512M變成了1G。

  目前,主流DRAM芯片為1G字節(jié),但制造商們表示,它們都在加快生產(chǎn)2G字節(jié)的新芯片。

  內(nèi)存價格的巨量下跌促使電腦制造商在機器中加裝更多內(nèi)存,因為制造商總是在考慮以適當價格為消費者提供性能較高的電腦。在內(nèi)存供應(yīng)偏緊時期,當價格上漲時,電腦制造商此時安裝較少內(nèi)存,以滿足軟件運行的最低要求。但是當前供過于求使制造商可以在不提高電腦售價情況下增加更多內(nèi)存。這對用戶來說當然是個好消息,因為內(nèi)存通常是影響電腦整體速度的瓶頸。

  內(nèi)存價格下滑還有助于推進DRAM技術(shù)的進展,因為較先進的DRAM可以賣出更高價格。分析人士稱,新技術(shù)的采用將改變當前DRAM芯片供過于求的狀況。正是由于供過于求,DRAM芯片的更新?lián)Q代速度將大大加快。目前運行速率為800MHz的正在替代主流產(chǎn)品DDR 677MHz,業(yè)內(nèi)人士預(yù)測,由于內(nèi)存供過于求,新一代將超出人們原來的預(yù)測,以更快速度投放市場。

  同時,制造商們也正急于讓它們的芯片組、主板和其他產(chǎn)品用上內(nèi)存,因為它們知道,電腦游戲玩家和其他發(fā)燒友愿意為新一代內(nèi)存付出更高價格。

  迄今為止,三星是惟一在二季度盈利的內(nèi)存制造商,而絕大多數(shù)競爭對手都發(fā)布了巨額虧損的報告。


關(guān)鍵詞: DRAM DD2 DDR3 電腦組件

評論


相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉