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芯片設(shè)備業(yè)有望迎來新一輪增長周期
- 《商業(yè)周刊》文章指出，經(jīng)過一年時間的磨難和快速衰退，半導(dǎo)體廠商們有望在2009年迎來新一輪增長周期。 當(dāng)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士正在為美國經(jīng)濟是否已經(jīng)陷入衰退而爭論不休時，半導(dǎo)體設(shè)備廠商們早就經(jīng)歷了衰退浪潮的侵襲。標(biāo)準(zhǔn)普爾分析師Angelo Zino表示：“芯片設(shè)備產(chǎn)業(yè)擁有繁榮周期，它早在一年前就已經(jīng)進入衰退期，2008年的情況也不太樂觀。” Zino說，預(yù)計今年的半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額將繼續(xù)下滑，主要是因為內(nèi)存芯片尤其是DRAM芯片的需求疲軟。他說：“我們
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM NAND閃存
功耗文化決定設(shè)計取向
- 功耗，人們在不同的語境下討論這一問題：一方面，惜電如金，一方面更加廣泛地利用電能；一方面降低功耗，一方面冷卻用電設(shè)備……由此，降低功耗更是設(shè)計取向問題。 電子行業(yè)的確有兩種功耗文化。在近日美國舊金山舉辦的eSummit2008上，Qimonda（奇夢達(dá)）公司的高級市場行銷總監(jiān)Tom Till認(rèn)為，應(yīng)用對功耗的要求存在著相互矛盾的地方，設(shè)計者就是在這樣的環(huán)境下來研究功耗－性能模型的。一種是盡量降低功耗和相應(yīng)的成本，當(dāng)然性能上也降低。另一種是電池供電的情形，即目前的&
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全球DRAM產(chǎn)業(yè)分分合合 結(jié)盟變化顯示激烈競爭勢態(tài)
- 日本大廠（Elpida）與德國DRAM大廠（Qimonda）24日宣布，已簽訂共同開發(fā)技術(shù)合作意向書，攜手開發(fā)新世代DRAM技術(shù)，不僅宣告溝槽式記憶體陣營將成為過去式，奇夢達(dá)也將與力晶化敵為友，與爾必達(dá)站在同一陣線力抗業(yè)界龍頭韓國三星電子。 這是繼上月初臺塑集團旗下南亞科技宣布將與奇夢達(dá)終止合作，轉(zhuǎn)投美商美光（Micron）陣營后，全球DRAM業(yè)又一次勢力大重組。根據(jù)DRAM市調(diào)機構(gòu)集邦科技（DRAMeXchange）調(diào)查，奇夢達(dá)與爾必達(dá)去年全球市占率排名分居第三、四名，兩家結(jié)盟后市占率25.6
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全球半導(dǎo)體標(biāo)準(zhǔn)組織委員會會議在上海舉行 推動存儲工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定
- 隨著筆記本電腦、手機等移動終端以及家用數(shù)碼產(chǎn)品的大規(guī)模增長，器的移動性和能耗問題已廣泛受到業(yè)界關(guān)注。日前，(全球半導(dǎo)體組織)委員會會議在上海舉行，推動存儲工業(yè)新標(biāo)準(zhǔn)制定。 在過去五年內(nèi)，JEDEC曾與中國半導(dǎo)體行業(yè)組織合作，促進中國及世界的半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。例如中國電子標(biāo)準(zhǔn)協(xié)會(CESA)，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(CSIA)與中國電子標(biāo)準(zhǔn)研究所(CESI)等。 我國企業(yè)已占JEDEC會員數(shù)的20%，而且數(shù)目還在增長。JEDEC本次會議主要研究了DDR3 SDRAM（第三代雙倍速率同步動態(tài)隨機存儲
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恒憶?（NUMONYX）強勢進軍存儲器市場
- 2008年4月1日，中國 – 恒憶™（Numonyx B.V）公司今天作為一家全新的半導(dǎo)體公司正式問世。公司主要業(yè)務(wù)是整合NOR、NAND及內(nèi)置RAM的存儲器，并利用新型相變移位存儲器（PCM）技術(shù)，為存儲器市場開發(fā)、提供創(chuàng)新的存儲器解決方案。新公司憑借其雄厚實力和技術(shù)專長，在成立之初就成為存儲器市場的領(lǐng)先廠商，專注于存儲器開發(fā)制造業(yè)務(wù)，為手機、MP3播放器、數(shù)碼相機、超便攜筆記本電腦、高科技設(shè)備等各種消費電子產(chǎn)品制造商提供全方位的服務(wù)。 恒憶™將從非易失性存儲器
- 關(guān)鍵字： RAM NOR NAND DRAM MP3
FPGA到高速DRAM的接口設(shè)計(04-100)
- FPGA做為系統(tǒng)的核心元件正在更多的用于網(wǎng)絡(luò)、通信、存儲和高性能計算應(yīng)用中，在這些應(yīng)用中都需要復(fù)雜的數(shù)據(jù)處理。 所以，現(xiàn)在FPGA支持高速、外部存儲器接口是必須遵循的?，F(xiàn)在的FPGA具有直接接口各種高速存儲器件的專門特性。本文集中描述高速DRAM到FPGA的接口設(shè)計。 設(shè)計高速外部存儲器接口不是一件簡單的任務(wù)。例如，同步DRAM已發(fā)展成高性能、高密度存儲器并正在用于主機中。最新的DRAM存儲器—DDR SDRAM，DDR2和RLDRAM II支持頻率范圍達(dá)到133MHz(260
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Gartner下調(diào)全球半導(dǎo)體市場增長率至3.4%
- 據(jù)報道，在芯片需求走軟價格下跌的情況下，市場調(diào)研機構(gòu)Gartner下修全球IC產(chǎn)業(yè)營收增長率至先前預(yù)測值的二分之一。 去年12月，Gartner曾預(yù)估全球2008年IC市場將有6.2%的增長;但是在最新的預(yù)估中，修正至3.4%。 根據(jù)Gartner分析，2009-2012年IC市場增長幅度分別為9.4%、6.5%、0.7%、5.3%。 然而，什么原因使2008年的預(yù)估表現(xiàn)下降?Gartner表示，市場中有許多不樂觀的跡象，首當(dāng)其沖的就是美國經(jīng)濟的疲軟甚至衰退。
- 關(guān)鍵字： DRAM
芯片價格下滑 現(xiàn)代半導(dǎo)體Q4虧損5億美元
- 據(jù)國外媒體報道，全球第二大儲存芯片制造商韓國現(xiàn)代半導(dǎo)體周五公布去年四季度財務(wù)報告稱，由于芯片價格下降，公司在超過四年的時間里首次出現(xiàn)虧損。 現(xiàn)代半導(dǎo)體表示，在12月31日結(jié)束的第四季度，公司虧損了4650億韓元(約合4.928億美元)，這是自2003年第二季度以來現(xiàn)代半導(dǎo)體首次出現(xiàn)的虧損。而2006年同期公司盈利1萬億韓元。 由于使用在計算機上的DRAM儲存芯片和使用在數(shù)碼相機上的NAND閃存芯片價格下滑，四季度現(xiàn)代半導(dǎo)體的銷售收入從2006年同期的2.61萬億韓元下降了29%為1.85萬
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奇夢達(dá);消費電子將取代PC成內(nèi)存主要推動
- 內(nèi)存廠商奇夢達(dá)(Qimonda)上一季度的銷售額出現(xiàn)了大幅下滑。在該公司的年度股東會議上，奇夢達(dá)的首席執(zhí)行官羅建華對未來發(fā)表了謹(jǐn)慎樂觀的預(yù)測，并稱消費電子將取代PC市場成為行業(yè)的主要推動力。 在向股東的發(fā)言中，羅建華表示，在過去一年中主流內(nèi)存芯片(DRAM)產(chǎn)品的平均售價下跌將近80%，這是奇夢達(dá)銷售大幅減少的最主要原因。單在12月份的這個季度里，價格就下跌超過四成?！斑@是內(nèi)存芯片行業(yè)歷史上最嚴(yán)重的一次價格滑坡，”羅建華說。 根據(jù)羅建華的分析，價格急劇下降的原因是供
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全球DRAM廠虧損持續(xù)擴大
- 盡管DRAM價格暫止血，但全球DRAM廠虧損黑洞卻持續(xù)擴大，為搶救當(dāng)前重大危機，包括國際大廠及臺系DRAM廠紛紛被迫出招應(yīng)對，其中，全球第3大DRAM廠奇夢達(dá)(Qimonda)旗下位于亞太唯一自建12英寸廠，目前已確定將暫停機器設(shè)備移入；至于同樣面臨極大壓力的臺廠，則傳出茂德決定在中科12英寸廠歲修時程將破天荒長達(dá)10天。臺DRAM廠坦言，目前全球DRAM產(chǎn)業(yè)鏈的庫存非常夠用，盡管拉長歲修時程對整體供需幫助不大，卻凸顯各DRAM廠面對虧損擴大壓力，紛紛展開應(yīng)變措施。 現(xiàn)階段對于DRAM廠而言，投資建廠
- 關(guān)鍵字： DRAM 半導(dǎo)體 Qimonda
Hynix預(yù)測：DRAM芯片市場將在二季度出現(xiàn)反彈
- ?? 全球第二大存儲芯片制造商、韓國Hynix半導(dǎo)體日前表示，預(yù)計到今年第二季度其主要業(yè)務(wù)——電腦存儲芯片市場將出現(xiàn)反彈。 ? 在美國拉斯維加斯參加2008 CES上，Hynix半導(dǎo)體公司首席執(zhí)行官Kim Jong-kap發(fā)表了上述觀點。 他稱，“此前，電腦儲存芯片市場一直處于低迷狀態(tài)，持續(xù)了大約15個月。而新一輪的低迷態(tài)勢從今年一月份開始，預(yù)計這一狀態(tài)還將延續(xù)一段時間。我們認(rèn)為從今年第二季度開始，存儲芯片市場將會陸續(xù)出現(xiàn)反彈
- 關(guān)鍵字： Hynix DRAM 芯片市場
奇夢達(dá)開始供應(yīng)首款512Mb XDRTM DRAM 樣品
- 奇夢達(dá)公司宣布已開始向客戶供應(yīng)首款512Mb XDRTM DRAM的樣品。XDRTM (Extreme Data Rate) 內(nèi)存解體決方案擴展了奇夢達(dá)的繪圖RAM產(chǎn)品組合，以針對全球成長快速的計算機和消費性電子市場，提供更佳的高效能、高頻寬應(yīng)用。 奇夢達(dá)公司繪圖產(chǎn)品事業(yè)部副總裁Robert Feurle表示：“我們對與Rambus公司簽訂技術(shù)授權(quán)合約一年內(nèi)，便推出第一款的XDRTM DRAM，感到非常驕傲。XDRTM DRAM對于奇夢達(dá)的高效能DRAM產(chǎn)品組合而言，是一項高價值的延伸，同時也在
- 關(guān)鍵字： 奇夢達(dá) DRAM XDRTM MCU和嵌入式微處理器
dram 介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。
動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細(xì) ]
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