首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> dram

NEC電子開發(fā)出40納米DRAM混載系統(tǒng)LSI 混載工藝技術(shù)

  • 　　NEC電子近日完成了兩種線寬40納米的DRAM混載系統(tǒng)LSI工藝技術(shù)的開發(fā)，使用該工藝可以生產(chǎn)最大可集成256MbitDRAM的系統(tǒng)LSI。40nm工藝技術(shù)比新一代45nm半導(dǎo)體配線工藝更加微細，被稱為45nm的下一代產(chǎn)品。此次，NEC電子推出的工藝中，一種為低工作功耗的“UX8GD”工藝，它可使邏輯部分的處理速度最快達到800MHz，同時保持低功耗;另一種為低漏電流的“UX8LD”工藝，它的功耗約為內(nèi)嵌同等容量SRAM的1/3左右。 　　UX8GD和 UX8LD 是在線寬從55nm縮小至40nm的
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  NEC  DRAM  LSI  

供應(yīng)過剩 NAND及DRAM行情短期進一步惡化

  • 　　美國iSuppli調(diào)研結(jié)果顯示，由于供應(yīng)過剩與價格暴跌，DRAM及NAND閃存行情將在短期內(nèi)進一步惡化。 　　NAND閃存方面，預(yù)計512M產(chǎn)品全球平均單價(ASP)將從2007年第三季度的60美分下降到第四季度的46美分。NAND閃存的平均單價在第二季度、第三季度均比上季度有所提高，分別為6%與8.4%。但是在第四季度，隨著價格下跌，行情出現(xiàn)惡化，短期內(nèi)很難恢復(fù)。iSuppli首席分析師Nam Hyung Kim表示，此次價格下跌的主要原因韓國內(nèi)存廠商將生產(chǎn)能力從DRAM轉(zhuǎn)移至NAND閃存，從而導(dǎo)
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  NAND  DRAM  閃存  MCU和嵌入式微處理器  

2007年上半年DRAM模塊市場晴雨表 金士頓仍是霸主

  • 　　據(jù)iSuppli公司，2007年上半年金士頓鞏固了自己在全球品牌第三方DRAM模塊市場中的領(lǐng)先地位，但同期增長最快的則是規(guī)模較小的創(chuàng)見與記憶科技。 　　2007年上半年，臺灣創(chuàng)見DRAM模塊銷售收入比2006年同期大增77.3%，在所有的供應(yīng)商中增長率最高。其銷售收入從2006年上半年的1.41億美元增長到2.5億美元。創(chuàng)見在品牌第三方DRAM模塊市場中的排名從2006年上半年時的第10升至第六。 　　iSuppli公司的存儲IC和存儲系統(tǒng)總監(jiān)兼首席分析師Nam Hyung Kim表示：“由于創(chuàng)見
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  金士頓  臺灣  MCU和嵌入式微處理器  

08年半導(dǎo)體設(shè)備市場前景黯淡 產(chǎn)能利用率面臨下降風險

  • 　　2008年半導(dǎo)體設(shè)備市場前景黯淡，資本開支預(yù)計下滑超過3%。Hosseini預(yù)測，前端設(shè)備訂單不穩(wěn)定情況將維持到2008年下半年，而后端設(shè)備預(yù)計也充滿變數(shù)。 　　他在報告中指出，“DRAM行業(yè)基本狀況繼續(xù)惡化，由于芯片單元增長率出現(xiàn)拐點，2008年上半年晶圓廠產(chǎn)能利用率面臨下降風險。我們預(yù)計前端設(shè)備訂單繼續(xù)下滑，下滑情況可能會持續(xù)到2008年第3季度?！彼瑫r表示，“從2007年第3季度到2008年第3季度，預(yù)計后端訂單勢頭平緩至下滑，之后有望重現(xiàn)恢復(fù)?！? 　　他最大的擔憂在DRAM行業(yè)，預(yù)計“整
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  DRAM  芯片  元件  制造  

美半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會:近期半導(dǎo)體市場不會衰退

  • 　　據(jù)國外媒體報道，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(SIA)表示，近期內(nèi)半導(dǎo)體市場不大可能出現(xiàn)衰退。它認為今年全球芯片的銷售額將增長3%，在隨后三年中的增長速度會更高一些。 　　SIA表示，它預(yù)計全球的芯片銷售額將由去年的2477億美元增長至2571億美元，增長速度低于今年年初時預(yù)期的10%。 　　6月份，SIA將今年芯片銷售額的增長速度預(yù)期下調(diào)到了1.8%，主要原因是幾種關(guān)鍵市場的低迷━━其中包括微處理器、DRAM和閃存。此后，微處理器的銷售出現(xiàn)了強勁增長，迫使SIA提高了對芯片銷售額增長速度的預(yù)期。 　　S
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  芯片  DRAM  模擬IC  電源  

三星DRAM銷售穩(wěn)居冠軍，但市場份額不保

  • 　　據(jù)市場調(diào)研機構(gòu)iSuppli公布的調(diào)查報告顯示，韓國三星電子在今年第三季度全球DRAM儲存芯片市場的銷售收入仍穩(wěn)坐冠軍寶座，但其部分市場份額卻被位居第二的Hynix奪走。 　　據(jù)國外媒體報道，iSuppli在上周四發(fā)布的報告中表示，在第三季度中Hynix有非常受矚目的表現(xiàn)，它的成長速度相當迅猛，并在逐步縮小與三星的差距。據(jù)悉，第三季度三星的市場份額為27.7%，位居全球第一，其銷售收入比第二季度下降了2.9%為19.33億美元;排在第二位的是Hynix，其第三季度收入比第二季度增長了15.4%達到1
  • 關(guān)鍵字： 消費電子  三星  DRAM  冠軍  嵌入式  

晶圓廠陸續(xù)上線 08年閃存產(chǎn)能將首超DRAM內(nèi)存

  • 　　研究公司Strategic Marketing Associates(SMA)日前表示，閃存產(chǎn)能將在2008年首次超過DRAM內(nèi)存。 　　根據(jù)SMA報告，閃存產(chǎn)能從2000年以來已經(jīng)增長了四倍，達到相當于290萬片200毫米硅晶圓的規(guī)模。相比之下，DRAM產(chǎn)能自那時起僅增長225%。 　　報告表示，從2005年到2008年底的三年間，閃存制造商增加的產(chǎn)能是之前四年增加量的六倍。 　　預(yù)計2008年和2009年，將有另外超過十座晶圓廠上線。SMA預(yù)計，當設(shè)備裝機完成時，將帶來每月相當于150萬片2
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  內(nèi)存  晶圓  MCU和嵌入式微處理器  

第三季度IC代工業(yè)繁榮 先進制程受益

  • 　　對全球前四大代工廠公布的2007年第三季度財報進行分析可以發(fā)現(xiàn)，在該季度，代工業(yè)整體需求旺盛，一掃今年第一季度和第二季度較往年同期下滑的頹勢。不過，雖然需求旺盛，但是由于代工產(chǎn)品種類及技術(shù)水平的差別，各代工廠在凈利潤方面卻是冷暖自知，中芯國際(SMIC)成為DRAM價格嚴重下滑的最大受害者。雖然繼今年第二季度之后第三季度繼續(xù)虧損，但是通過與Spansion的合作以及在其他利好因素的推動下，不久中芯國際有望走出低迷。 　　第三季度代工需求旺盛 　　綜合各家代工廠第三季度的財報，可以發(fā)現(xiàn)(見表“全球前
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  中芯國際  IC  DRAM  模擬IC  

IDC: 今年芯片銷售增速緩慢將促使08年猛增

  • 　　IDC在最新的《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》中預(yù)測，2007年全球芯片銷售收入增長速度放慢將為2008年的大增長奠定基礎(chǔ)。 　　據(jù)國外媒體報道，2007年全球芯片市場的增長速度將只有4.8%，2006年的這一數(shù)字只有8.8%。IDC預(yù)測，2008年的增長速度將達到8.1%。 　　報告指出，如果產(chǎn)能增長速度在明年放緩和需求仍然保持緩慢，芯片市場的增長速度會更快。市場潮流是合并和收購，這可能會改變業(yè)界的競爭格局。 　　IDC負責《全球半導(dǎo)體市場預(yù)測》的項目經(jīng)理戈帕爾說，今年上半年芯片市場的供過于求降低了對各
  • 關(guān)鍵字： 消費電子  芯片  DRAM  NAND  EDA  IC設(shè)計  

應(yīng)用材料總裁談芯片業(yè) 閃存與移動視頻是關(guān)鍵

  • 　　美國和歐洲市場強勁的季節(jié)銷售，以及緊隨其后的中國新年銷售旺季，將有助于決定DRAM是否供過于求、邏輯芯片供應(yīng)正在減少以及2008年全球芯片產(chǎn)業(yè)走向。 　　應(yīng)用材料總裁兼首席執(zhí)行官MikeSplinter預(yù)測，如果情況不是很好，2008年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展可能不會太強勁。2007年，半導(dǎo)體設(shè)備資本開支增長率為0到5%之間，而半導(dǎo)體收入增長預(yù)計為5%到10%之間。 　　Splinter表示，“尚未為止，2007年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未現(xiàn)繁榮景象。這不是因為銷售沒有增加，而是由于遭遇沉重的價格壓力。粗略估計，邏輯芯片
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DRAM  芯片  半導(dǎo)體  MCU和嵌入式微處理器  

IC單位出貨量強勁 面臨廠商無利潤繁榮局面

  • 　　最近公布的數(shù)據(jù)顯示，2007年IC單位出貨量將增長10%，略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計的8%。自2002年以來，IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強勁增長，正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求，并使IC出貨量保持在高位。 　　1980年以來，IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率，分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后，IC的單位出貨量增長速
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  IC  DRAM  NAND  模擬IC  

2007年全球集成電路出貨量將增長10%

  • 　　市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長率從原來的8%提升到了10%。 　　這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強勁增長,如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%,NAND閃存出貨量增長38%,界面集成電路出貨量增長60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%,汽車模擬集成電路出貨量增長32%。 　　ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量成長率達到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長,這是前所未有的大牛市。 　
  • 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  集成電路  IC  DRAM  消費電子  

從過去到未來

  • 如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現(xiàn)在，沒有現(xiàn)在當然就不會有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現(xiàn)在卻可以一步步去計劃、設(shè)想與實踐
  • 關(guān)鍵字： NVM  SRAM  DRAM  

DRAM十月價格持續(xù)下跌；ETT現(xiàn)貨價急漲12%

  • 　　上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面，DDR2512MbeTT價格收在1.17美元，漲幅約11.9%;相較之下，品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢，上漲至1.37美元，幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出，上周DDR2eTT的強勁漲勢，是因為eTT主要的供貨商進行70nm轉(zhuǎn)進，供給量減少，部份買主逢低買進拉抬買氣，進而帶動價格上揚，因此這波價格上揚主要是短期市場操作結(jié)果，而非市場終端需求帶動;此外，這波投機性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒，并沒有
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  集邦  DRAM  ETT  MCU和嵌入式微處理器  

DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

  • 　　現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后，暫時止跌并微幅反彈，在1.02至1.05美元震蕩，以1.03美元做收，跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元，下跌2.9%。在DDR1市場方面，由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足，上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況，價格持續(xù)小幅上揚，DDR512Mb400MHz以2.66美元做收，上漲5.6%。 　　十月份合約市場相當清淡，OEM拿貨意愿低落，部分廠商甚至認為，倘若預(yù)期十一
  • 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng)  單片機  DDR2  DRAM  NAND  MCU和嵌入式微處理器  
共1827條 118/122 |‹ « 113 114 115 116 117 118 119 120 121 122 »

dram 介紹

DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態(tài)隨機存儲器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數(shù)據(jù)就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應(yīng)用。 動態(tài)RAM的工作原理 動態(tài)RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [ 查看詳細 ]

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473