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euv 極紫外光刻機 文章 進入euv 極紫外光刻機技術社區(qū)

MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度

  • 　　美國麻省理工學院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術目前在商業(yè)化方面領先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
  • 關鍵字： 光刻  EUV  

光源問題仍是EUV光刻技術中的難題

  • 　　GlobalFoundries公司的光刻技術專家Obert Wood在最近召開的高級半導體制造技術會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機用光源技術方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術成熟過程中最“忐忑”的因素。 　　
  • 關鍵字： GlobalFoundries  EUV  

英特爾10nm設計規(guī)則初定 EUV技術恐錯失良機

  • 　　英特爾公司正在計劃將目前的193nm浸入式微影技術擴展到14nm邏輯節(jié)點，此一計劃預計在2013下半年實現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點使用超紫外光(EUV)微影技術進行生產(chǎn)。 　　
  • 關鍵字： 英特爾  EUV  

通向14/15nm節(jié)點的技術挑戰(zhàn)

  • 　　當半導體業(yè)準備進入14/15nm節(jié)點時，將面臨眾多的技術挑戰(zhàn) 　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因為當器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因為隨著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： EUV  節(jié)點技術  

次世代微影技術主流之爭　

  • 　　目前次世代微影技術發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術最快于2014年可望進入量產(chǎn)，而應用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產(chǎn)。 　　
  • 關鍵字： 微影技術  EUV  

GlobalFoundries投入EUV技術　4年后量產(chǎn)

  • 　　繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術，預計于2012年下半將機臺導入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。 　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機臺與雙重曝光(double-patterning)技術，讓微影技術得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
  • 關鍵字： 臺積電  EUV  晶圓代工  

英特爾認為浸入式光刻能延伸到11納米

  • 　　英特爾的先進光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。 　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。 　　   　　在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機設計部總經(jīng)理Masato Hamatani認為,當EUV達到所有的預定目標時,進入量產(chǎn)
  • 關鍵字： 英特爾  11納米  EUV  

半導體能支撐未來的發(fā)展

  • 　　相比于2009年今年全球半導體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 　　在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔憂，認為雖然半導體業(yè)正在復蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で?，不肯繼續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴大招慕員工。 　　恐怕更大的擔心來自全球半導體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術的進步。 　　IBS的CEO Handle Jones認為，雖然工業(yè)正在復蘇，但是在半導體業(yè)運營中仍面臨成
  • 關鍵字： ASML  半導體  EUV  

臺積電取得ASML超紫外光微影設備以研發(fā)新世代工藝

  • 　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設備，是全球六個取得這項設備的客戶伙伴之一。 　　這項設備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術的專業(yè)集成電路制造服務業(yè)者。 　　相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術以193納米波長當作光源，超
  • 關鍵字： 臺積電  EUV  微影設備  ASML  

三項半導體新技術投入使用的時間將后延至2015-2016年

  • 　　半導體技術市場權威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報告顯示，按照他們的估計，450mm技術以及極紫外光刻技術(EUV)投入實用的時間點將再度后延。 　　據(jù)IC Insights預計，基于450mm技術的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實用化建設--比預期的時間點后延了兩年左右。另外，預計16nm級別制程技術中也不會應用EUV光刻技術，這項技術會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實用。 　　另外一項較新的半導體制造技術，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(TS
  • 關鍵字： EUV  光刻  450mm  

EUV: 一場輸不起的賭局

  • 　　2010年， ASML將有5臺最先進的EUV設備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。 　　人們談論EUV的各種技術問題已歷時數(shù)年，因為其波長較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術，用其
  • 關鍵字： ASML  EUV  22nm  

臺積電老將再出山 蔣尚義領命戰(zhàn)研發(fā)

  • 　　不知是否是因為Global Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長負責。 　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領研發(fā)團隊一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進工藝技術，成果斐然。但是三年多前因為要照顧年邁生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
  • 關鍵字： 臺積電  40納米  HKMG  EUV  

EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學系統(tǒng)

  • 　　德國Carl Zeiss SMT AG已向半導體設備商ASML出貨首臺EUV光學系統(tǒng)。該公司已使EUV光學系統(tǒng)達到了生產(chǎn)要求。 　　光學系統(tǒng)是EUV設備的核心模塊，首臺EUV設備預計將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設備另一個關鍵模塊。該技術將使芯片制造商進一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。 　　據(jù)Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
  • 關鍵字： ASML  EUV  光刻設備  

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

  • 　　對于極紫外（EUV）光刻技術而言，掩膜版相關的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會上向與會的同仁報告了在這一領域Intel和Dai Nippon Printin
  • 關鍵字： 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧

  • 浸潤式微顯影雙重曝光能進一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術得以出頭，爭議不斷。據(jù)了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。     ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達13.5納米，約是248波長的KrF顯影設備的15分之1，盡管浸潤式顯
  • 關鍵字： 消費電子  EUV  電子束  消費電子  
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euv 極紫外光刻機介紹

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