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GaN引領(lǐng)未來(lái)寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962

Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國(guó)公司。它通過(guò)提供創(chuàng)新的射頻技術(shù)，為移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案，致力于實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開(kāi)關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商，其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長(zhǎng)的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中，GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展，最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)

唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展，邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造，象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案，包括：●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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英飛凌攜手Worksport利用氮化鎵降低便攜式發(fā)電站的重量和成本

英飛凌科技股份公司近日宣布與Worksport Ltd.合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低便攜式發(fā)電站的重量和成本。Worksport將在其便攜式發(fā)電站轉(zhuǎn)換器中使用英飛凌的GaN功率半導(dǎo)體GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飛凌GaN晶體管后，該功率轉(zhuǎn)換器將變得更輕、更小，系統(tǒng)成本也將隨之降低。此外，英飛凌還將幫助Worksport優(yōu)化電路和布局設(shè)計(jì)，進(jìn)一步縮小尺寸并提高功率密度。Worksport首席執(zhí)行官Steven Rossi表示：“英飛凌高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)和穩(wěn)固的供應(yīng)鏈為我們提供了
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EPC推出首款具有最低1mΩ導(dǎo)通電阻的GaN FET

全球增強(qiáng)型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場(chǎng)上具有最低導(dǎo)通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產(chǎn)品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過(guò)五倍。憑借超低導(dǎo)通電阻
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南

激光探測(cè)及測(cè)距 (LiDAR) 的應(yīng)用包括自主駕駛車輛、無(wú)人機(jī)、倉(cāng)庫(kù)自動(dòng)化和精準(zhǔn)農(nóng)業(yè)。在這些應(yīng)用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔(dān)心 LiDAR 激光可能會(huì)對(duì)眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時(shí)發(fā)射功率不超過(guò) 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復(fù)頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因?yàn)樾枰褂梦⒖刂破骰蚱渌笮蛿?shù)字集成電路 (IC) 來(lái)控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動(dòng)它，這樣就必須增加一個(gè)柵極
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帶隙對(duì)決：GaN和SiC，哪個(gè)會(huì)占上風(fēng)？

電力電子應(yīng)用希望納入新的半導(dǎo)體材料和工藝。
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SR-ZVS與GaN：讓電源開(kāi)關(guān)損耗為零的魔法

當(dāng)今，快充市場(chǎng)正迎來(lái)前所未有的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。風(fēng)暴仍在繼續(xù)，快充市場(chǎng)的迅猛發(fā)展，用戶對(duì)于充電器的功率需求也在不斷增大；移動(dòng)設(shè)備的普及，用戶對(duì)于充電器體積的要求也越來(lái)越高；同時(shí)為了在激烈的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中脫穎而出，低成本是每個(gè)快充產(chǎn)品必須考慮的因素。種種這些都對(duì)快充技術(shù)的要求愈發(fā)嚴(yán)格，不僅需要高效率、高功率，還需要適應(yīng)多樣化的標(biāo)準(zhǔn)和滿足用戶個(gè)性化的需求。在種種挑戰(zhàn)之下，PI推出了InnoSwitch5-Pro 離線反激式開(kāi)關(guān)IC，在內(nèi)部集成750V或900V PowiGaN?初級(jí)開(kāi)關(guān)、初級(jí)側(cè)控制器、FluxLink?
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動(dòng)激光二極管，實(shí)現(xiàn)75~231A脈沖電流

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動(dòng)器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實(shí)現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達(dá)系統(tǒng)。EPC推出三款評(píng)估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動(dòng)器和通過(guò)車規(guī)級(jí)AEC-Q101認(rèn)證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長(zhǎng)距離和
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低功耗 GaN 在常見(jiàn)交流/直流電源拓?fù)渲械膬?yōu)勢(shì)

消費(fèi)者希望日常攜帶的各種電子設(shè)備能夠配備便攜、快速和高效的充電器。隨著大多數(shù)電子產(chǎn)品轉(zhuǎn)向 USB Type-C? 充電器，越來(lái)越多的用戶希望可以使用緊湊型電源適配器為所有設(shè)備充電。在設(shè)計(jì)現(xiàn)代消費(fèi)級(jí) USB Type-C 移動(dòng)充電器、PC 電源和電視電源時(shí)，面臨的挑戰(zhàn)是如何在縮小解決方案尺寸的同時(shí)保持甚至提高功率水平。德州儀器的低功耗氮化鎵 (GaN) 器件有助于在各種最流行的拓?fù)渲薪鉀Q這一問(wèn)題，同時(shí)提供散熱、尺寸和集成方面的優(yōu)勢(shì)。在過(guò)去的幾十年里，隨著 GaN 等寬帶隙技術(shù)的發(fā)展，交流/直流拓?fù)?/li>
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瑞薩收購(gòu)Transphorm,利用GaN技術(shù)擴(kuò)展電源產(chǎn)品陣容

2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST，日本東京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亞州戈利塔訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（以下“瑞薩”，TSE：6723）與全球氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體供應(yīng)商Transphorm, Inc.（以下“Transphorm”，Nasdaq：TGAN）于今天宣布雙方已達(dá)成最終協(xié)議，根據(jù)該協(xié)議，瑞薩子公司將以每股5.10美元現(xiàn)金收購(gòu)Transphorm所有已發(fā)行普通股，較Transphorm在2024年1月
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GaN新技術(shù)可使散熱能力提高2倍以上

近期，大阪公立大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)成功利用金剛石為襯底，制作出了氮化鎵（GaN）晶體管，其散熱性能是使用碳化硅（SiC）襯底制造相同形狀晶體管的兩倍以上，有望應(yīng)用于5G通信基站、氣象雷達(dá)、衛(wèi)星通信、微波加熱、等離子體處理等領(lǐng)域，該研究成果已發(fā)表在“Small”雜志上。隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，功率密度和散熱等問(wèn)題日益凸顯，業(yè)界試圖通過(guò)新一代材料解決上述問(wèn)題。據(jù)悉，金剛石具備極強(qiáng)的導(dǎo)熱性能，氮化鎵具有寬帶隙和高導(dǎo)電性等特性，居于上述特性，以金剛石為襯底的氮化鎵晶體管被寄予厚望。在最新研究中，大阪公立大學(xué)的科學(xué)家們成
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使用 GaN 器件可以減小外置醫(yī)用 AC/DC 電源的體積

盡管電池技術(shù)和低功耗電路不斷取得進(jìn)步，但對(duì)于許多應(yīng)用來(lái)說(shuō)，完全不依賴純電池設(shè)計(jì)可能是不可行、不適用和無(wú)法接受的。醫(yī)療系統(tǒng)就屬于這類應(yīng)用。相反，設(shè)備通常必須直接通過(guò) AC 線路運(yùn)行，或至少在電池電量不足時(shí)連接 AC 插座即可運(yùn)行。除了滿足基本的 AC/DC 電源性能規(guī)范外，醫(yī)用電源產(chǎn)品還必須符合監(jiān)管要求，即滿足電隔離、額定電壓、泄漏電流和保護(hù)措施 (MOP) 等不那么明顯的性能要求。制定這些標(biāo)準(zhǔn)是為了確保用電設(shè)備即使在電源或負(fù)載出現(xiàn)故障時(shí)，也不會(huì)給操作員或病人帶來(lái)危險(xiǎn)。與此同時(shí)，醫(yī)療電源的設(shè)計(jì)者必須不斷提地
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基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 圖騰柱PFC參考設(shè)計(jì) TIDA-00961 FAQ

高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo?高頻臨界模式 (CrM) 圖騰柱功率因數(shù)校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設(shè)計(jì)高密度功率解決方案的簡(jiǎn)便方法。TIDA-00961 參考設(shè)計(jì)使用 TI 的 600V GaN 功率級(jí) LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F280049 控制器。功率級(jí)尺寸 65 x 4
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司將在CES 2024展示基于氮化鎵技術(shù)的消費(fèi)電子應(yīng)用場(chǎng)景

PC公司的氮化鎵專家將在國(guó)際消費(fèi)電子展(CES)上分享氮化鎵技術(shù)如何增強(qiáng)消費(fèi)電子產(chǎn)品的功能和性能?增強(qiáng)型氮化鎵(eGaN?)FET和IC領(lǐng)域的全球領(lǐng)導(dǎo)者宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)將在CES 2024展會(huì)展示其卓越的氮化鎵技術(shù)如何為消費(fèi)電子產(chǎn)品在功能和性能方面做出貢獻(xiàn) ，包括實(shí)現(xiàn)更高效率、更小尺寸和更低成本的解決方案。CES展會(huì)期間，EPC的技術(shù)專家將于1月9日至12日在套房與客戶會(huì)面、進(jìn)行技術(shù)交流、討論氮化鎵技術(shù)及其應(yīng)用場(chǎng)景的最新發(fā)展。氮化鎵技術(shù)正在改變大批量消費(fèi)應(yīng)用的關(guān)鍵領(lǐng)域包括：推動(dòng)人工智能
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Nexperia針對(duì)工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET

基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。經(jīng)過(guò)二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識(shí)，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應(yīng)用于級(jí)聯(lián)氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管（GaN FET），Nexperia對(duì)此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管，采用CCP
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