hyper-na euv 文章進(jìn)入hyper-na euv技術(shù)社區(qū)

ASML 分享 High-NA EUV 光刻機(jī)最新進(jìn)展：目標(biāo) 2024-2025 年進(jìn)廠

5 月 29 日消息，半導(dǎo)體行業(yè)花了十多年的時(shí)間來(lái)準(zhǔn)備極紫外線 (EUV) 光刻技術(shù)，而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻（High-NA EUV）技術(shù)將會(huì)比這更快。目前，最先進(jìn)的芯片是 4/5 納米級(jí)工藝，下半年三星和臺(tái)積電還能量產(chǎn) 3nm 技術(shù)，而對(duì)于使用 ASML EUV 光刻技術(shù)的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，它們大都具有 0.33 NA（數(shù)值孔徑）的光學(xué)器件，可提供 13 nm 分辨率。目前來(lái)看，這種分辨率尺寸對(duì)于 7 nm / 6 nm 節(jié)點(diǎn) (36 nm ~ 38 nm)
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首發(fā)“4nm” EUV工藝！Intel 14代酷睿真身曝光：GPU堪比獨(dú)顯

　　Intel的12代酷睿處理器去年就已經(jīng)發(fā)布，首次上了性能+能效的異構(gòu)設(shè)計(jì)，今年的13代酷睿代號(hào)Raptor Lake，下半年發(fā)布，屬于12代的改進(jìn)版，明年的14代酷睿Meteor Lake則會(huì)大改，升級(jí)Intel 4工藝，也是Intel首個(gè)EUV工藝。　　14代酷睿的架構(gòu)也會(huì)大改，第一次采用非單一芯片設(shè)計(jì)，彈性集成多個(gè)小芯片模塊，包括下一代混合架構(gòu)CPU、tGPU核顯引擎、AI加速單元，而且功耗非常低?！　?4代酷睿Meteor Lake也會(huì)是Intel酷睿系列中首個(gè)大量使用3D Foveros混合封
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應(yīng)用材料推出運(yùn)用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術(shù)

半導(dǎo)體設(shè)備大廠應(yīng)用材料推出多項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)，協(xié)助客戶運(yùn)用極紫外光（EUV）持續(xù)進(jìn)行2D微縮，并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極（Gate-All-Around，GAA）晶體管制造技術(shù)組合。芯片制造商正試圖透過(guò)兩個(gè)可相互搭配的途徑來(lái)增加未來(lái)幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術(shù)，使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設(shè)計(jì)技術(shù)優(yōu)化（DTCO）與3D技術(shù)，巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來(lái)增加密度，而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡(luò)與環(huán)繞閘極晶體管，隨著傳統(tǒng)2D微縮技
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ASML公司開(kāi)撕美國(guó)？光源技術(shù)不是根源，不交付EUV光刻機(jī)另有原因

ASML公司雖然是荷蘭企業(yè)，但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了，這里的“美”指的是美國(guó)。在華為遭遇到芯片封鎖之前，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金，采購(gòu)了一臺(tái)EUV光刻機(jī)。然而，ASML公司卻遲遲沒(méi)有發(fā)貨，這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知，全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，而一部EUV光刻機(jī)上就有超過(guò)10w的精密零件，各方面的技術(shù)也是來(lái)自全世界各國(guó)的頂尖技術(shù)。所以ASML公司的光刻機(jī)一直是供不應(yīng)求。但明明已經(jīng)收了定金，10億一部的EUV光刻機(jī)，ASML公司為何有生意不做呢？大部分的
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俄羅斯投資6.7億盧布，開(kāi)發(fā)新型的光刻機(jī)，性能或?qū)⒊紼UV光刻機(jī)

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雪佛蘭Bolt EV/EUV在電池起火召回后終于宣布恢復(fù)生產(chǎn)

通用汽車(GM)已經(jīng)恢復(fù)了2022款雪佛蘭Bolt EV和EUV的生產(chǎn)，現(xiàn)在它們可以獲得新電池組的供應(yīng)，而這些電池組應(yīng)該不會(huì)有火災(zāi)隱患。此前，雪佛蘭Bolt因潛在的電池火災(zāi)而被召回，該次召回影響到了所有的車型，導(dǎo)致Bolt EV和EUV汽車的生產(chǎn)自去年8月起完全凍結(jié)?！拔覀兊哪繕?biāo)是恢復(fù)并坦率地說(shuō)超過(guò)業(yè)務(wù)指標(biāo)，”雪佛蘭營(yíng)銷副總裁Steve Majoros在昨日的新聞電話會(huì)議上說(shuō)道。Bolt的復(fù)出計(jì)劃包括趕上新的2022款Bolt EV和EUV訂單（2023年的訂單將于7月開(kāi)始）、將在MLB開(kāi)幕日投放的新電視
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阿斯麥CEO：不賣EUV給中國(guó)大陸“是政府們的選擇”

（原標(biāo)題：光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO：不賣EUV給中國(guó)大陸“是政府們的選擇”）【文/觀察者網(wǎng) 呂棟】“這不是我們的選擇，而是政府們（《瓦森納協(xié)定》成員國(guó)）的選擇?！比涨?，荷蘭光刻機(jī)巨頭阿斯麥CEO溫彼得再次就向中國(guó)大陸出口EUV光刻機(jī)一事解釋道。他今年1月曾表示，中國(guó)不太可能獨(dú)立復(fù)制出（replicate）頂尖的光刻技術(shù)，但也別那么絕對(duì)，“他們肯定會(huì)嘗試”。觀察者網(wǎng)注意到，由于最先進(jìn)的EUV設(shè)備無(wú)法向中國(guó)大陸出口，溫彼得自2021年以來(lái)曾多次發(fā)聲。2021年4月，他曾喊話美國(guó)政府，對(duì)華出口管制不僅不能阻礙中國(guó)
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EUV提前半年問(wèn)世：Intel先進(jìn)工藝不跳票

前不久的Intel投資者會(huì)議上，英特爾發(fā)布了先進(jìn)工藝的路線圖，從去年的Intel 7工藝開(kāi)始一路推進(jìn)到Intel 18A工藝，酷睿處理器從12代一直持續(xù)到16代酷睿，甚至17代酷睿都在準(zhǔn)備中了，2025年上市。? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?不僅工藝規(guī)劃的很好，而且這一次Intel更有信心，因?yàn)槎啻に噷?shí)際上提前量產(chǎn)了，具體如下：Intel 4工藝是Intel第一個(gè)
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ASML：努力向中國(guó)提供一切能夠提供的技術(shù)

芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領(lǐng)域，而其中核心的光刻機(jī)技術(shù)被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領(lǐng)域有長(zhǎng)足的進(jìn)步，光刻機(jī)這種核心設(shè)備就要有所突破。而之前美國(guó)通過(guò)自身在全球市場(chǎng)的控制能力，通過(guò)修改法案等手段一直將光刻機(jī)設(shè)備和技術(shù)限制對(duì)中國(guó)進(jìn)行輸出。但近期光刻機(jī)頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會(huì)盡其所能向中國(guó)市場(chǎng)提供一切他們能夠提供的技術(shù)，其中DUV光刻機(jī)將會(huì)不需要認(rèn)可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機(jī)除此之外，ASML表示在當(dāng)前法律框架之下，他們除了EUV光刻機(jī)無(wú)法向中方企業(yè)提供，其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
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拆解報(bào)告：HYPER JUICE 100W 3C1A氮化鎵快充充電器HJ417

　　海外知名充電配件品牌HYPER JUICE近期在indiegogo上眾籌了一款全新的100W快充充電器。這款產(chǎn)品基于納微GaNFast氮化鎵功率芯片，采用堆疊設(shè)計(jì)思路，不僅支持自帶可折疊的插腳，而且還集成了一個(gè)AC插口，在使用時(shí)，不會(huì)占用兩孔插座，并支持最多16款充電器堆疊使用?！　』氐匠潆姳旧硪彩穷H有亮點(diǎn)，配備了3C1A四個(gè)輸出接口，可同時(shí)滿足四臺(tái)電子設(shè)備的充電需求；在單口輸出時(shí)，C口支持盲插輸出100W。同時(shí)借助氮化鎵技術(shù)的優(yōu)勢(shì)，實(shí)現(xiàn)了小巧的外形尺寸，出門攜帶比較方便?！　￡P(guān)于這款產(chǎn)品的性能，充電
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單臺(tái)1.5億美元 ASML制造新一代EUV光刻機(jī)

據(jù)《連線》雜志報(bào)道，在美國(guó)康涅狄格州郊區(qū)的一間潔凈室中，ASML的工程師們正在為一臺(tái)單臺(tái)造價(jià)1.5億美元的新機(jī)器制造關(guān)鍵部件，該部件是新一代EUV系統(tǒng)的組成部分，會(huì)采用一些新技術(shù)來(lái)最大限度地減少其使用的光波長(zhǎng)，包括縮小芯片的特征尺寸并提升性能。ASML的工程師正在裝配系統(tǒng)組件（圖片來(lái)自ASML）要知道，當(dāng)前的EUV機(jī)器已經(jīng)像一輛公共汽車那么大，包含10萬(wàn)個(gè)零部件和兩公里長(zhǎng)的電纜，運(yùn)輸這些組件需要40個(gè)貨運(yùn)集裝箱、三架貨機(jī)和20輛卡車，能夠買得起這種設(shè)備的公
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阿斯麥的新一代EUV光刻機(jī)：造價(jià)1.5億美元公共汽車大小

　　9月2日消息，荷蘭阿斯麥的新一代極紫外（EUV）光刻機(jī)每臺(tái)有公共汽車大小，造價(jià)1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來(lái)幾年繼續(xù)縮小?！　≡谖挥诿绹?guó)康涅狄格州郊區(qū)的一間大型潔凈室里，工程師們已經(jīng)開(kāi)始為一臺(tái)機(jī)器制造關(guān)鍵部件，這臺(tái)機(jī)器有望讓芯片制造行業(yè)沿著摩爾定律至少再走上10年時(shí)間。　　這臺(tái)極紫外光刻機(jī)是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺(tái)量產(chǎn)的極紫外光刻機(jī)，在芯片制造領(lǐng)域發(fā)揮著至關(guān)重要的作用，已經(jīng)被用于制造iPhone手機(jī)芯片以及人工智能處理器等最先進(jìn)的芯片。阿斯
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美光確認(rèn)EUV工藝DRAM 2024年量產(chǎn)：1γ節(jié)點(diǎn)導(dǎo)入

三星、SK海力士及美光確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內(nèi)存停留在10nm工藝級(jí)別。三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì)用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn)，美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn)，預(yù)
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EUV技術(shù)開(kāi)啟DRAM市場(chǎng)新賽程

SK海力士公司在7月12日表示，本月已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)10納米8Gb LPDDR4移動(dòng)DRAM —— 他們將在該內(nèi)存芯片生產(chǎn)中應(yīng)用極紫外（EUV）工藝，這是SK海力士首次在其DRAM生產(chǎn)中應(yīng)用EUV。根據(jù)SK海力士的說(shuō)法，比起前一代規(guī)格的產(chǎn)品，第四代在一片晶圓上產(chǎn)出的DRAM數(shù)量增加了約25%，成本競(jìng)爭(zhēng)力很高。新的芯片將在今年下半年開(kāi)始供應(yīng)給智能手機(jī)制造商，并且還將在2022年初開(kāi)始生產(chǎn)的DDR5芯片中應(yīng)用10納米EUV。世界第三大DRAM制造商SK海力士發(fā)布聲明，正式啟用EUV光刻機(jī)閃存內(nèi)存芯片，批量生產(chǎn)采用
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為什么ASML加速來(lái)華？

芯片雖小，制造難度卻很大，而且芯片制造的關(guān)鍵設(shè)備光刻機(jī)的缺乏，更是成為限制我國(guó)高端芯片的一大難題。尤其是近兩年華為事件的不斷發(fā)酵，讓我國(guó)半導(dǎo)體芯片領(lǐng)域的問(wèn)題越加明顯，那就是在芯片制造的設(shè)備上，我國(guó)依然受制于人的問(wèn)題相當(dāng)嚴(yán)重。為什么ASML加速來(lái)華？北大教授的發(fā)聲很現(xiàn)實(shí)，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)突破在即雖然華為研發(fā)出基于5nm工藝的麒麟9000芯片，令一眾對(duì)手刮目相看，但是沒(méi)有臺(tái)積電為其代工生產(chǎn)，沒(méi)有屬于中國(guó)自己的高端光刻機(jī)，就等同于一張“紙老虎”。作為中國(guó)大陸最先進(jìn)的芯片制造企業(yè)中芯國(guó)際，因?yàn)闆](méi)有高端光刻機(jī)，至今仍然沒(méi)
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