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EEPW首頁 >> 主題列表 >> igbt fs7

CONCEPT設計中心將提供定制IGBT驅(qū)動器解決方案

  • Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設一家新的設計中心。該設計中心將基于其驅(qū)動核開發(fā)半定制門極驅(qū)動設計，并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺為大型項目研發(fā)和量身定制驅(qū)動器。
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IGBT選型需要注意諸多事項

  • 絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是總線電壓幾百至上千伏的應用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍...
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提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法

  • 提高太陽能逆變器效能的IGBT選擇方法,如今市場上先進功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項應用選擇到合適的功率元件，的確是一項艱巨的工作。就以太陽能逆變器應用來說，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
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功率器件IGBT應用中的常見問題解決方法

  • 1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
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M57962L芯片在IGBT驅(qū)動中的運用

  • IGBT是一種復合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。本文介紹了驅(qū)動電路M57962L的工作原理及解決方案：IGBT是一種...
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IGBT應用中常見問題及解決方法

  • 1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點的igbt，是一種新型的80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管，它控制方便、工作頻率...
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用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動器通用芯片

  • 1　引言
    　　scale-2芯片組是專門為適應當今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動器的功能需求而設計的。這些需求包括：可擴展的分離式開通與關(guān)斷門級電流通路;功率半導體器件在關(guān)斷時的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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基于運放退飽和的電阻爐溫度控制系統(tǒng)設計

  • 為了實現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制，采用運放退飽和的方法，當電阻爐溫度未達到設定值時，運放飽和輸出，所控制的驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比最大，IGBT近似全導通，電爐加熱功率最大，溫度快速上升；當溫度達到設定值時，運放開始退飽和，輸出電壓逐漸減小，從而減小驅(qū)動電路輸出脈沖的占空比，IGBT導通時間變短，電爐加熱功率減小，實現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測試，驗證了本設計的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點。
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隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

  • 11、請問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點設置在7V，這是對通過一個比較 ...
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隔離驅(qū)動IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

  • 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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國產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

  • 　　“十二五”規(guī)劃出臺以后，國家對新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國開始從粗放型用電到精細化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國家的重視，近兩年更是列入國家重大科技專項中提供多方位的支持。 　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導體分立器件，具有易于驅(qū)動、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機
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具有有源電壓鉗位功能的電動汽車IGBT驅(qū)動電路設計與研究

  • 摘要：由于電動汽車及混合動力機車的電池工作電壓范圍較大，在剎車能量回收、發(fā)電機發(fā)電、短路保護等工況下，防止IGBT產(chǎn)生過壓失效成為一個必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過壓失效的有效手段開始有所應用，本文對幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進行了分析，并提出在有源電壓鉗位在電動汽車IGBT驅(qū)動應用中的優(yōu)化建議。
  • 關(guān)鍵字： IGBT  電動汽車  201211  

IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺

  • 全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺采用IR的新一代溝道柵極場截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應用提供卓越性能。
  • 關(guān)鍵字： IR  Gen8  IGBT  

并聯(lián)有源電力濾波器保護的關(guān)鍵技術(shù)研究

  • 摘要：針對并聯(lián)有源電力濾波器在運行過程中會多次出現(xiàn)IGBT爆炸的問題，經(jīng)過實驗分析了IGBT的過電壓形成過程。鑒于IGBT的關(guān)斷時間極短，連接導線上寄生的微小雜散電感在高頻開關(guān)的作用下會產(chǎn)生尖峰過電壓，并與原有電
  • 關(guān)鍵字： SAPF  IGBT  過電壓  寄生電感  

電源管理半導體市場今年預計萎縮

  • 　　據(jù)IHS iSuppli公司的電源管理市場追蹤報告，今年全球電源管理半導體市場預計大幅萎縮6%，主要歸因于全球消費市場明顯疲軟。電源管理半導體對于各類設備節(jié)省能源至關(guān)重要。 　　2012年電源管理芯片營業(yè)收入預計從去年的318億美元降至299億美元。相比之下，去年該產(chǎn)業(yè)在2010年314億美元的基礎上小幅增長1.5%。 　　明年該市場將恢復增長，預計上升7.6%至322億美元，略高于去年的水平。對于電源管理半導體產(chǎn)業(yè)來說，7.6%的增幅相當一般。繼明年之后接下來的三年，市場將保持溫和增長，2016
  • 關(guān)鍵字： IHS  電源管理  半導體  IGBT  
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igbt fs7介紹

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