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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> igbt fs7

IGBT光伏發(fā)電逆變電路

  • 國(guó)內(nèi)外大多數(shù)光伏發(fā)電系統(tǒng)是采用功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET構(gòu)成的逆變電路。然而隨著電壓的升高，MOSFET的通態(tài)電阻也 ...
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IGBT在大功率斬波中問(wèn)題的應(yīng)用

  • 斬波是電力電子控制中的一項(xiàng)變流技術(shù)，其實(shí)質(zhì)是直流控制的脈寬調(diào)制，因其波形如同斬切般整齊、對(duì)稱(chēng)，故名斬波。斬波在內(nèi)饋調(diào)速控制中占有極為重要的地位，它不僅關(guān)系到調(diào)速的技術(shù)性能，而且直接影響設(shè)備的運(yùn)行安全和
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安森美推出9款新的高能效方案

  • 應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)擴(kuò)充N(xiāo)GBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場(chǎng)截止(FS) 絕緣門(mén)雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
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面向汽車(chē)應(yīng)用的IGBT功率模塊淺談

  • 中心論題：由于汽車(chē)環(huán)境的復(fù)雜多變，EV和HEV中的IGBT模塊要經(jīng)受?chē)?yán)峻的熱和機(jī)械條件(振動(dòng)和沖擊)的考驗(yàn)在功率循環(huán)、熱循環(huán)、機(jī)械振動(dòng)或機(jī)械沖擊試驗(yàn)中IGBT模塊會(huì)出現(xiàn)的一些典型的故障模式廠商推出用于HEV的高可靠性IG
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路M57962L的剖析

  • 中心論題：IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。驅(qū)動(dòng)電路M57962L簡(jiǎn)介。M57962L的工作原理。解決方案：一個(gè)2.5V～5.0V的閥值電壓使IGBT對(duì)柵極電荷集聚很敏感。檢測(cè)管壓降VCE的大小可識(shí)別IGBT是否過(guò)流。封閉性
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IR針對(duì)家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用推出新型IGBT

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 推出IRGR4045DPbF和IRGS4045DPbF，以此拓展絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 系列。全新600V超高速溝道IGBT能夠?yàn)橄匆聶C(jī)和冰箱等家電與輕工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提升性能及效率。
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Microsemi擴(kuò)展NPT IGBT產(chǎn)品系列

  • 致力于能源、安全、可靠性與高性能領(lǐng)域，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC)宣布其新一代1200V非穿通型(non-punch through，NPT)系列的三款I(lǐng)GBT新產(chǎn)品面世：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。
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飛兆借助新款帶短路功能的IGBT提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)效率和可靠性

  • 全球領(lǐng)先的高性能功率和移動(dòng)產(chǎn)品供應(yīng)商飛兆半導(dǎo)體公司(Fairchild Semiconductor)已經(jīng)擴(kuò)充其短路額定IGBT產(chǎn)品組合，為電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)者提供更高的效率、功率密度和可靠性，以便支持低損耗和短路耐用性至關(guān)重要的三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。
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IGBT高壓變頻器在高爐水沖渣系統(tǒng)的應(yīng)用

  • 1 概述高爐冶煉中產(chǎn)生大量的熔渣，通常是用大流量的中壓水將其降溫并沖散，同時(shí)輸送到水渣池回收，作為煉鐵的副產(chǎn)品.高爐生產(chǎn)是不間斷的，一般情況下每天出鐵15次，出鐵前、后各放一次渣，兩次出渣時(shí)間共約30 min.在
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英飛凌發(fā)布2012年財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)

  • 第三季度的營(yíng)收額為9.9億歐元，與上個(gè)季度大體持平;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為1.26億歐元(利潤(rùn)率為12.7%); 2012年第四季度業(yè)績(jī)展望確認(rèn)：營(yíng)收額穩(wěn)中有降;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率大約為12%; 2013財(cái)年的計(jì)劃投資額大大低于2012財(cái)年
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如何保護(hù)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器與可再生能源系統(tǒng)中的IGBT

  • 電源轉(zhuǎn)換電路經(jīng)常被應(yīng)用在馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器或可再生能源的功率轉(zhuǎn)換上，設(shè)計(jì)中包括可以將直流電壓轉(zhuǎn)換為交流電壓的電源轉(zhuǎn)換器，以便用來(lái)推動(dòng)馬達(dá)或連接到可再生能源系統(tǒng)的電網(wǎng)(圖1)。
    圖1，交流-直流-交流轉(zhuǎn)換器功能框圖。
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件設(shè)計(jì)所需要的一些技巧

  • 標(biāo)簽：功率器件 IGBT功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過(guò)載，短路等條件所造成的損害。本在線研討會(huì)介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)
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1700V，200～300A IGBT的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路設(shè)計(jì)

  • 標(biāo)簽：IGBT 電源0 引言IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低
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二極管+IGBT：新架構(gòu)能帶來(lái)什么新應(yīng)用？

  • 技術(shù)特點(diǎn)：逆向?qū)ㄐ虸GBT將二極管和IGBT集成在同一個(gè)晶片里節(jié)省空間，價(jià)格低175度的結(jié)溫，EMI效果良好應(yīng)用領(lǐng)域：洗衣機(jī)、洗碗器、吸塵器、空調(diào)、冰箱的壓縮機(jī)、伺服驅(qū)動(dòng)、風(fēng)扇由于現(xiàn)在經(jīng)濟(jì)的快速發(fā)展，能源的消耗也
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淺析柵極電阻RG對(duì)IGBT開(kāi)關(guān)特性的性能影響

  • 1 前言　　用于控制、調(diào)節(jié)和開(kāi)關(guān)目的的功率半導(dǎo)體器件需要更高的電壓和更大的電流。功率半導(dǎo)體器件的開(kāi)關(guān)動(dòng)作受柵極電容的充放電控制。而柵極電容的充放電通常又受柵極電阻的控制。通過(guò)使用典型的+15V控制電壓(VG(on
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igbt fs7介紹

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