intel ceo 文章 進入intel ceo技術(shù)社區(qū)
用數(shù)據(jù)說話:Intel AMD 臺積電三大芯片廠商制程技術(shù)發(fā)展對比
- Intel很快便要推出其新款處理器,代號Westmere的32nm制程處理器。這款處理器在內(nèi)部架構(gòu)方面與現(xiàn)有的Nehalem近似。不過在制程方面 Intel則邁出了一大步,進化到了32nm制程。在Intel的32nm制程技術(shù)中,他們將使用其第二代HKMG(High-k金屬門)技術(shù)。而相比之 下,其它的廠商的第一代HKMG技術(shù)都還沒有付諸實用。那么,Intel在新一輪的32nm制程競賽中的領(lǐng)先程度有多大呢?以下我們便為讀者進行分析。 首先,我們把Intel和其最大的對手AMD,以及另一家代工企業(yè)臺
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Intel化合物半導(dǎo)體研究取得里程碑式突破
- Intel近日宣布在化合物半導(dǎo)體晶體管的研究中取得了里程碑式的重大突破,通過集成高K柵極獲得了更快的晶體管切換速度,消耗能量卻更少。Intel一直在研究將現(xiàn)在普遍適用的晶體管硅通道替換成某種化合物半導(dǎo)體材料,比如砷化鎵銦(InGaAs)。目前,此類晶體管使用的是沒有柵極介質(zhì)的肖特基柵極(Schottky gate),柵極漏電現(xiàn)象非常嚴重。 Intel現(xiàn)在為這種所謂的量子阱場效應(yīng)晶體管(QWFET)加入了一個高K柵極介質(zhì),并且已經(jīng)在硅晶圓基片上制造了一個原型設(shè)備,證明新技術(shù)可以和現(xiàn)有硅制造工藝相結(jié)
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Apple對Intel圖形芯片說NO
- 來自國外科技網(wǎng)站macrumors.com的消息稱,Intel將于明年1月初發(fā)布新一代主流移動平臺,其中代號Arrandale的CPU首次將圖形核心集成在處理器內(nèi),相當于把原有的CPU和集成顯卡芯片組北橋合二為一。其中CPU核心為32nm工藝制造,而圖形核心則為45nm工藝制造。預(yù)計全球各大廠商將從年初開始陸續(xù)推出使用Arrandale處理器的筆記本新品,但根據(jù)BSN網(wǎng)站的報道,偏偏有一家廠商并不買Intel的帳。 不出所料,這家特立獨行的廠商就是蘋果。據(jù)“接近此事核心的內(nèi)部人士&r
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Intel安騰處理器業(yè)務(wù)10年后終于盈利
- 1999年,Intel給自己的64位頂級服務(wù)器處理器取了一個新名字:Itanium安騰,希望它能夠擊敗IBM、Sun等競爭對手的產(chǎn)品,占據(jù)企業(yè)級高端服務(wù)器市場,甚至未來有一天可能推出基于這一全新架構(gòu)的PC處理器。安騰架構(gòu)的CISC指令集最初由惠普提出,后來由Intel和惠普共同開發(fā)。然而自發(fā)布后的近十年時間里,除了Intel和惠普外很少有其他公司推 出安騰服務(wù)器產(chǎn)品。由于其指令集和x86并不兼容,所有軟件都需要重寫,應(yīng)用一直非常有限。另外,各代安騰處理器也一直被延期和Bug所困擾。種種問題都 導(dǎo)致In
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英特爾本月內(nèi)完成上海封測廠遷成都作業(yè)
- 英特爾(Intel)中國執(zhí)行董事戈峻在日前的四川跨國公司產(chǎn)業(yè)合作座談會暨簽約儀式上表示,將再次對英特爾成都廠進行增資,金額為 7,500萬美元。此外,備受關(guān)注的上海浦東封測廠西遷成都一案亦進入關(guān)鍵時刻,估計1個月內(nèi)即可完成整合作業(yè),英特爾建構(gòu)的三角戰(zhàn)略架構(gòu)亦將成形。 英特爾自2003年進軍成都,已連續(xù)3次增資,對成都的總投資額由原先的3.75億美元提高至6億美元。 另外,此次英特爾將位于上海浦東外高橋保稅區(qū)的封測廠西遷與成都廠整合后,將成為該公司在亞洲地區(qū)最大的封測廠,推測未來幾年成都廠亦
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AT89S51單片機并行I/O端口的擴展
- 關(guān)鍵字: AT89S51 擴展 Intel 8155 單片機最小系統(tǒng)
Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
- 關(guān)鍵字: Intel 5納米 DRAM NAND
固態(tài)硬盤永遠無法徹底取代機械硬盤?
- 固態(tài)硬盤產(chǎn)業(yè)雖然風生水起,但受限于各種因素,短期內(nèi)還無法取代機械硬盤,而最新研究給出的結(jié)論是固態(tài)硬盤將永無出頭之日?!禝EEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù),看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤,結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者:相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾
- 關(guān)鍵字: Intel 存儲芯片 PCRAM
北京微電子國際研討會再燃摩爾定律之爭
- 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇之際,北京微電子國際研討會于10月27日成功召開,摩爾定律這一引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“圣經(jīng)”再次成為了主題演講會場爭論的焦點。 摩爾定律減速之爭 Intel中國研究院院長方之熙認為,摩爾定律還將延續(xù),技術(shù)的發(fā)展不會止步。目前Intel已開始15nm技術(shù)的研發(fā),2011年將開始10nm技術(shù)的研發(fā)。追溯Intel的歷史,每兩年一代的新技術(shù)推出從未延遲,例如2005年的65nm技術(shù),2007年的45nm技術(shù)及2009年的32nm技術(shù)都為業(yè)界帶來的全新的產(chǎn)
- 關(guān)鍵字: Intel 摩爾定律 45nm
intel ceo介紹
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