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iSuppli：DRAM芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致PC漲價(jià)

  • 　　iSuppli警告稱，DRAM內(nèi)存芯片供應(yīng)緊張將導(dǎo)致今年下半年這類芯片價(jià)格上漲。 　　iSuppli指出，當(dāng)前DRAM廠商面臨兩類供應(yīng)問(wèn)題：無(wú)法獲得必要的生產(chǎn)設(shè)備，部署先進(jìn)生產(chǎn)工藝的大量工作。 　　DRAM芯片供應(yīng)緊張對(duì)全球計(jì)算機(jī)市場(chǎng)而言是個(gè)壞消息。盡管計(jì)算機(jī)銷量急劇增長(zhǎng)——第二季度同比增長(zhǎng)22.4%，DRAM芯片廠商仍然在努力走出去年的危機(jī)。 　　去年，許多DRAM芯片廠商沒有資金采購(gòu)生產(chǎn)設(shè)備，今年它們向生產(chǎn)設(shè)備廠商訂購(gòu)了大量產(chǎn)品。在DRAM芯片領(lǐng)域成功的關(guān)鍵是盡可能快
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iSuppli警告：DRAM下半年供不應(yīng)求

  • 　　市場(chǎng)研究業(yè)者iSuppli警告，由于動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)芯片的制造產(chǎn)能有限，DRAM市場(chǎng)下半年可能供不應(yīng)求。 　　分析師霍華德(Mike Howard)預(yù)期，今年DRAM芯片出貨量可望成長(zhǎng)49%，其中多數(shù)集中在下半年。他預(yù)測(cè)，今年第三、四季的DRAM芯片出貨量將分別比前一季成長(zhǎng)11%左右，由于增加的需求都集中在下半年，屆時(shí)供應(yīng)DRAM芯片的產(chǎn)能恐難以負(fù)荷。 　　iSuppli指出，有兩個(gè)問(wèn)題可能影響下半年的DRAM供應(yīng)量，甚至恐會(huì)造成供不應(yīng)求。首先，由于全球最大半導(dǎo)體微影工具供貨商艾斯摩爾
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第二季DRAM與NAND市場(chǎng)狀況及廠營(yíng)收排行

  • 　　根據(jù)集邦科技(TrendForce)旗下研究部門DRAMeXchange的調(diào)查，今年第二季營(yíng)收在DRAM合約價(jià)格穩(wěn)定上揚(yáng)及產(chǎn)出持續(xù)增加下，全球DRAM產(chǎn)業(yè)第二季營(yíng)收數(shù)字達(dá)107億美元(10.70 Billion USD)，較首季的93億美元(9.29 Billion USD)，成長(zhǎng)約15%。在 NAND Flash 部分，品牌廠商第二季整體營(yíng)收為47億7,600萬(wàn)美元，較首季43億6,300萬(wàn)美元成長(zhǎng)約9.5%。 　　三星第二季營(yíng)收仍居全球DRAM廠之冠 　　從市場(chǎng)面觀察，由于第二季 DRAM 合
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iSuppli：下半年DRAM芯片短缺 價(jià)格將上漲

  • 　　市場(chǎng)研究公司iSuppli周一表示，下半年，用于個(gè)人電腦的主存儲(chǔ)芯片的短缺，將導(dǎo)致芯片價(jià)格上漲。DRAM芯片廠商目前面臨兩個(gè)供應(yīng)問(wèn)題：無(wú)力獲得所 需的生產(chǎn)設(shè)備和難以引入高新技術(shù)。DRAM芯片短缺將為全球電腦市場(chǎng)帶來(lái)危機(jī)。市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)IDC最新數(shù)據(jù)顯示，二季度個(gè)人電腦出貨量同比增長(zhǎng) 22.4%，而與此同時(shí)，DRAM芯片廠商仍然在試圖從去年的經(jīng)濟(jì)低迷中復(fù)蘇。 　　去年眾多DRAM廠商沒有足夠的資金來(lái)購(gòu)買新設(shè)備，今年他們從設(shè)備廠商手中訂購(gòu)了大量產(chǎn)品。 DRAM市場(chǎng)成功的關(guān)鍵在于盡可能快的生產(chǎn)出盡可能多、盡
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華邦：NOR Flash市場(chǎng)3Q漲價(jià)不易

  • 　　存儲(chǔ)器大廠華邦第2季毛利率大幅提升至25%，稅后獲利較上季成長(zhǎng)率高達(dá)222%;總經(jīng)理詹東義表示，華邦宣告轉(zhuǎn)型告捷，第2季標(biāo)準(zhǔn)型DRAM營(yíng)收比重降至2%，未來(lái)華邦是全方面存儲(chǔ)器供應(yīng)商，第2季表現(xiàn)最佳的是NOR Flash產(chǎn)品線，其次是Mobile RAM，惟原本預(yù)計(jì)第4季才會(huì)供需平衡的NOR Flash市場(chǎng)，提前在第3季發(fā)生，因此預(yù)期第3季NOR Flash價(jià)格上漲不易，但華邦會(huì)推出新產(chǎn)品和持續(xù)耕耘一線大客戶，第3季整體成長(zhǎng)動(dòng)能仍是持續(xù)。 　　華邦第2季合并營(yíng)收新臺(tái)幣85.31億元，較上季成長(zhǎng)22%，
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DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

  • 　　近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認(rèn)為，2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn)，因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)不會(huì)有暴利，只有合理的利潤(rùn)空間。 　　2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期，當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn)，DRAM市場(chǎng)陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
  • 關(guān)鍵字： 南亞科  DRAM  

DRAM漲價(jià)效應(yīng)難再現(xiàn)　供給大增考驗(yàn)價(jià)格承受力

  • 　　近2年DRAM價(jià)格的高點(diǎn)都出現(xiàn)在上半年，下半年雖然有傳統(tǒng)旺季的加持，但DRAM價(jià)格反而都是一路走下坡的趨勢(shì)，除了是全球經(jīng)濟(jì)局勢(shì)變量太多，各廠力拼制程微縮，拼命轉(zhuǎn)進(jìn)新制程以增加產(chǎn)出，也是因素之一;目前各界認(rèn)為，2010年上半1顆DDR3單價(jià)3美元的時(shí)光已難再現(xiàn)，因?yàn)殡S著50奈米制程量產(chǎn)，每顆芯片成本降到1美元，未來(lái)DRAM產(chǎn)業(yè)不會(huì)有暴利，只有合理的利潤(rùn)空間。 　　2010年3~4月是DRAM價(jià)格的高峰期，當(dāng)時(shí)個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)換機(jī)潮涌現(xiàn)，DRAM市場(chǎng)陷入嚴(yán)重的供不應(yīng)求，供給端大家都在轉(zhuǎn)換新制程，狀況也
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DDR2季度出貨大幅縮水 三星芯片份額第一

  • 　　市場(chǎng)調(diào)研公司集邦科技今天發(fā)布了二季度全球內(nèi)存市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)報(bào)告。受到期貨價(jià)格穩(wěn)定和出貨量小幅增長(zhǎng)的利好影響，該季度全球DRAM收入環(huán)比上漲15.2%到107億美元。雖然1Gb DDR3的現(xiàn)貨價(jià)格環(huán)比下降了3%，但是2GB DDR3內(nèi)存的期貨價(jià)格卻環(huán)比上漲了10%;受到1Gb DDR2價(jià)格進(jìn)一步下滑的影響，DDR2內(nèi)存該季度的出貨量大幅度降低。 　　二季度全球DRAM出貨量環(huán)比增長(zhǎng)10%，但所用晶圓出貨量增長(zhǎng)率只有3.8%。集邦科技分析稱，芯片供應(yīng)商都將重點(diǎn)放在了制程工藝的升級(jí)，而非產(chǎn)能提升上面。 　　三
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先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

  • 　　Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來(lái)全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。 　　正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張，使得長(zhǎng)年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。 　　于此同時(shí)，全球DRAM市場(chǎng)的
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EUV要加大投資強(qiáng)度

  • 　　未來(lái)半導(dǎo)體制造將越來(lái)越困難已是不爭(zhēng)的事實(shí)。巴克萊的C J Muse認(rèn)為如DRAM制造商正處于關(guān)鍵的成品率挑戰(zhàn)階段，在4x，3x節(jié)點(diǎn)時(shí)發(fā)現(xiàn)了許多問(wèn)題。目前盡管EUV光刻己經(jīng)基本就緒(或者還沒有)，是黃金時(shí)刻，然后在芯片制造中其它的工藝技術(shù)的挑戰(zhàn)也有很多，如兩次圖形曝光(在NAND，DRAM及l(fā)ogic中)，高k金屬柵等。由此，在未來(lái)的2011-2012年，甚至更長(zhǎng)一段時(shí)期內(nèi)必須要加大投資強(qiáng)度。(Citigroup的Tim Arcuri建議要有五年時(shí)間，它是在牛/熊市小組座談會(huì)上發(fā)表此看法) 。另一位會(huì)議
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先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換 Q4全球DRAM市場(chǎng)趨向供過(guò)于求

  • 　　Digitimes Research分析師柴煥欣分析，2008年下半受金融海嘯沖擊，除三星電子(Samsung Electronics)外，全球主要DRAM廠商皆發(fā)生巨額虧損，為保有手中資金，各DRAM廠商先后采取減產(chǎn)、裁員、關(guān)閉不具效益廠房等策略，此舉亦讓自2006年以來(lái)全球DRAM產(chǎn)業(yè)擴(kuò)廠競(jìng)賽劃下句點(diǎn)。 　　正因產(chǎn)能擴(kuò)充有限，并伴隨2009年第1季全球景氣見到最低點(diǎn)且逐季好轉(zhuǎn)，全球DRAM需求量亦同步擴(kuò)張，使得長(zhǎng)年下跌的DRAM報(bào)價(jià)亦在2009年得以止跌回升。 　　于此同時(shí)，全球DRAM市場(chǎng)的
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力晶半導(dǎo)體：DRAM芯片價(jià)格8月回漲

  • 　　內(nèi)存價(jià)格最近是一路下滑，特別是已經(jīng)失去主流地位的DDR2。不過(guò)力晶半導(dǎo)體董事長(zhǎng)黃崇仁近日就表示，DRAM芯片價(jià)格將在8月份反彈，價(jià)格回漲，十一月份和十二月份可能會(huì)受季節(jié)性銷售因素影響再度下滑。 　　黃崇仁稱，DRAM芯片近期的價(jià)格下滑是由于市場(chǎng)需求過(guò)低導(dǎo)致，并不是芯片供應(yīng)商之間的價(jià)格戰(zhàn)引起，而且他還認(rèn)為，PC OEM廠商為了降低生產(chǎn)成本，降低了一些產(chǎn)品的存儲(chǔ)容量，從而影響了市場(chǎng)需求。 　　他還對(duì)未來(lái)2-3年的DRAM持樂觀態(tài)度，不過(guò)認(rèn)為芯片容量的上升對(duì)產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展的促進(jìn)有限。 　　此外黃崇仁還表
  • 關(guān)鍵字： 力晶  DRAM  內(nèi)存價(jià)格  

誰(shuí)是下一個(gè)奇夢(mèng)達(dá)？

  • 　　近期韓系DRAM大廠──三星、海力士先后宣布上調(diào)2010年資本支出，手筆之大令人驚愕。三星將對(duì)芯片業(yè)務(wù)支出20萬(wàn)億韓元(約合177億美元)，該數(shù)字是此前支出計(jì)劃的兩倍多;海力士也將資本支出提高了三分之一，達(dá)到3.05萬(wàn)億韓元(約合27億美元)。預(yù)計(jì)這些支出中將有相當(dāng)一部分進(jìn)入DRAM業(yè)務(wù)。 　　2007年以來(lái)，DRAM市場(chǎng)開始了一段令廠商苦不堪言的低迷期，直到2009年第一季度見底。此間曾排名第三的DRAM大廠奇夢(mèng)達(dá)轟然倒塌，令業(yè)界震驚扼腕。市場(chǎng)低迷的根本原因是產(chǎn)能過(guò)剩、供過(guò)于求。2006年市場(chǎng)獲得
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Immersion機(jī)臺(tái)缺貨　臺(tái)DRAM廠改采購(gòu)舊機(jī)種應(yīng)急

  • 　　全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)走入50奈米制程后，浸潤(rùn)式曝光機(jī)臺(tái)(Immersion Scanner)出現(xiàn)大缺貨，尤其是最新款的NXT:1950i機(jī)種上，交期幾乎拉到快12個(gè)月，使得2010年才下訂單的臺(tái)系DRAM廠苦等多時(shí);存儲(chǔ)器業(yè)者透露，爾必達(dá)(Elpida)陣營(yíng)開始轉(zhuǎn)向采購(gòu)舊機(jī)種XT:1950i應(yīng)急。然美光(Micron)陣營(yíng)則認(rèn)為，舊機(jī)種頂多用到40奈米制程就是極限，不像新機(jī)種NXT:1950i可以一路做到30奈米。 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在進(jìn)入50奈米以下制程，都必須開始用Immersion Scanner，此機(jī)
  • 關(guān)鍵字： Elpida  DRAM  50奈米  

ASML整合微影方案獲意法采用

  • 　　受惠于晶圓代工與DRAM廠推出先進(jìn)制程，對(duì)浸潤(rùn)式顯影機(jī)臺(tái)需求大增，讓半導(dǎo)體設(shè)備大廠艾斯摩爾(ASML)2010年接單暢旺，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)5x奈米以下先進(jìn)制程，制程復(fù)雜度大增，亦需加緊提高量良率，讓ASML甫于2009年推出的整合微影技術(shù)(Holistic Lithography)系列產(chǎn)品，已獲得意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)采用于28奈米制程。 　　ASML指出，隨著半導(dǎo)體制程推進(jìn)到50x奈米以下制程，業(yè)者投入的經(jīng)費(fèi)越來(lái)越高昂，生產(chǎn)時(shí)程亦拉得更長(zhǎng)，良率更難提升，制程容許度(p
  • 關(guān)鍵字： ASML  DRAM  晶圓代工  
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