mosfet 文章進(jìn)入mosfet 技術(shù)社區(qū)

貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量儲存系統(tǒng)、電動汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
關(guān)鍵字：貿(mào)澤英飛凌 CoolSiC G2 MOSFET

英飛凌OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET ，助力汽車控制器應(yīng)用

OptiMOS? 7 40V 車規(guī)MOSFET概況采用OptiMOS? 7 技術(shù)的40V車規(guī)MOSFET產(chǎn)品系列，進(jìn)一步提升比導(dǎo)通電阻，減小RDSON*A，即在同樣的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)更低的RDSON，或者說在更小的晶圓面積下實(shí)現(xiàn)相同的RDSON。如下圖所示，英飛凌40V MOSFET不同代際產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻的演進(jìn)。英飛凌40V MOSFET比導(dǎo)通電阻代際演進(jìn)英飛凌OptiMOS? 7 技術(shù)是英飛凌開發(fā)的第五代溝槽技術(shù)，是當(dāng)今領(lǐng)先的雙多晶硅溝槽技術(shù)。無引腳封裝結(jié)合銅夾技術(shù)的使用，大幅提高了產(chǎn)品的電流能
關(guān)鍵字： OptiMOS MOSFET 英飛凌

用先進(jìn)的SPICE模型模擬MOSFET電流-電壓特性

在本文中，我們使用90nm CMOS的SPICE模型來繪制NMOS晶體管的關(guān)鍵電學(xué)關(guān)系。在前一篇文章中，我解釋了如何獲得集成電路MOSFET的高級SPICE模型，并將其納入LTspice仿真中。然后，我們使用這個模型來研究NMOS晶體管的閾值電壓。在本文中，我們將使用相同的模型來生成直觀地傳達(dá)晶體管電氣行為的圖。繪制漏極電流與漏極電壓我們將從生成漏極電流（ID）與漏極-源極電壓（VDS）的基本圖開始。為此，我們將柵極電壓設(shè)置為遠(yuǎn)高于閾值電壓的固定值，然后執(zhí)行直流掃描模擬，其中VDD的值逐漸增加。圖1顯示了
關(guān)鍵字： LTspice MOSFET NMOS

英飛凌推出全新600 V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，適用于高成本效益的先進(jìn)電源應(yīng)用

英飛凌科技股份公司近日推出600 V CoolMOS??8?高壓超結(jié)（SJ）MOSFET產(chǎn)品系列。該系列器件結(jié)合了600 V CoolMOS??7 MOSFET系列的先進(jìn)特性，是P7、PFD7、C7、CFD7、G7?和?S7產(chǎn)品系列的后續(xù)產(chǎn)品。全新超結(jié)MOSFET實(shí)現(xiàn)了具有高成本效益的硅基解決方案，豐富了英飛凌的寬帶隙產(chǎn)品陣容。該系列產(chǎn)品配備集成式快速體二極管，適用于服務(wù)器和工業(yè)開關(guān)模式電源裝置（SMPS）、電動汽車充電器、微型太陽能等廣泛應(yīng)用。這些元件采
關(guān)鍵字：英飛凌 oolMOS 8 SJ MOSFET 電源應(yīng)用

瞻芯電子：第三代SiC MOSFET通過車規(guī)認(rèn)證

6月23日，瞻芯電子宣布，公司基于第三代工藝平臺開發(fā)的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過車規(guī)級可靠性(AEC-Q101)測試認(rèn)證。同時，瞻芯電子第三代1200V SiC MOSFET工藝平臺正式量產(chǎn)，后續(xù)將依托浙江義烏的車規(guī)級SiC晶圓廠推出更多第三代SiC MOSFET產(chǎn)品。瞻芯電子成立于2017年，是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司，致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品。瞻芯電子表示，第三代1200V 13
關(guān)鍵字：瞻芯電子 SiC MOSFET 車規(guī)認(rèn)證

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

隨著人工智能（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒塆PU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品。現(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC??MOS
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolSiC MOSFET AI服務(wù)器電源

英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600V CoolMOS S7TA MOSFET

全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出適用于汽車功率管理應(yīng)用的600 V CoolMOS? S7TA超級結(jié)MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的特殊要求而設(shè)計(jì)，其集成溫度傳感器在工業(yè)應(yīng)用同類產(chǎn)品（CoolMOS? S7T）取得的進(jìn)步基礎(chǔ)上，顯著提高了結(jié)溫傳感的精度，因此具有諸如更高的耐用性、安全性和效率等對于汽車領(lǐng)域至關(guān)重要的優(yōu)勢。與同系列中的工業(yè)級產(chǎn)品一樣，車規(guī)級CoolMOS? S7TA?尤其適合固態(tài)繼電器（SSR）應(yīng)用。它具有出色的RDS(on)?
關(guān)鍵字：英飛凌溫度傳感器 CoolMOS MOSFET

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET

新型OptiMOS 7 MOSFET改進(jìn)汽車應(yīng)用中的導(dǎo)通電阻、設(shè)計(jì)穩(wěn)健性和開關(guān)效率

英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)大其用于汽車應(yīng)用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET產(chǎn)品組合，在40 V?產(chǎn)品組合中新增了采用穩(wěn)健且無鉛封裝的器件，并且推出了80 V和100 V型號的OptiMOS? 7 MOSFET。這些MOSFET針對各項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)和未來的48 V汽車應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，包括電動助力轉(zhuǎn)向、制動系統(tǒng)、新區(qū)域架構(gòu)中的功率開關(guān)、電池管理、電子保險絲盒，以及各種12 V和48 V電氣系統(tǒng)應(yīng)用中的直流/直流和BLDC驅(qū)動器等。這些產(chǎn)品還適用于輕型電動汽車（LEV）、電動二輪車、電動踏板車、電動摩
關(guān)鍵字：英飛凌科技汽車應(yīng)用 OptiMOS? 7 MOSFET

使用先進(jìn)的SPICE模型表征NMOS晶體管

為特定CMOS工藝節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的SPICE模型可以增強(qiáng)集成電路晶體管的模擬。了解在哪里可以找到這些模型以及如何使用它們。我最近寫了一系列關(guān)于CMOS反相器功耗的文章。該系列中的模擬采用了LTspice庫中預(yù)加載的nmos4和pmos4模型。雖然這種方法完全適合這些文章，但如果我們的主要目標(biāo)是準(zhǔn)確模擬集成電路MOSFET的電學(xué)行為，那么結(jié)合一些外部SPICE模型是有意義的。在本文中，我將介紹下載用于IC設(shè)計(jì)的高級SPICE模型并在LTspice原理圖中使用它們的過程。然后，我們將使用下載的模型對NMOS晶體管進(jìn)
關(guān)鍵字： CMOS，MOSFET 晶體管，Spice模型

安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)，您知道嗎？

安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關(guān)性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。此前我們描述了M3S的一些關(guān)鍵特性以及與第一代相比的顯著性能提升，本文則將重點(diǎn)介紹M3S產(chǎn)品的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)和使用技巧。寄生導(dǎo)通問題由于NTH4L022N120M3S的閾值電壓具有 NTC，因此在最高結(jié)溫TJ(MAX) = 175°C時具有最低值。即使數(shù)據(jù)表中的典型V
關(guān)鍵字： SiC MOSFET RSP

英飛凌推出TOLT和Thin-TOLL封裝的新型工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

在技術(shù)進(jìn)步和低碳化日益受到重視的推動下，電子行業(yè)正在向結(jié)構(gòu)更緊湊、功能更強(qiáng)大的系統(tǒng)轉(zhuǎn)變。英飛凌科技股份公司推出的Thin-TOLL 8x8和TOLT封裝正在積極支持并加速這一趨勢。這些產(chǎn)品能夠更大程度地利用PCB主板和子卡，同時兼顧系統(tǒng)的散熱要求和空間限制。目前，英飛凌正在通過采用?Thin-TOLL 8x8?和?TOLT?封裝的兩個全新產(chǎn)品系列，擴(kuò)展其?CoolSiC? MOSFET分立式半導(dǎo)體器件?650 V產(chǎn)品組合。這兩個產(chǎn)品系列基于Coo
關(guān)鍵字：英飛凌 CoolSiC MOSFET

MOSFET在服務(wù)器電源上的應(yīng)用

服務(wù)器電源主要用在數(shù)據(jù)中心場景中，主要應(yīng)用于服務(wù)器、存儲器等設(shè)備。它和PC電源一樣，都是一種開關(guān)電源。服務(wù)器電源按照標(biāo)準(zhǔn)可以分為ATX電源和SSI電源兩種。ATX標(biāo)準(zhǔn)是Intel在1997年推出的一個規(guī)范，使用較為普遍，輸出功率一般在125瓦～350瓦之間主要用于臺式機(jī)、工作站和低端服務(wù)器。SSI（Server System Infrastructure）規(guī)范是Intel聯(lián)合一些主要的IA架構(gòu)服務(wù)器生產(chǎn)商推出的新型服務(wù)器電源規(guī)范，SSI規(guī)范的推出是為了規(guī)范服務(wù)器電源技術(shù)，降低開發(fā)成本，延長服務(wù)器的使用壽命
關(guān)鍵字： MOSFET 服務(wù)器電源

PANJIT最新高效能60V/100V/150V車規(guī)級MOSFET系列

PANJIT?推出最新的60V、100V?和?150V?車規(guī)級?MOSFET，此系列通過先進(jìn)的溝槽技術(shù)設(shè)計(jì)達(dá)到優(yōu)異性能和效率。此系列?MOSFET?專為汽車和工業(yè)電力系統(tǒng)設(shè)計(jì)，提供優(yōu)異的品質(zhì)因數(shù)（FOM），顯著降低?RDS(ON)?和電容。這確保了最低的導(dǎo)通和開關(guān)損耗，從而提升了整體性能。新系列?MOSFET?提供多種封裝，包括DFN3333-8L、DFN5060-8L、DFN5060B-8L、T
關(guān)鍵字： PANJIT MOSFET

MOSFET基本原理、參數(shù)及米勒效應(yīng)全解

1MOSFET基本工作原理1.1小功率MOSFET場效應(yīng)管（FET）是利用輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，由于緊靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。場效應(yīng)管分為結(jié)型和絕緣柵兩種，因?yàn)榻^緣柵型晶體管（MOSFET，下面簡稱MOS管）的柵源間電阻比結(jié)型大得多且比結(jié)型場效應(yīng)管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，因而目前普遍采用絕緣柵型晶體管。MOS管分為N溝道和P溝道兩類，每一類又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種，只要柵極-源極電壓uGS為零時漏極電流也為零的管子均屬于增強(qiáng)型管，只要柵極-源極
關(guān)鍵字： MOSFET 參數(shù) 米勒效應(yīng)

共1259條 2/84 « 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 » ›|

mosfet 介紹

　　金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管，簡稱金氧半場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一種可以廣泛使用在類比電路與數(shù)位電路的場效晶體管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的極性不同，可分為n-type與p-type的MOSFET，通常又稱為NMOSFET與PMOSF [ 查看詳細(xì) ]