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瑞薩電子推出新款超級(jí)結(jié)MOSFET

  • 瑞薩電子公司 (TSE: 6723),高級(jí)半導(dǎo)體解決方案的主要供應(yīng)商,日前宣布推出三款新型超級(jí)結(jié)金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)三極管(超級(jí)結(jié)MOSFET),具有如下的特點(diǎn):600V功率半導(dǎo)體器件中的導(dǎo)通電阻X柵極電荷,適用于高速電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC轉(zhuǎn)換器和DC-AC逆變器應(yīng)用。
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MOSFET驅(qū)動(dòng)器及功耗計(jì)算方法

  • 我們先來(lái)看看MOS關(guān)模型:



    Cgs:由源極和溝道區(qū)域重疊的電極形成的,其電容值是由實(shí)際區(qū)域的大小和在不同工作條件下保持恒定。
    Cgd:是兩個(gè)不同作用的結(jié)果。第一JFET區(qū)域和門電極的重疊,第二是
    耗盡區(qū)電容
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Vishay推出新款8V N溝道TrenchFET 功率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK? SC-70封裝,具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻。
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高效能低電壓Power MOSFET及其參數(shù)與應(yīng)用

  • 前言近年來(lái),產(chǎn)業(yè)的發(fā)展、有限的資源及日益嚴(yán)重的地球暖化現(xiàn)象,促使環(huán)保節(jié)能的觀念逐漸受到重視,更造...
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MHP技術(shù)在鋰電池電路保護(hù)中的應(yīng)用

  • 鋰離子電池的先進(jìn)技術(shù)使得高能量的鋰離子電池具備更高的能量密度和更輕的重量,可以取代諸如電動(dòng)工具、電...
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理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗和主導(dǎo)參數(shù)

  • 本文詳細(xì)分析計(jì)算開(kāi)關(guān)損耗,并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程,從而使電子工程師知...
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羅姆開(kāi)發(fā)出用于DC/DC轉(zhuǎn)換器的耐壓30V功率MOSFET

  • 日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)面向服務(wù)器、筆記本電腦以及平板電腦等所使用的低耐壓DC/DC轉(zhuǎn)換器,開(kāi)發(fā)出了功率MOSFET。
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恩智浦推出首款2mmx2mm超薄封裝MOSFET

  • 恩智浦半導(dǎo)體(納斯達(dá)克代碼:NXPI)日前推出業(yè)內(nèi)首款2 mm x 2 mm、采用可焊性鍍錫側(cè)焊盤的超薄DFN (分立式扁平無(wú)引腳)封裝MOSFET。這些獨(dú)特的側(cè)焊盤提供光學(xué)焊接檢測(cè)的優(yōu)勢(shì),與傳統(tǒng)無(wú)引腳封裝相比,焊接連接質(zhì)量更好。
  • 關(guān)鍵字: 恩智浦  MOSFET  

IR推出車用功率MOSFET

  • 全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出采用堅(jiān)固耐用TO-220 fullpak封裝的車用功率MOSFET系列,適合包括無(wú)刷直流電機(jī)、水泵和冷卻系統(tǒng)在內(nèi)的各類汽車應(yīng)用。
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能使導(dǎo)通電阻下降的功率MOSFET相關(guān)情況解析方案

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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開(kāi)關(guān)電源MOSFET驅(qū)動(dòng)電路介紹及分析

  • 開(kāi)關(guān)電源由于體積小、重量輕、效率高等優(yōu)點(diǎn),應(yīng)用已越來(lái)越普及。MOSFET由于開(kāi)關(guān)速度快、易并聯(lián)、所需驅(qū)動(dòng)功率低等優(yōu)點(diǎn)已成為開(kāi)關(guān)電源最常用的功率開(kāi)關(guān)器件之一。而驅(qū)動(dòng)電路的好壞直接影響開(kāi)關(guān)電源工作的可靠性及性能
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MOSFET雙芯片功率封裝簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

  • 目前,電源工程師面臨的一個(gè)主要難題是,隨著功能的日益增多,商用電子產(chǎn)品的尺寸不斷縮小,留給電源電路的空間越來(lái)越少。解決這個(gè)難題的辦法之一是充分利用在MOSFET技術(shù)和封裝上的進(jìn)步。通過(guò)在更小尺寸的封裝內(nèi)采用
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中國(guó)新一代汽車電子的兩大設(shè)計(jì)趨勢(shì)

  • 如今的汽車市場(chǎng)正受到經(jīng)濟(jì)危機(jī)的沖擊,與此同時(shí),提高安全性能和綠色環(huán)保這兩大趨勢(shì)也驅(qū)動(dòng)著新一代汽車的發(fā)展,并...
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恩智浦推出新型汽車級(jí)TrenchMOS器件

  • 恩智浦半導(dǎo)體NXP Semiconductors N.V. (納斯達(dá)克:NXPI)日前宣布推出全新汽車級(jí)功率MOSFET器件系列,該系列采用恩智浦的Trench 6技術(shù),具有極低導(dǎo)通電阻(RDSon)、極高的開(kāi)關(guān)性能以及出色的品質(zhì)和可靠性。恩智浦新型汽車級(jí)MOSFET已取得AEC-Q101認(rèn)證,成功通過(guò)了175?C高溫下超過(guò)1,600小時(shí)的延長(zhǎng)壽命測(cè)試(性能遠(yuǎn)超Q101標(biāo)準(zhǔn)要求),同時(shí)具有極低PPM 水平。
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車用MOSFET如何提高能量利用效率與質(zhì)量可靠性

  • 工程師在為汽車電子設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)可能會(huì)遇到在設(shè)計(jì)任何電源應(yīng)用時(shí)都會(huì)面臨的挑戰(zhàn)。因?yàn)楣β势骷﨧OSFET必須能夠承受極為苛刻的環(huán)境條件。環(huán)境工作溫度超過(guò)120℃會(huì)使器件的結(jié)點(diǎn)溫度升高,從而引發(fā)可靠性和其它問(wèn)題。在
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