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Maxim推出內(nèi)置低導(dǎo)通阻抗開(kāi)關(guān)的高效率雙路3A/5A降壓調(diào)節(jié)器

　　Maxim推出MAX8833/MAX8855，該系列器件是業(yè)界第一款具有以下功能的降壓型調(diào)節(jié)器：工作在3.3V或2.5V輸入下，分別可提供雙路3A或雙路5A輸出，并且內(nèi)置開(kāi)關(guān)可最大程度節(jié)省空間。除了節(jié)省空間外，器件由于采用內(nèi)部MOSFET，因此可有效地工作在低輸入電壓下，這是采用大尺寸、分立MOSFET所不可能實(shí)現(xiàn)的。在低壓應(yīng)用中，分立的競(jìng)爭(zhēng)方案需要更高電壓實(shí)現(xiàn)完全導(dǎo)通，相比較而言，內(nèi)部MOSFET則可提供更優(yōu)異的性能。MAX8833/MAX8855分別具有49mΩ和37mΩ低導(dǎo)通阻抗，可以以超過(guò)1M
關(guān)鍵字： Maxim 調(diào)節(jié)器 MOSFET 其他IC 制程

用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動(dòng)及保護(hù)研究

　　l 前言　　絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動(dòng)和高開(kāi)關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點(diǎn)，在電機(jī)控制、開(kāi)關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對(duì)應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專(zhuān)有EXB84l型驅(qū)動(dòng)器的設(shè)計(jì)進(jìn)行討論，并提出一種具有完善保護(hù)功能的驅(qū)動(dòng)電路。　　有源電力濾波器設(shè)計(jì)中應(yīng)用4個(gè)IGBT作為開(kāi)關(guān)，并用4個(gè)EXB84l組成驅(qū)動(dòng)電路，其原理如圖l所示。在實(shí)驗(yàn)中，根據(jù)補(bǔ)償電流與指令電流的關(guān)系，用數(shù)字信號(hào)處理器(DSP
關(guān)鍵字： IGBT MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)晶體管電源

電源管理和MOSFET推動(dòng)中國(guó)功率器件市場(chǎng)發(fā)展

　　全球能源需求的不斷增長(zhǎng)以及環(huán)境保護(hù)意識(shí)的逐步提升使得高效、節(jié)能產(chǎn)品成為市場(chǎng)發(fā)展的新趨勢(shì)。為此，電源|穩(wěn)壓器管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多的應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中。在整機(jī)市場(chǎng)產(chǎn)量不斷增加以及功率器件在整機(jī)產(chǎn)品中應(yīng)用比例不斷提升的雙重帶動(dòng)下，中國(guó)功率器件市場(chǎng)在2007-2011年將繼續(xù)保持快速增長(zhǎng)，但由于市場(chǎng)基數(shù)的不斷擴(kuò)大，市場(chǎng)增長(zhǎng)率將逐年下降。預(yù)計(jì)到2011年時(shí)中國(guó)功率器件市場(chǎng)銷(xiāo)售額將達(dá)到1680.4億元，2007-2011年中國(guó)功率器件市場(chǎng)年均復(fù)合增長(zhǎng)率為19.1%。這其中電源管理IC、MOSFE
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) MOSFET 芯片 IC 元件制造

功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理

　　功率場(chǎng)效應(yīng)管(Power MOSFET)也叫電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關(guān)斷能力,而且有驅(qū)動(dòng)功率小,開(kāi)關(guān)速度高、無(wú)二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點(diǎn)。由于其易于驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)頻率可高達(dá)500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應(yīng)用于DC/DC變換、開(kāi)關(guān)電源、便攜式電子設(shè)備、航空航天以及汽車(chē)等電子電器設(shè)備中。但因?yàn)槠潆娏鳌崛萘啃。蛪旱?，一般只適用于小功率電力電子裝置。一、電力場(chǎng)效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)和工作原理　　電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管種類(lèi)和結(jié)構(gòu)有許多種，按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道，同時(shí)
關(guān)鍵字： MOSFET 半導(dǎo)體材料

功率模塊市場(chǎng)增長(zhǎng) 產(chǎn)業(yè)發(fā)展迫在眉睫

　　功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用迄今已有50年歷史，自上世紀(jì)80年代以來(lái)，隨著新型功率半導(dǎo)體器件尤其是電源管理芯片的蓬勃發(fā)展，功率器件極大地拓展了應(yīng)用領(lǐng)域。全球各大廠商也不失時(shí)機(jī)地加大研發(fā)力度，占領(lǐng)市場(chǎng)高地。　　發(fā)展功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)迫在眉睫　　目前，我國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)生產(chǎn)條件和產(chǎn)品大都停留在國(guó)外上世紀(jì)70年代的水平。有個(gè)別集成電路企業(yè)制造一些小電流低檔老產(chǎn)品的VD-MOSFET，IGBT、平面型快恢復(fù)和超快恢復(fù)二極管完全不能制造。因此，我國(guó)市場(chǎng)用的功率器件約90%依賴進(jìn)口，其余約10%低檔產(chǎn)品是自己制造的。
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 功率半導(dǎo)體 VD-MOSFET 模擬IC 電源

基于MOSFET控制的PWM型直流可調(diào)電源的研制

　　引言　　功率場(chǎng)效應(yīng)管MOSFET是一種單極型電壓控制器件，它不但具有自關(guān)斷能力，而且具有驅(qū)動(dòng)功率小，關(guān)斷速度快等優(yōu)點(diǎn)，是目前開(kāi)關(guān)電源中常用的開(kāi)關(guān)器件。采用MOSFET 控制的開(kāi)關(guān)電源具有體積小、重量輕、效率高、成本低的優(yōu)勢(shì)，因此，較適合作儀器電源。本文給出了一種由MOSFET 控制的大范圍連續(xù)可調(diào)(0～45V) 的小功率穩(wěn)壓電源設(shè)計(jì)實(shí)例。　　總體結(jié)構(gòu)與主電路　　圖1 為該電源的總體結(jié)構(gòu)框圖。工作原理如下：　　　　圖1 　原理方框圖　　全橋整流電路將電網(wǎng)電壓220V
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 MOSFET 功率場(chǎng)效應(yīng)管 PWM 電源

選擇正確的MOSFET：工程師所需要知道的

隨著制造技術(shù)的發(fā)展和進(jìn)步，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須跟上技術(shù)的發(fā)展步伐，才能為其設(shè)計(jì)挑選最合適的電子器件。MOSFET是電氣系統(tǒng)中的基本部件，工程師需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。本文將討論如何根據(jù)RDS(ON)、熱性能、雪崩擊穿電壓及開(kāi)關(guān)性能指標(biāo)來(lái)選擇正確的MOSFET。　　MOSFET的選擇　　MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，其開(kāi)關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時(shí)
關(guān)鍵字： MOSFET 元件制造

凌力爾特推出電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4444

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高輸入電源電壓 (100V) 同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4444，該器件用于在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端功率的 N 溝道 MOSFET。這個(gè)驅(qū)動(dòng)器可與功率 MOSFET 以及凌力爾特公司的很多 DC/DC 控制器一起組成完整的高效率同步轉(zhuǎn)換器。這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可采用 1.2Ω 的下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 凌力爾特 MOSFET LTC4444 模擬IC

凌力爾特推出高速同步MOSFET驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器 LTC4442/-1，該器件用來(lái)在同步整流轉(zhuǎn)換器拓?fù)渲序?qū)動(dòng)高端和低端 N 溝道功率 MOSFET。這種驅(qū)動(dòng)器與凌力爾特公司很多 DC/DC 控制器組合使用時(shí)，可組成完整的高效率同步穩(wěn)壓器，該穩(wěn)壓器可用作降壓或升壓型 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。這個(gè)強(qiáng)大的驅(qū)動(dòng)器可以吸收高達(dá)
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器模擬IC

FAN3XXX系列高速低端MOSFET驅(qū)動(dòng)器概述

關(guān)鍵字： FAN3XXX MOSFET 低端驅(qū)動(dòng)器

可測(cè)試低電流電源的簡(jiǎn)單雙恒流載荷

當(dāng)今的小型家電，如洗碗機(jī)、烘干機(jī)、電爐等用開(kāi)關(guān)電源代替了體積笨重的線性電源。工程師對(duì)這些電流從50mA~1A的電源進(jìn)行了測(cè)試，一般使用電阻或標(biāo)準(zhǔn)現(xiàn)成的電負(fù)載。工程師會(huì)使用各種大功率電阻來(lái)檢驗(yàn)多種負(fù)載條件以滿足合適的設(shè)計(jì)。多數(shù)標(biāo)準(zhǔn)的電負(fù)載都是針對(duì)平均300W功率的。在測(cè)量50mA ~ 300mA電流時(shí)，顯示結(jié)果并不準(zhǔn)確，多數(shù)顯示為0.1A，那樣低的電流不能保證精度。還可以使用圖1中的簡(jiǎn)單雙恒流負(fù)載設(shè)計(jì)，這種設(shè)計(jì)可以利用廉價(jià)的通用元件來(lái)構(gòu)建電路。負(fù)載電流流過(guò)MOSFET和一個(gè) 1Ω
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 雙恒流載荷 MOSFET 運(yùn)算放大器放大器

飛兆半導(dǎo)體再獲殊榮贏得十大DC-DC 2007產(chǎn)品大獎(jiǎng)

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 再次榮獲《今日電子》雜志的十大 DC-DC 2007產(chǎn)品大獎(jiǎng)，獲評(píng)審小組肯定而勝出的產(chǎn)品是飛兆半導(dǎo)體全面優(yōu)化的集成式12V驅(qū)動(dòng)器加MOSFET功率級(jí)解決方案FDMF8700。飛兆半導(dǎo)體的30V同步降壓轉(zhuǎn)換器芯片組FDS6298和FDS6299S則于2006年獲得相同獎(jiǎng)項(xiàng)。 FDMF8700將驅(qū)動(dòng)器IC和兩個(gè)功率MOSFET集成在一個(gè)節(jié)省空間的8mm x 8mm的56腳M
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子飛兆半導(dǎo)體 FDMF8700 MOSFET 消費(fèi)電子

飛兆發(fā)布高效N溝道MOSFET FDS881XNZ系列

飛兆半導(dǎo)體公司(FairchildSemiconductor)近日推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV的ESD(HBM)電壓保護(hù)，較市場(chǎng)現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用(如筆記本電腦和手機(jī))的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的PowerTrench工藝，這些低導(dǎo)通阻抗(RDS(ON))MOSFET(包括RDS(ON)低于5mOhm的FDS8812NZ)能夠降低傳導(dǎo)損耗并且延長(zhǎng)寶貴的電池壽命。它們還提供堅(jiān)固穩(wěn)健的抗雪崩和抗峰值電流能力，確保電池組在意外的電壓尖峰沖擊下
關(guān)鍵字：嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) 飛兆 MOSFET FDS881XNZ 嵌入式

飛兆半導(dǎo)體的N溝道MOSFET系列產(chǎn)品提供更高的ESD性能

飛兆半導(dǎo)體公司 (Fairchild Semiconductor) 推出全新的高效N溝道MOSFET系列，提供高達(dá)8kV 的ESD (HBM) 電壓保護(hù)，較市場(chǎng)現(xiàn)有器件高出90%。FDS881XNZ系列支持用于電池組保護(hù)應(yīng)用 (如筆記本電腦和手機(jī)) 的最新架構(gòu)。利用飛兆半導(dǎo)體的Power Trench®工藝，這些低導(dǎo)通阻抗 (RDS(ON)) MOSFET (包括RDS(ON)&
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 飛兆半導(dǎo)體 MOSFET ESD 模擬IC 電源

電源技術(shù)的創(chuàng)新與發(fā)展

1 引言　　人類(lèi)的經(jīng)濟(jì)活動(dòng)已經(jīng)到了工業(yè)經(jīng)濟(jì)時(shí)代，并正在轉(zhuǎn)入高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)迅猛發(fā)展的時(shí)期。電源是位于市電（單相或三相）與負(fù)載之間，向負(fù)載提供優(yōu)質(zhì)電能的供電設(shè)備，是工業(yè)的基礎(chǔ)。　　電源技術(shù)是一種應(yīng)用功率半導(dǎo)體器件，綜合電力變換技術(shù)、現(xiàn)代電子技術(shù)、自動(dòng)控制技術(shù)的多學(xué)科的邊緣交叉技術(shù)。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展，電源技術(shù)又與現(xiàn)代控制理論、材料科學(xué)、電機(jī)工程、微電子技術(shù)等許多領(lǐng)域密切相關(guān)。目前電源技術(shù)已逐步發(fā)展成為一門(mén)多學(xué)科互相滲透的綜合性技術(shù)學(xué)科。他對(duì)現(xiàn)代通訊、電子儀器、計(jì)算機(jī)、工業(yè)自動(dòng)化、電力工程、國(guó)防及某些
關(guān)鍵字：模擬技術(shù) 電源技術(shù) 創(chuàng)新高頻 MOSFET 模擬IC 電源