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降低高性能CPU電源中的元件成本
- 新處理器對電源的要求越來越高,快速的負載階躍響應、嚴格的輸出電阻限制以及快速的輸出變化都是必不可少的。因此,選用合適的控制器至關重要。 同樣的控制器,不同的電感和電容 首先來看現(xiàn)有的控制器。對于臺式計算機和一些較大的筆記本電腦來說,具有最小紋波電流的四相控制器為負載階躍提供最快速的響應。但是,必須有足夠高的開關頻率以所需的轉(zhuǎn)換速率來響應負載瞬變,還需要MOSFET來保證低的導通電阻RDSON并且使高頻開關損耗最小。 如果需要提高開關頻率,那么需要增加控制器反饋環(huán)路的帶寬以提供足夠快的響應,可是大
- 關鍵字: MOSFET 電源技術 工業(yè)控制 模擬技術 模擬IC 電源 工業(yè)控制
瑞薩發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET(DrMOS)”
- 瑞薩科技發(fā)布符合第二階段產(chǎn)品標準的第二代 “集成驅(qū)動器MOSFET(DrMOS)” 實現(xiàn)CPU穩(wěn)壓器應用的業(yè)界最高效能 --與瑞薩科技當前的產(chǎn)品相比,在引腳兼容的同樣封裝中可降低超過20%的功率損耗— 瑞薩科技公司(Renesas Technology Corp.)宣布,推出采用56引腳QFN封裝。該器件集成了一個驅(qū)動器IC和兩個高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP,可用于PC、服務器等產(chǎn)品的CPU穩(wěn)壓器(VR)。樣品供貨將從2006年12月在日本開始。 R2
- 關鍵字: DrMOS MOSFET 單片機 電源技術 集成驅(qū)動器 模擬技術 嵌入式系統(tǒng) 瑞薩
Intersil推出新型雙同步降壓穩(wěn)壓器
- Intersil的雙同步降壓穩(wěn)壓器具有集成式MOSFET和高效用戶可配置電源模塊 Intersil的ISL65426提供了2個邏輯可編程或電阻可調(diào)輸出電壓,并提高了每個輸出(2個輸出的總輸出電流為6A)的用戶可編程負載電流的靈活性 Intersil(NASDAQ:ISIL)公司宣布推出高效率雙輸出同步降壓穩(wěn)壓器 - ISL65426。該器件采用薄型QFN封裝,并為2條同步降壓穩(wěn)壓器通道集成了保護功能,使其成為為當今的小型應用供電的理想之選。 ISL65426在1MHz的固定頻率下進行轉(zhuǎn)
- 關鍵字: Intersil MOSFET 電源技術 電源模塊 集成式 降壓穩(wěn)壓器 模擬技術 雙同步 模塊
單相逆變器智能功率模塊應用電路設計
- 1 引言 智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)以開關速度快、損耗小、功耗低、有多種保護功能、抗干擾能力強、無須采取防靜電措施、體積小等優(yōu)點在電力電子領域得到越來越廣泛的應用。以PM200DSA060型IPM為例。介紹IPM應用電路設計和在單相逆變器中的應用。 2 IPM的結(jié)構 IPM由高速、低功率IGWT、優(yōu)選的門級驅(qū)動器及保護電路構成。其中,IGBT是GTR和MOSFET的復合,由MOSFET驅(qū)動GTR,因而IPM具有GTR高電流密度、低飽和電壓、高耐壓、
- 關鍵字: IPM MOSFET 電源技術 模擬技術 模塊
飛兆半導體的 AEC-Q101 低壓 30/40V MOSFET
- 為汽車電子設計提供性能、效率和節(jié)省空間方面的優(yōu)勢 飛兆半導體擴充其低RDS(ON) MOSFET產(chǎn)品系列, 推出11種面向電機控制應用的新型30/40V器件 飛兆半導體公司 (Fairchild Semiconductor) 擴充其AEC-Q101認證的30V和40V MOSFET產(chǎn)品系列,推出11種新型器件。這些低壓PowerTrench®MOSFET專為優(yōu)化汽車應用的效率、性能和線路板空間而設計,其應用包括動力轉(zhuǎn)向、集成啟動器/交流發(fā)電機,
- 關鍵字: 30/40V AEC-Q101 MOSFET 低壓 飛兆半導體 汽車電子 汽車電子
降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的MOSFET選擇
- 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器都采用控制器和外接功率MOSFET的結(jié)構??刂破魃a(chǎn)商會在數(shù)據(jù)資料中給出參數(shù)齊全的應用電路,但用戶的使用條件經(jīng)常與典型應用電路不同,要根據(jù)實際情況改變功率MOSFET的參數(shù)。 對功率MOSFET的要求 同步整流降壓式DC/DC轉(zhuǎn)換器的輸入及輸出部分電路如圖1所示,它是由帶驅(qū)動MOSFET的控制器及外接開關管(Q1)及同步整流管(Q2)等組成。目前,Q1和Q2都采用N溝道功率MOSFET,因為它們能滿足DC/DC轉(zhuǎn)換器在輸入電壓、開關頻率、輸出電流及減少損耗上的要求。 圖
- 關鍵字: MOSFET 電源技術 模擬技術
Zetex 高電壓MOSFET導通電阻最大僅150mΩ
- Zetex Semiconductors日前推出一款迎合預偏置供應電路要求的新型高電壓MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V強化型N信道器件,可用于簡單的線性調(diào)節(jié)器,在起動階段為脈沖寬度調(diào)變(PWM)集成電路供應所需電壓,然后在轉(zhuǎn)換器完全激活后關掉。相比于其它倚賴電阻器的解決方案,這種以MOSFET為基礎的解決方案有助改善系統(tǒng)效率和減省起動時間。 Zetex亞洲副總裁林博文指出,新MOSFET采用獨特四腳型SOT223封裝,能發(fā)揮最大的抗高壓爬電效能。器件采用嶄新導線
- 關鍵字: MOSFET Zetex 高電壓 電阻 電位器
IR推出100V集成MOSFET解決方案
- 為PoE應用節(jié)省80%的占位空間 國際整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。該器件將4個HEXFET MOSFET集成在一個功率MLP封裝內(nèi),可滿足以太網(wǎng)供電(Power-over-Ethernet,簡稱PoE)應用的需求。這款新器件符合針對網(wǎng)絡和通信基礎設施系統(tǒng)的IEEE802.3af標準,例如以太網(wǎng)交換器、路由器和集線器等,可提供每端口15W的功率,并能取代4個獨立SOT-223封裝的MOSFET。其減少的占位面積相當于節(jié)省了80%的空間,或相當于典型48端口電路板中3
- 關鍵字: IR MOSFET 解決方案
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