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鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

  • 自鎧俠官網(wǎng)獲悉，鎧俠（Kioxia）宣布其多項(xiàng)創(chuàng)新研究成果，將于今年12月7日至11日在美國(guó)舊金山舉行的IEEE國(guó)際電子器件大會(huì)（IEDM）上發(fā)表。聲明中稱，鎧俠旨在不斷創(chuàng)新以滿足未來(lái)計(jì)算和存儲(chǔ)系統(tǒng)的需求。此次發(fā)布包括以下三大創(chuàng)新技術(shù)：氧化物半導(dǎo)體通道晶體管DRAM（OCTRAM）：該技術(shù)由鎧俠聯(lián)合南亞科技共同開(kāi)發(fā)，通過(guò)改進(jìn)制造工藝，開(kāi)發(fā)出一種垂直晶體管，提高了電路集成度。OCTRAM技術(shù)有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。高容量交叉點(diǎn)MRAM（磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器
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【供應(yīng)商亮點(diǎn)】Everspin與Lucid Motors攜手，將MRAM技術(shù)集成至Gravity SUV車型

  • Source:Getty/kaptnal專注于磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）解決方案的美國(guó)企業(yè)Everspin Technologies日前宣布將與Lucid Motors合作，在Lucid即將推出的Gravity電動(dòng)運(yùn)動(dòng)型多用途車中使用其PERSYST MRAM產(chǎn)品。Everspin旗下PERSYST產(chǎn)品線中的一款256Kb串行MRAM產(chǎn)品——MR25H256A，將被集成至Lucid的Gravity SUV車型中。Lucid之所以選擇Everspin的MR25H256A MRAM型號(hào)，是因?yàn)樗軌蛟谳^寬
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MRAM，新興的黑馬

  • 1956 年，IBM 推出世界上第一個(gè)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器——RAMAC 305，可以存儲(chǔ) 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤(pán)體積巨大如同兩臺(tái)冰箱，重量超過(guò)一噸，但是卻標(biāo)志著磁盤(pán)存儲(chǔ)時(shí)代的開(kāi)始。此后，隨著科技的進(jìn)步，內(nèi)存技術(shù)逐漸發(fā)展。動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），具有較快的讀寫(xiě)速度，能夠滿足計(jì)算機(jī)系統(tǒng)在運(yùn)行過(guò)程中對(duì)數(shù)據(jù)的快速存取需求。固態(tài)硬盤(pán)（SSD）以其高速的讀寫(xiě)性能、低功耗和抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)，逐漸取代傳統(tǒng)磁盤(pán)成為主流存儲(chǔ)設(shè)備之一。存儲(chǔ)技術(shù)仍舊在持續(xù)發(fā)展，近年來(lái)新型存儲(chǔ)技術(shù)如雨后春筍般涌現(xiàn)，諸如相
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臺(tái)積電新型存儲(chǔ)技術(shù)問(wèn)世，功耗僅為同類技術(shù)的1%

  • 臺(tái)積電利用其自身先進(jìn)的制程優(yōu)勢(shì)，正在積極推動(dòng)新型存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。
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MRAM：RAM和NAND再遇強(qiáng)敵

  • M 是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，通過(guò)磁致電阻的變化來(lái)表示二進(jìn)制中的 0 和 1，從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。由于產(chǎn)品本身具備非易失性，讓其在斷電情況下依然可以保留數(shù)據(jù)信息，并擁有不遜色于 DRAM 內(nèi)存的容量密度和使用壽命，平均能耗也遠(yuǎn)低于 DRAM。被大廠看好的未來(lái)之星，非它莫屬。三星：新里程碑目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002 年三星宣布研發(fā) MRAM，2005 年三星率先研究 STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì) MRAM 的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的 MRAM 研發(fā)逐漸走向低調(diào)。20
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迷人的新型存儲(chǔ)

  • 多年來(lái)，各大廠商多年來(lái)孜孜不倦地追求閃存更高層數(shù)和內(nèi)存更先進(jìn)制程?，F(xiàn)代社會(huì)已經(jīng)進(jìn)入大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代——一方面，數(shù)據(jù)呈爆炸式增長(zhǎng)，芯片就必須需要具備巨大的計(jì)算能力 ；另一方面，依據(jù)傳統(tǒng)摩爾定律微縮的半導(dǎo)體技術(shù)所面臨的挑戰(zhàn)越來(lái)越大、需要的成本越來(lái)越高、實(shí)現(xiàn)的性能提高也趨于放緩。應(yīng)用材料公司金屬沉積產(chǎn)品事業(yè)部全球產(chǎn)品經(jīng)理周春明博士說(shuō)：「DRAM、SRAM、NAND 這些傳統(tǒng)的存儲(chǔ)器，已經(jīng)有幾十年歷史了，它們還在一直在向前發(fā)展，不斷更新?lián)Q代，尺寸越來(lái)越小，成本越來(lái)越低，性能越來(lái)越強(qiáng)?！沟且呀?jīng)開(kāi)始出現(xiàn)無(wú)法超越的
  • 關(guān)鍵字： MRAM  ReRAM  PCRAM  

尺寸最小+功耗最低，三星即將宣布MRAM重要突破

  • 據(jù)外媒報(bào)道，三星電子即將在國(guó)際電子器件會(huì)議（IEDM）上報(bào)告其在新一代非易失性存儲(chǔ)器件領(lǐng)域的最新研究進(jìn)展。會(huì)議接收的資料顯示，三星研究人員在14nm FinFET邏輯工藝平臺(tái)上實(shí)現(xiàn)了磁性隧道結(jié)堆疊的磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)制造，據(jù)稱是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存儲(chǔ)器。該團(tuán)隊(duì)采用三星28nm嵌入式MRAM，并將磁性隧道結(jié)擴(kuò)展到14nm FinFET邏輯工藝。三星研究人員將在12月召開(kāi)的國(guó)際電子器件會(huì)議上就此進(jìn)行報(bào)告。論文中提到，該團(tuán)隊(duì)生產(chǎn)了一個(gè)獨(dú)立的存儲(chǔ)器，其寫(xiě)入能量要求為每比特25pJ
  • 關(guān)鍵字： 功耗  三星  MRAM  

工業(yè)儲(chǔ)存技術(shù)再進(jìn)化 完美內(nèi)存MRAM現(xiàn)身

  • 近年來(lái)，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。內(nèi)存是所有微控制器嵌入式系統(tǒng)的主要組件，閃存（Flash）儲(chǔ)存技術(shù)早已成為工控設(shè)備的主流配備。近年來(lái)，半導(dǎo)體先進(jìn)制程微縮趨勢(shì)帶動(dòng)下，加上AI人工智能、5G與AIoT等科技加速推進(jìn)，3C設(shè)備、智慧家電、智慧汽車、智能城市到國(guó)防航天等領(lǐng)域都可以應(yīng)用大量芯片記錄海量數(shù)據(jù)。新一代嵌入式內(nèi)存具有小體積、大容量、高效能等特性，可以滿足龐大運(yùn)算需求，
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一文讀懂｜三大新興存儲(chǔ)技術(shù)：MRAM、RRAM和PCRAM

  • 在如此龐大的資料儲(chǔ)存、傳輸需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等傳統(tǒng)記憶體已逐漸無(wú)法負(fù)荷，且再加上傳統(tǒng)記憶體的制程微縮愈加困難的情況之下，驅(qū)使半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)向發(fā)展更高儲(chǔ)存效能、更低成本同時(shí)又可以朝制程微縮邁進(jìn)的新興記憶體。
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MRAM技術(shù)新突破！臺(tái)灣清大團(tuán)隊(duì)發(fā)表新磁性翻轉(zhuǎn)技術(shù)

  • 　　全球各半導(dǎo)體大廠如三星、東芝、英特爾等摩拳擦掌競(jìng)相投入磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)，準(zhǔn)備在后摩爾定律世代一較高下。臺(tái)灣清華大學(xué)研究團(tuán)隊(duì)最新發(fā)表以自旋流操控鐵磁-反鐵磁納米膜層的磁性翻轉(zhuǎn)，研究成果已于今年2月19日刊登于材料領(lǐng)域頂尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)?！　RAM為非揮發(fā)性存儲(chǔ)器技術(shù)，斷電時(shí)利用納米磁鐵所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)流失，是“不失憶”的存儲(chǔ)器。其結(jié)構(gòu)如三明治，上層是自由翻轉(zhuǎn)的鐵磁層，可快速處理數(shù)據(jù)，底層則是釘鎖住的鐵磁層，可用作存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，兩層中則有氧化層隔開(kāi)?！　∑?/li>
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MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局？三星已開(kāi)始大量生產(chǎn)

  • 　　據(jù)報(bào)道，三星已開(kāi)始生產(chǎn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)。預(yù)計(jì)MRAM將改變半導(dǎo)體市場(chǎng)的格局，因?yàn)樗婢逥RAM與NAND閃存的優(yōu)點(diǎn)。　　三星3月6日宣布，已在一條基于28納米FD-SOI工藝的生產(chǎn)線上，開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)和商業(yè)運(yùn)輸嵌入式MRAM(eMRAM)解決方案。該公司在首爾近郊京畿道器興廠房舉行了儀式，標(biāo)志著新內(nèi)存產(chǎn)品的首次發(fā)貨。　　這種解決方案無(wú)需在數(shù)據(jù)記錄期間擦除數(shù)據(jù)，并實(shí)現(xiàn)了比傳統(tǒng)閃存快1000倍左右的寫(xiě)入速度。三星表示，由于它在斷電時(shí)保存了存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并且不使用額外的備用電源，所以它的功耗也很
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英特爾已悄悄將MRAM商用？三星緊追其后

  • 　　在第 64 屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。　　MRAM (Magnetic Random Access Memory，磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))，是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，從 1990 年代開(kāi)始發(fā)展。此技術(shù)速度接近靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)的高速讀取寫(xiě)入能力，具有閃存的非揮發(fā)性，容量密度及使用壽命不輸 DRAM，但平均能耗遠(yuǎn)低于 DRAM，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫(xiě)入。　　英特爾曾表示其嵌入式 MRAM 技術(shù)可在200℃下實(shí)
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聯(lián)華電子和美商Avalanche合作技術(shù)開(kāi)發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品

  • 　　聯(lián)華電子今(6日) 與下一代ST-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM)領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，兩家公司成為合作伙伴，共同開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)取代嵌入式內(nèi)存的磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)。同時(shí)聯(lián)華電子也將透過(guò)Avalanche的授權(quán)提供技術(shù)給其他公司?！　÷?lián)華電子根據(jù)此合作協(xié)議，于28納米CMOS制程上提供嵌入式非揮發(fā)性MRAM區(qū)塊供客戶將低延遲、超高效能及低功率的嵌入式MRAM內(nèi)存模塊整合至應(yīng)用產(chǎn)品，并鎖定在物聯(lián)網(wǎng)、穿戴裝置、消費(fèi)型產(chǎn)品，以及工業(yè)、車用電子市場(chǎng)的微控制器(MCU)和系統(tǒng)單芯片(So
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嵌入式存儲(chǔ)器的過(guò)去與現(xiàn)在

  • 近期臺(tái)積電技術(shù)長(zhǎng)孫元成在其自家技術(shù)論壇中，首次揭露臺(tái)積電研發(fā)多年的eMRAM(嵌入式磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ))和eRRAM(嵌入式電阻式存儲(chǔ)器)將分別訂于明后年
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使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能

  • 　　半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器 (MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說(shuō)明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。　　應(yīng)用材料公司為實(shí)現(xiàn) STT MRAM 的制造提供了多項(xiàng)重要?jiǎng)?chuàng)新，包括基于Endura? 平臺(tái)上的PVD創(chuàng)新以及特別的蝕刻技術(shù)。利用這些新技術(shù)并借助梅丹技術(shù)中心的設(shè)施來(lái)加工并測(cè)試器件陣列，我們驗(yàn)證了 STT MRAM 的性能和可擴(kuò)展性。　　如今，除了邏
  • 關(guān)鍵字： STT  MRAM  
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