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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲器即將問世

  • 　　SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。 　　SamsungFoundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負責(zé)人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍圖顯示，28
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IBM和三星助推 MRAM、PRAM 商用

  • 　　據(jù)海外媒體報道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現(xiàn)突破，有望加速走上商用之途。 　　韓媒 BusinessKorea 11 日報導(dǎo)，IBM 和三星在電機電子工程師學(xué)會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產(chǎn)技術(shù)，成功實現(xiàn) 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構(gòu)，理論上表現(xiàn)超越 DRAM。
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MRAM在28nm CMOS制程處于領(lǐng)先位置

  • 　　在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉(zhuǎn)移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領(lǐng)先的位置。 　　比利時研究機構(gòu)IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應(yīng)28nm CMOS制程的要求。 　　28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應(yīng)更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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日本東北大學(xué)，開發(fā)成功超高速小電流MRAM

  • 　　日本東北大學(xué)2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎(chǔ)元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現(xiàn)的小電流動作和高速動作。 　　 ? 　　三種自旋軌道力矩磁化反轉(zhuǎn)元件構(gòu)造。(a)與(b)為以前的構(gòu)造，(c)為此次開發(fā)的構(gòu)造(該圖摘自東北大學(xué)的發(fā)布資料) (點擊放大) 　　PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導(dǎo)體存儲器，因構(gòu)成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM接班主流存儲器指日可待

  • 　　記憶體產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題 　　遺憾的是，實際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(xué)(Eindhoven University of Technolo
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替代閃存的存儲新技術(shù)有哪些？

  • 不同存儲器都有其各自的優(yōu)勢和缺點，由消費類產(chǎn)品驅(qū)動的存儲器市場在呼喚性能更優(yōu)存儲器技術(shù)，當然也要價格便宜。
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DRAM微縮到頂！新存儲器MRAM、ReRAM等接班？

  • 　　DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認為次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現(xiàn)身，要以更快的存取速度橫掃市場。 　　   　　韓媒BusinessKorea 16日報導(dǎo)，南韓半導(dǎo)體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(shù)(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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SK海力士與東芝訴訟和解　提升未來技術(shù)發(fā)展力

  • 　　東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導(dǎo)體制程技術(shù)，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來主導(dǎo)權(quán)，取代相互耗損的專利訴訟。 　　據(jù)ET News報導(dǎo)，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關(guān)系。2007年締結(jié)專利授權(quán)合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導(dǎo)體技術(shù)外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關(guān)系因此破裂。
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。 　　MRAM技術(shù)的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。 　　TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

  • 　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數(shù)據(jù)的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲技術(shù)的原型。
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分析師預(yù)測2019年MRAM市場可達21億美元

  • 　　市場研究機構(gòu)CoughlinAssociates的最新報告預(yù)測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(yīng)(field-induced)以及自旋力矩轉(zhuǎn)移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。 　　CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)模可望由2013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復(fù)合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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非易失性存儲器FeRAM、MRAM和OUM

  • 本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內(nèi)容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。 當前應(yīng)用于存儲
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NVE對Everspin提自旋電子MRAM專利侵權(quán)訴訟

  • 　　專門授權(quán)自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)技術(shù)的自旋電子組件開發(fā)商NVR公司表示，該公司已于美國聯(lián)邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權(quán)訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術(shù)。 　　NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據(jù)NVE公司表示，該侵權(quán)訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術(shù)，并針對其侵權(quán)行為造成的NVE財務(wù)損失進行
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MRAM熱輔助寫入 為實現(xiàn)20nm以下工藝所必需

  • 　　法國研究機構(gòu)SPINTEC與開發(fā)MRAM技術(shù)的Crocus Technology共同開發(fā)出了將熱輔助切換(Thermally Assisted　Switching：TAS)用于垂直磁化方式MTJ元件的STT-MRAM技術(shù)。并在2011年10月31日于美國亞利桑那(Arizona)州斯科茨戴爾(Scottsdale)開幕的磁技術(shù)國際會議“56th MMM”的首日進行了發(fā)布。 　　TAS技術(shù)是一項邊用加熱器對MTJ元件存儲層進行加熱，邊寫入數(shù)據(jù)的技術(shù)。對存儲層進行加熱后，矯頑力會
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Hynix東芝宣布將聯(lián)合開發(fā)STT-MRAM技術(shù)

  • 　　韓國Hynix與日本東芝公司近日宣布兩家公司將共同開發(fā)STT-MRAM(spin-transfer torque magnetoresistence RAM:自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻RAM)技術(shù),兩家公司均認為這項技術(shù)是非常重要的下一代非易失性存儲技術(shù)之一。一旦有關(guān)的技術(shù)研發(fā)完成之后，兩家公司計劃成立一 家專門生產(chǎn)STT-MRAM的芯片制造公司。另外，作為這次合作戰(zhàn)略的其它部分，兩家公司還將擴大專利交叉授權(quán)的范圍。
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