nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

三星全球最快嵌入式NAND內(nèi)存芯片投產(chǎn)

下代移動(dòng)設(shè)備超輕超薄的特性，Samsung eMMC Pro Class 1500采用了20nm工藝規(guī)范，一塊64GB的芯片厚度僅為1.2毫米，而重量?jī)H有0.6克。
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為嵌入式應(yīng)用選擇、實(shí)現(xiàn)NAND閃存海量存儲(chǔ)

標(biāo)簽：NAND POS在嵌入式應(yīng)用中，海量存儲(chǔ)密度正在以前所未有的速度增長(zhǎng)。像便攜式媒體播放器、蜂窩電話、數(shù)碼相機(jī)、便攜式導(dǎo)航設(shè)備、無(wú)線網(wǎng)卡、閃盤這樣的消費(fèi)產(chǎn)品由于需要處理越來(lái)越多的多媒體內(nèi)容而要求更高的海量
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Linux NAND FLASH驅(qū)動(dòng)代碼分析

Linux NAND FLASH驅(qū)動(dòng)代碼分析,FLASH驅(qū)動(dòng)在嵌入式系統(tǒng)中有著舉足輕重的位置，而目前市場(chǎng)上NAND flash的價(jià)格又要便宜與NOR FLASH,隨著越來(lái)越多的平臺(tái)支持從NAND FLASH中啟動(dòng)，掌握NAND flash的驅(qū)動(dòng)編寫有著重要的現(xiàn)實(shí)意義，由于內(nèi)核已經(jīng)完成了大部分
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東芝將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能

　　訊 7月24日消息，據(jù)路透社報(bào)道，東芝公司周二稱，將下調(diào)NAND閃存芯片30%產(chǎn)能。這凸顯了芯片市場(chǎng)供應(yīng)狀況的挑戰(zhàn)性，該公司的股價(jià)也因而出現(xiàn)下挫。　　東芝表示，由于U盤和存儲(chǔ)卡的芯片供過(guò)于求，它將削減其在日本西部的四日市工廠的產(chǎn)能。　　資產(chǎn)管理公司Religare Global Asset Management高級(jí)科技分析師大衛(wèi)·莫托佐·魯本斯藤(David Motozo Rubenstein)說(shuō)道，“他們的產(chǎn)能下調(diào)幅度讓我有點(diǎn)意外。大家都知道該類芯片的
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閃存技術(shù)在3G時(shí)代的應(yīng)用

標(biāo)簽：閃存技術(shù) 3G下一代手機(jī)將有更多功能服務(wù)的應(yīng)用可使用戶完成許多曾經(jīng)難以想象的事情。只需一部手機(jī)，人們的購(gòu)物、工作、居家生活將更便捷。這些功能在技術(shù)上的實(shí)現(xiàn)并不困難，但如果缺乏完善的安全保護(hù)系統(tǒng)，人
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軟件技術(shù)可讓閃存替代隨機(jī)存儲(chǔ)器

　　據(jù)物理學(xué)家組織網(wǎng)7月19日?qǐng)?bào)道，美國(guó)普林斯頓大學(xué)針對(duì)大型數(shù)據(jù)公司開發(fā)出一種軟件技術(shù)，允許采用閃存的方式替代計(jì)算機(jī)隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)運(yùn)行，可以從根本上大幅削減能耗。服務(wù)器公司會(huì)使互聯(lián)網(wǎng)損耗的巨大電力劇增。　　據(jù)《紐約時(shí)報(bào)》的報(bào)道估計(jì)，谷歌在其數(shù)據(jù)中心使用的電力足夠大約20萬(wàn)戶家庭使用。而大型服務(wù)器中心所采用的計(jì)算機(jī)內(nèi)存類型為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)，其存儲(chǔ)單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲(chǔ)單元的位置無(wú)關(guān)。雖然快速、靈活，但操作起來(lái)需要源源不斷的電力，也迫使用戶花費(fèi)更多的資金用于冷卻
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Spansion串行閃存增強(qiáng)英飛凌開發(fā)系統(tǒng)的圖形顯示性能

　　XMC4000 Hexagon開發(fā)工具加速電機(jī)控制、工業(yè)自動(dòng)化和太陽(yáng)能電子系統(tǒng)原型設(shè)計(jì) 　　2012年7月19日，中國(guó)北京 – Spansion 公司(紐約證券交易所代碼：CODE)今日宣布英飛凌科技公司已經(jīng)選擇Spansion ? FL 系列串行閃存為其Hexagon開發(fā)工具組件提供高性能的 4路 I/O SPI 接口數(shù)據(jù)儲(chǔ)存解決方案。Hexagon工具組件作為基于XMC4000 微控制器的模塊化可擴(kuò)展平臺(tái)，給工程師們提供了一種快速完成工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用(例如電機(jī)控制)或者各種能量
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Spansion串行閃存增強(qiáng)英飛凌開發(fā)系統(tǒng)圖形顯示性能

Spansion 公司(紐約證券交易所代碼：CODE)日前宣布英飛凌科技公司已經(jīng)選擇Spansion ? FL 系列串行閃存為其Hexagon開發(fā)工具組件提供高性能的 4路 I/O SPI 接口數(shù)據(jù)儲(chǔ)存解決方案。Hexagon工具組件作為基于XMC4000 微控制器的模塊化可擴(kuò)展平臺(tái)，給工程師們提供了一種快速完成工業(yè)自動(dòng)化應(yīng)用(例如電機(jī)控制)或者各種能量轉(zhuǎn)換系統(tǒng)(例如太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化器)的原型設(shè)計(jì)方法。
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汽車信息娛樂(lè)系統(tǒng)中閃存設(shè)備的管理設(shè)計(jì)

汽車信息娛樂(lè)和遠(yuǎn)程電子信息處理系統(tǒng)需要從閃存器件中讀寫海量數(shù)據(jù)，因此這些器件必須能長(zhǎng)期可靠、無(wú)錯(cuò)地保存數(shù)據(jù)。例如，嵌入到汽車導(dǎo)航系統(tǒng)中的閃存芯片必須在若干年的頻繁使用條件下可靠工作。用戶不希望丟失數(shù)據(jù)
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瑞薩與臺(tái)積電聯(lián)手開發(fā)40nm閃存混載技術(shù)

　　繼長(zhǎng)期虧損的SoC之后，瑞薩又加快了利潤(rùn)最高的MCU的外包制造。該公司于2012年5月宣布，將與臺(tái)積電(TSMC)合作開發(fā)40nm工藝的閃存混載MCU制造技術(shù)，并委托臺(tái)積電生產(chǎn)。車載MCU也將成為外包對(duì)象。瑞薩表示，到2016年度將把半導(dǎo)體整體的外包生產(chǎn)比例由2011年度的15%提高到30%。　　日本國(guó)內(nèi)工廠進(jìn)一步空洞化? 　　雖然日本企業(yè)的SoC業(yè)務(wù)相繼出現(xiàn)因承受不了巨額設(shè)備投資而轉(zhuǎn)為外包的情況，但要求高品質(zhì)的車載MCU等以前一直被認(rèn)為難以實(shí)施外包生產(chǎn)?！扒闆r因東日本大地震而發(fā)生了
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如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動(dòng)

如何讓U-boot實(shí)現(xiàn)Nand/Nor 雙啟動(dòng),在做u-boot移植的時(shí)候，多數(shù)人使用的是Nand flash啟動(dòng)或Nar Flash啟動(dòng)。這樣u-boot就只能在Nand flash或Nor flash。那么我們?nèi)绾巫屛覀兊膗-boot在Nand flash或Nor flash都能使用。首先，我們說(shuō)說(shuō)u-boot,u-boot是系統(tǒng)
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手機(jī)嵌入式SSD成NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)

當(dāng)全球看好固態(tài)硬盤(SSD)是NAND Flash下一個(gè)殺手級(jí)應(yīng)用的同時(shí)，手機(jī)內(nèi)建NAND Flash內(nèi)存的應(yīng)用(嵌入式SSD)卻搶先一步成為NAND Flash應(yīng)用的新焦點(diǎn)。目前最普遍的嵌入式SSD的接口規(guī)格為eMMC，是手機(jī)內(nèi)建儲(chǔ)存方案的新標(biāo)
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在DSP系統(tǒng)中Nand+Flash存儲(chǔ)管理的實(shí)現(xiàn)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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東芝世界首發(fā)19nm制程SSD 增強(qiáng)數(shù)據(jù)保護(hù)功能

　　東芝于今日正式發(fā)布了全球首個(gè)使用19nm制程MLC NAND閃存的固態(tài)硬盤產(chǎn)品。東芝新SSD的主要改進(jìn)之處在于主控，配合19nm閃存可實(shí)現(xiàn)對(duì)SATA 3.1標(biāo)準(zhǔn)的支持，讀取/寫入速度最大可達(dá)524MB/s和461MB/s(64GB型號(hào)440MB/s)。同時(shí)還集成有獨(dú)家的錯(cuò)誤校驗(yàn)技術(shù)QSBC，并支持微軟下一代垃圾清理技術(shù)Deterministic Zeroing TRIM。　　最關(guān)鍵的改善在于數(shù)據(jù)保護(hù)部分，除突發(fā)性掉電數(shù)據(jù)不丟失之外，一旦閃存出現(xiàn)故障或達(dá)到使用壽命，東芝新SSD可在接電后啟用只讀模
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LSI PCIe閃存適配器助力Cisco和EMC實(shí)現(xiàn)應(yīng)用加速

　　LSI公司(紐約證交所股票代碼：LSI)日前宣布正在與Cisco和EMC開展合作，共同將PCIe閃存高速緩存技術(shù)卓越的應(yīng)用加速優(yōu)勢(shì)應(yīng)用于部署廣泛的創(chuàng)新型Cisco UCS B系列刀片服務(wù)器。　　該解決方案將EMC VFCache智能緩存軟件與LSI的第二代PCIe閃存適配器系列LSI Nytro WarpDrive卡相結(jié)合，能進(jìn)一步加速應(yīng)用性能，改善EMC存儲(chǔ)環(huán)境下Cisco服務(wù)器的響應(yīng)時(shí)間。　　目前，服務(wù)器處理器性能的提升步伐已經(jīng)超越了存儲(chǔ)性能的提升速度，因此，如何在不影響現(xiàn)有存儲(chǔ)架構(gòu)的情況
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