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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

鴻利會稱2013智能機成閃存最大消費者

  • 據(jù)媒體報道，市場研究公司IHS iSuppli預期，2013年手機將成為全球最大的閃存消費產(chǎn)品，這主要得益于智能手機在全球技術市場中地位的日益凸顯。 　　目前，市場上有大量產(chǎn)品都采用了NAND閃存，但HIS表示，2013年手機閃存出貨量在全球閃存總出貨量中的占比將升至24.6%。
  • 關鍵字： 智能手機  閃存  

世界最快閃存有顆“武漢芯”

  • 　　不到兩個指甲蓋大小的芯片，內存達8GB，讀取一部4GB的高清電影，僅需43秒鐘——世界最快的45納米閃存，已在武漢誕生。29日，市長唐良智調研武漢新芯集成電路制造有限公司，該公司透露，這種最新式的閃存，將在今年一季度實現(xiàn)量產(chǎn)。 　　“我們正努力把閃存的技術節(jié)點，往前推進。”剛剛履新武漢新芯CEO的楊士寧說，“我們?yōu)槊绹旧a(chǎn)的閃存，是最快、容量最高的NOR閃存。” 　　此外，武漢新芯擬投資6.35億美元，將原每月3萬片的12
  • 關鍵字： 武漢新芯  閃存  45納米  

2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮

  • 據(jù)IHS iSuppli Data的閃存市場追蹤報告，2012年蘋果iPhone是推動NAND閃存消費的最大因素。由于超級本未能實現(xiàn)騰飛，2012年NAND閃存營業(yè)收入萎縮。
  • 關鍵字： 蘋果  閃存  NAND  

LSI公布四季度及2012年全年業(yè)績

  • LSI公司(NYSE：LSI)日前公布四季度業(yè)績以及截止至2012年12月31日的全年業(yè)績。
  • 關鍵字： LSI  閃存  網(wǎng)絡  

NAND Flash內存設備的讀寫控制設計

  • NAND Flash內存設備的讀寫控制設計,引言

    　　NOR Flash和NAND Flash是現(xiàn)在市場上兩種主要的非易失閃存技術。Flash因為具有非易失性及可擦除性，在數(shù)碼相機、手機、個人數(shù)字助理( PDA)、掌上電腦、MP3播放器等手持設備中得到廣泛的應用。NAND Flash
  • 關鍵字： 控制  設計  讀寫  設備  Flash  內存  NAND  

Microchip小巧靈活的8位閃存單片機解決方案

  • Microchip公司的小型低引腳數(shù)閃存PIC 單片機具有小巧靈活的特點，為開發(fā)、設計和生產(chǎn)過程帶來諸多便利。PIC 系列單片機采用小型封裝，更適用于對體積和大小有嚴格限制的應用場合。PIC 單片機的特點簡介PIC 單片機的數(shù)
  • 關鍵字： 單片機  解決方案  閃存  靈活  小巧  Microchip  

基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析

  • 基于ARM11的Linux NAND FLASH模擬U盤掛載分析,０　引　言
    現(xiàn)階段嵌入式產(chǎn)品作為Ｕ 盤掛載到ＰＣ機上在各類電子產(chǎn)品中被越來越多的應用，Ｌｉｎｕｘ操作系統(tǒng)在電子產(chǎn)品中的應用也越來越廣泛，但是Ｌｉｎｕｘ中模擬Ｕ盤掛載到ＰＣ機中，與ＰＣ機上通用Ｗｉｎｄｏ
  • 關鍵字： 模擬  分析  FLASH  NAND  ARM11  Linux  基于  

半導體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工

  • 　　日本媒體報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導體需求回溫，故旗下日本半導體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 　　東芝姬路半導體工廠主要生產(chǎn)馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 　　東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
  • 關鍵字： Toshiba  FlashMemory  NAND  

12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%

  • ? 　　市調機構集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。 　　集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關NAND Flash的營運沒有受到影響，現(xiàn)貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
  • 關鍵字： SK  NAND Flash  手機  

應用串行NOR閃存提升內存處理能力

  • 應用串行NOR閃存提升內存處理能力,在嵌入式系統(tǒng)中，NOR閃存一直以來仍然是較受青睞的非易失性內存，NOR器件的低延時特性可以接受代碼執(zhí)行和數(shù)據(jù)存儲在一個單一的產(chǎn)品。雖然NAND記憶體已成為許多高密度應用的首選解決方案，但NOR仍然是低密度解決方案的
  • 關鍵字： 內存  處理  能力  提升  閃存  串行  NOR  應用  

NOR市場仍有可為 需找尋平衡點

  • 　　近日Spansion公司推出業(yè)界首款45nm單芯片8Gb(千兆)NOR閃存產(chǎn)品，這是繼美光(Micron)公司后，第二家對外宣稱推出45nm工藝節(jié)點的產(chǎn)品。這對在與NAND閃存競爭中處于下風的NOR來說無疑是一大利好。這一技術對NOR閃存的市場發(fā)展會帶來怎樣的助推力?今后NOR與NAND閃存的市場格局是否會發(fā)生變化成為業(yè)界關注熱點。 　　NOR技術仍在進步 　　截至2020年，每個用戶擁有的聯(lián)網(wǎng)設備數(shù)量預計將達到7臺左右，實現(xiàn)具備豐富圖形元素的功能和快速無縫的設備間連接。在此過程中，閃存&ldqu
  • 關鍵字： Spansion  閃存  NOR  

探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)

  • 　　三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關于這種閃存的原理、架構技術，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 　　遺憾的是，沒有任何廠商公開談論過TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 　　不過還是有個變通方法
  • 關鍵字： 三星  閃存  TLC NAND  

LSI AIS峰會變大數(shù)據(jù)挑戰(zhàn)為機遇

  • LSI公司(NYSE：LSI)日前宣布，在美國召開第五屆加速創(chuàng)新年度峰會(AIS)。個人和企業(yè)使用越來越多的設備在網(wǎng)上做更多工作，共享更多內容，這個現(xiàn)象不僅形成了數(shù)據(jù)大爆炸，同時給數(shù)據(jù)中心、移動網(wǎng)絡和設備提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
  • 關鍵字： LSI  閃存  

存儲器：唯持續(xù)獲利和研發(fā)方能立足

  • 　　最近半導體廠商第三季度財報陸續(xù)出爐，可謂有人歡喜有人愁。Spansion公司第三季度銷售額為2.397億美元，毛利率為32.7%，這也是其連續(xù)8個季度持續(xù)嬴利，可謂走出去年被破產(chǎn)傳聞困擾的陰霾。Spansion如何在波動不止的市場中保持正增長，未來存儲器市場格局將如何演變?為此，《中國電子報》記者獨家專訪了Spansion首席執(zhí)行官兼董事會成員John Kispert。 　　貢獻來自NOR和新NAND閃存 　　談及Spansion增長的動力，John Kispert坦言，業(yè)績穩(wěn)定增長主要是因為NO
  • 關鍵字： Spansion  半導體  閃存  

在嵌入式設計中將FRAM用作閃存的替代方案

  • 在嵌入式設計中將FRAM用作閃存的替代方案,　如今，有多種存儲技術均具備改變嵌入式處理領域格局的潛力。然而，迄今為止還沒有哪一種技術脫穎而出成為取代微控制器（MCU）中閃存技術的強勁競爭者，直到FRAM的出現(xiàn)這種情況才得以改變。鐵電隨機存取存儲器（FRA
  • 關鍵字： 閃存  替代  方案  用作  FRAM  設計  中將  嵌入式  
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nand 閃存介紹

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