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LSI引領(lǐng)大數(shù)據(jù)時(shí)代的渠道轉(zhuǎn)型

  • 2013年7月12日,LSI公司宣布全新的渠道戰(zhàn)略計(jì)劃,將面向存儲和網(wǎng)絡(luò)加速解決方案,在中國構(gòu)建強(qiáng)大的渠道體系。這一渠道計(jì)劃包括五大戰(zhàn)略舉措:
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LSI宣布構(gòu)建最新渠道體系,滿足大數(shù)據(jù)增長需求

  • LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布,將在中國構(gòu)建強(qiáng)大且面向存儲和網(wǎng)絡(luò)加速解決方案的渠道體系的戰(zhàn)略。為此LSI提出了五大渠道戰(zhàn)略:
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芯片制造設(shè)備行業(yè)2014年前景看好

  •   據(jù)國外媒體報(bào)道,芯片廠商尚未打破增長-衰退交替出現(xiàn)的規(guī)律。周一從芯片行業(yè)展會SemiconWest上透露出的一個(gè)關(guān)鍵信息是,盡管對芯片產(chǎn)業(yè)2013年增長的預(yù)期落空,但明年的前景要光明得多。   SEMI(半導(dǎo)體設(shè)備暨材料協(xié)會)預(yù)計(jì),2013年芯片制造設(shè)備營收將下降約2%。SEMI高管丹尼爾·特拉西(DanielTracy)預(yù)測,2014年芯片制造設(shè)備營收將猛增21%。   當(dāng)然,SEMI以往曾對芯片制造設(shè)備營收作出過高的預(yù)期。1年前,SEMI曾預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收將增長約1
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2013年:芯片制造業(yè)陷入低谷 明年會變好

  •   根據(jù)國外媒體的報(bào)道,2013年全球的芯片制造業(yè)將出現(xiàn)衰退,預(yù)計(jì)芯片制造設(shè)備的全年?duì)I收下降2%,而此前SEMI曾經(jīng)預(yù)計(jì)2013年芯片制造設(shè)備營收會增長10%。   這次衰退預(yù)計(jì)同樣出自SEMI,這表明此前他們對2013年的樂觀預(yù)計(jì)已經(jīng)落空。實(shí)際上從2012年下半年開始,以NAND閃存為首的芯片廠商對芯片制造設(shè)備的訂單就已經(jīng)開始萎縮。目前只有Intel、三星、臺積電三家狀況比較穩(wěn)定,主要是因?yàn)橄M(fèi)類電子產(chǎn)品對芯片需求量大,三家企業(yè)處于難以撼動的統(tǒng)治地位。   不過SEMI依然對2014年的發(fā)展
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中國廠商成全球芯片行業(yè)增長新引擎

  •   導(dǎo)語:路透社今天撰文指出,近年來高端手機(jī)市場的需求趨于飽和,曾經(jīng)推動芯片行業(yè)發(fā)展的兩大科技巨頭——三星和蘋果公司的增長也開始放緩,但隨著華為、聯(lián)想等中國移動廠商的強(qiáng)勢崛起,以及中國移動市場的火爆,中國力量正成為全球芯片行業(yè)增長的新引擎。   以下為文章全文:   重新掌握主動   隨著中國低端智能手機(jī)和平板電腦的需求激增,以及華為等中國移動設(shè)備廠商的強(qiáng)勢崛起,東芝、SKHynix等亞洲存儲芯片廠商有望從這種趨勢中獲得重要回報(bào)。中國目前已取代美國,成為全球第一大智能手機(jī)市場
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內(nèi)存芯片商揚(yáng)眉吐氣 靠中國企業(yè)賺錢了

  •   7月5日消息,由于中國廉價(jià)平板、智能手機(jī)需求增長,由于中國移動設(shè)備商的出現(xiàn),東芝、海力士等內(nèi)存商終于擺脫了倒霉運(yùn),開始收獲金錢了。   在高端產(chǎn)品領(lǐng)域,盡管市場增速沒過去那么快了,但是,這些設(shè)備渴望裝上更大的內(nèi)存,也會刺激內(nèi)存銷售的增長。   兩種趨勢之下,加上2011年以來內(nèi)存商縮減投資,DRAM(動態(tài)隨機(jī)訪問存儲器)和NAND內(nèi)存芯片價(jià)格已經(jīng)開始回升,在廠商面前,內(nèi)存制造商抬起頭來,它們有了更高的議價(jià)能力。   I’M投資證券公司分析師Hong Sung-ho指出:“
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NAND需求旺盛 模塊廠Q3將迎來火爆場面

  •   存儲器大廠美光(Micron)昨(20)日召開法說會,執(zhí)行長MarkDurcan看好下半年NANDFlash旺季,并指出未來12個(gè)月,NAND市場產(chǎn)能供給增加的幅度有限,但需求十分強(qiáng)勁,幾乎可用貪婪的需求(insatiabledemand)來形容,因此對下半年NAND市場抱持樂觀正面看法。   根據(jù)集邦科技旗下DRAMeXchange調(diào)查,由于全球4大供應(yīng)商近一年來沒有擴(kuò)產(chǎn)動作,加上制程微縮難度太高導(dǎo)致速度放緩,第3季NANDFlash位元成長率恐低于10%,但因行動裝置及固態(tài)硬盤(SSD)市場進(jìn)入
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NAND閃存閃現(xiàn)光芒,今年?duì)I業(yè)收入有望大增

  • 據(jù)IHS公司的閃存市場動態(tài)簡報(bào),由于在手機(jī)、游戲控制臺和混合存儲驅(qū)動器等產(chǎn)品中的使用擴(kuò)大,NAND閃存市場今年有望實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)的增長。
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NAND在2012年第四季度表現(xiàn)強(qiáng)勁

  •   據(jù)IHS iSuppli公司的數(shù)據(jù)閃存市場追蹤報(bào)告,低端平板電腦市場相對強(qiáng)健,幫助NAND閃存產(chǎn)業(yè)在2012年第四季度取得良好表現(xiàn),提升了全年?duì)I業(yè)收入水平,并縮減了2012年虧損程度。   2012年第四季度NAND營業(yè)收入為58億美元,比第三季度的48億美元增長17%,這是當(dāng)年表現(xiàn)最好的一個(gè)季度,如圖3所示。在最后一個(gè)季度的強(qiáng)力推動下,2012年全年NAND營業(yè)收入達(dá)到200億美元,比2011年只下降4.6%,降幅小于最初擔(dān)憂的水平。   圖3:2012年各季度全球NAND閃存營業(yè)收入預(yù)估(以百
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日系半導(dǎo)體公司一季度恢復(fù)盈利

  •   根據(jù)Digitimes的研究報(bào)告顯示,日本前三大半導(dǎo)體公司,東芝,瑞薩電子和索尼,盡管2012財(cái)年(從2012年4月至2013年3月)收入按年繼續(xù)降低,但利潤已經(jīng)提高。   其中,東芝今年第一季度NAND閃存營業(yè)收入達(dá)到了1730億日元(17.1億美元),達(dá)到2010年第一季度以來的最高水平。NAND閃存營業(yè)收入上升是由于出貨量增加和價(jià)格穩(wěn)定。東芝已經(jīng)看到半導(dǎo)體營業(yè)收入和營業(yè)利潤連續(xù)三個(gè)季度增長。   瑞薩電子今年第一季度營業(yè)收入,環(huán)比下降1.9%,達(dá)到1739億日元。然而,在連續(xù)七個(gè)季度的經(jīng)營虧
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DRAM看漲 類股營運(yùn)走俏

  •   由于韓國三星半導(dǎo)體將七成存儲器供自家手機(jī)、平板及電視使用下,加上大陸白牌平板計(jì)算機(jī)、智能手機(jī)備貨潮重新啟動,存儲器近期報(bào)價(jià)緩步上揚(yáng),DDR32Gb均價(jià)每顆站上1.74美元,站上二年多來新高,相關(guān)DRAM族群營運(yùn)看俏。    ?   此外,NANDFlash應(yīng)用大廠群聯(lián)預(yù)期,今年7、8月,NANDFlash芯片將陷入缺貨窘境,擁有強(qiáng)力貨源為后盾的廠商將受惠。   市場得知,三星將把七成行動存儲器產(chǎn)能保留給自家產(chǎn)品后,市場備貨潮5月中旬再度啟動,讓標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)再度揚(yáng)升,站上
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非易失性存儲器主導(dǎo)閃存發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)

  • 閃存幾乎無處不在,特別是在移動設(shè)備中。閃存具有各種外形尺寸,隨著成本的不斷降低以及容量和工作壽命的不斷增 ...
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MAXQ構(gòu)架上閃存和SRAM存儲器的分配

  • MAXQ架構(gòu)是一種基于標(biāo)準(zhǔn)Harvard結(jié)構(gòu)、功能強(qiáng)大的單周期RISC微控制器,程序和數(shù)據(jù)存儲總線相互獨(dú)立。這種組織 ...
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NAND閃存深入解析

  • 對于許多消費(fèi)類音視頻產(chǎn)品而言,NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn) ...
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德州儀器聯(lián)手Continental推出65 納米安全ARM? Cortex? 微控制器

  • 日前,德州儀器 (TI) 與國際汽車供應(yīng)商 Continental 愉悅宣布,雙方合作推出首款支持閃存技術(shù)的 65 納米 ARM Cortex 安全微控制器已投入量產(chǎn)。支持電子制動系統(tǒng) (PACE) 高級控制的 Continental 處理器是 Continental MK 100 系列電子穩(wěn)定控制 (ESC) 系統(tǒng)的基礎(chǔ)。
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nand 閃存介紹

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