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EEPW首頁 >> 主題列表 >> nand 閃存

LSI加盟OCP并貢獻多款設(shè)計

  • LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟開放計算項目(OCP)，并且正在為OCP全球社區(qū)貢獻兩款存儲基礎(chǔ)架構(gòu)參考設(shè)計。
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Spansion與旺宏電子訴訟的真相

  • 很多人可能都很好奇：接下來Spansion與旺宏的訴訟之戰(zhàn)將何去何從。對于旺宏來說，訴訟帶來的公關(guān)效應(yīng)反倒比其索賠聲明更有實際影響。實際上，旺宏的主張對我們毫無威脅
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甲骨文新一代Exadata X4采用LSI 最新閃存技術(shù)

  • LSI公司 (NASDAQ: LSI)日前宣布LSI Nytro?閃存加速卡已被甲骨文選作PCIe?閃存加速技術(shù)，用于其新一代數(shù)據(jù)庫一體機Exadata X4系統(tǒng)中。此外，LSI與甲骨文通力協(xié)作，為Exadata客戶帶了一款最新LSI Nytro技術(shù)——Dynamic Logical Capacity (DLC)。
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布局存儲器封測 臺廠競爭卡位

  • 　　存儲器大廠美光擴大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺廠積極布局，今年存儲器封測競爭卡位，勢必激烈。 　　展望今年，國際存儲器大廠集中資源開發(fā)前端制程，包括動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)和快閃存儲器(Flash)后段封測可能擴大委外，封測臺廠考量自身發(fā)展，積極與國際大廠洽商合作。 　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲器大廠爾必達(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。 　　為進一步集成DRAM封測業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測
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武漢新芯：定位存儲器制造，兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨立經(jīng)營，是國有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲器制造。近日，武漢新芯董事長王繼增告訴筆者。
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ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

  • 在本章開始之前，我們先來看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
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武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國際)經(jīng)營管理，從2012年底起獨立經(jīng)營。
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東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機等廣泛的數(shù)字消費品。批量生產(chǎn)將從11月底開始。
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基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲器管理接口結(jié)合I/O口來實現(xiàn)NAND Flash存儲結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動程序。
  • 關(guān)鍵字： Flash  嵌入式  MCU  存儲器  NAND  寄存器  201312  

全新LSI SandForce SSD控制器推高閃存性能

  • 　　客戶端性能超過1.8GB/s，支持PCIe及SATA雙接口，針對客戶端、企業(yè)與超大規(guī)模環(huán)境優(yōu)化 　　2013年11月25日，北京–LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布市場領(lǐng)先的SandForce?閃存控制器產(chǎn)品系列推出第三代。這項業(yè)界最廣泛部署的閃存管理技術(shù)適用于驅(qū)動PCIe?及SATA固態(tài)硬盤(SSD)以及閃存卡解決方案。最新LSI?SandForceSF3700閃存控制器系列旨在支持低功耗客戶端計算應(yīng)用、I/O密集型企業(yè)以及超大規(guī)模環(huán)境，可提供更高水平的
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Marvell擴大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實現(xiàn)全球消費者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲、網(wǎng)絡(luò)、計算、移動和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨一無二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
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可管理NAND：適用于移動設(shè)備的嵌入式大容量存儲

  • 與多年前相比，現(xiàn)在的移動消費電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲大量音樂、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲...
  • 關(guān)鍵字： NAND    移動設(shè)備    大容量存儲  

10月快閃存儲器NAND供過于求 合約價看漲

  • 　　市調(diào)機構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲存型快閃存儲器(NANDFlash)供過于求情況可望趨緩，10月合約價看漲。 　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國大陸無錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)價格飆漲，同時激勵9月NANDFlash合約價上漲3%至6%。 　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場銷售并無好轉(zhuǎn)跡象，不過，海力士無錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場供過于求情況可望趨緩。 　　集邦預(yù)期，近期1至2個月
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閃存MCU在實現(xiàn)農(nóng)網(wǎng)表方案的應(yīng)用

  • 國內(nèi)民用單相表一般可分為機械式電能表（感應(yīng)式電能表）和電子式電能表兩大類。過去機械式電能表的市場保有量比 ...
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用DNW通過USB燒uboot到nand

  • 燒寫前提：已經(jīng)把FS2410開發(fā)板的S3C2410_BIOS.bin通過JTAG燒到了NOR里面了，這樣我們從NOR啟動才可以使用US...
  • 關(guān)鍵字： DNW  USB  uboot  nand  
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nand 閃存介紹

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