nand 閃存文章進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)

Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開(kāi)創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存

　　全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯(cuò)、低密度奇偶校驗(yàn)(LDPC)技術(shù)，使消費(fèi)類及企業(yè)級(jí)SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲(chǔ)系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無(wú)與倫比的性能?！　arvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
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東芝開(kāi)始提供業(yè)內(nèi)首批符合UFS 2.0的嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨

　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開(kāi)始提供符合JEDEC UFS[1] 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。東芝在業(yè)內(nèi)率先提供此產(chǎn)品[2]。這兩種模塊還集成了UFS 2.0版本的可選功能——5.8Gbps高速M(fèi)IPI? M-PHY?[3]HS-G3 I/F，并實(shí)現(xiàn)了超高性能，包括650MB/s的讀取速度和180MB/s的寫入速度。　　傳輸速度的加快可縮短各
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TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列

　　據(jù)悉，TDK株式會(huì)社(社長(zhǎng)：上釜健宏)將于2014年8月開(kāi)始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過(guò)采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。　　目前，在消費(fèi)用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計(jì)M.2的采用也會(huì)得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢(shì)是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時(shí)，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過(guò)了10年。　　因此，考
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Spansion 對(duì)旺宏電子發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟

　　行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對(duì)旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項(xiàng)專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲(chǔ)產(chǎn)品中，在過(guò)往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。　　涉案的四項(xiàng)專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)

　　科研投資　　日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說(shuō)：2012年日本國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬(wàn)億日元，占GDP的5%，但它對(duì)應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過(guò)IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來(lái)計(jì)算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬(wàn)億日元，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰(shuí)不動(dòng)心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲(chóng)”產(chǎn)業(yè)，沒(méi)有國(guó)家的大力支持，沒(méi)有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費(fèi)的巨大投入，那是美夢(mèng)難圓的。　　半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)的要素之一，它每年投資計(jì)劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
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美光在上海加大研發(fā)，實(shí)現(xiàn)“中國(guó)設(shè)計(jì)”

　　2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營(yíng)銷高級(jí)總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國(guó)的前景，因?yàn)橹袊?guó)“十二五”計(jì)劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實(shí)現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合?！　∧壳懊拦庠谏虾Ｓ袃蓚€(gè)設(shè)計(jì)中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計(jì)，比如開(kāi)發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實(shí)驗(yàn)室，旨在與客戶實(shí)現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開(kāi)發(fā)各種解決方案。此外美光
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LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展

　　全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級(jí)PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長(zhǎng)?！　SI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計(jì)用于對(duì)磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲(chǔ)環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個(gè)SAS/SATA連接接口。相對(duì)于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍?！　SI?&nb
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英特爾固態(tài)盤：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求

　　在今天開(kāi)幕的英特爾信息技術(shù)峰會(huì)(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲(chǔ)器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當(dāng)今固態(tài)盤(SSD)的市場(chǎng)狀況、發(fā)展趨勢(shì)以及英特爾固態(tài)盤業(yè)務(wù)的策略進(jìn)行了全面剖析?！　∪找嬖鲩L(zhǎng)的固態(tài)盤市場(chǎng)需求　　從1987年至今，非易失性存儲(chǔ)器也早已從NOR時(shí)代切換到了NAND時(shí)代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時(shí)代進(jìn)入了TB時(shí)代。“首先，我們很高興地看到，固態(tài)盤在市場(chǎng)需求方面，將保持高速成長(zhǎng)的勢(shì)頭，”?
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)

　　智慧之石　　作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個(gè)巨大變革時(shí)代：1.?電子管時(shí)代――1905～1947(42年);2.?晶體管時(shí)代――1947～1958(11年);3.?集成電路時(shí)代――1958～…(到2014年已有56年)。　　電子管的發(fā)明拉開(kāi)了電子時(shí)代的序幕，為當(dāng)時(shí)蓬勃發(fā)展的無(wú)線電報(bào)事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時(shí)間里，推動(dòng)了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計(jì)算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國(guó)是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開(kāi)始廣播，也是30年代最早開(kāi)始電視廣播的國(guó)家之一
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Spansion 與 ISSI 簽署授權(quán)協(xié)議

　　全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商?Spansion?公司與先進(jìn)存儲(chǔ)與Integrated?Silicon?Solution?公司日前共同宣布，雙方已簽署授權(quán)協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議ISSI?將能夠獲得?Spansion?的專利組合，以開(kāi)發(fā)與生產(chǎn)特殊閃存產(chǎn)品。　　ISSI?閃存業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)部副總裁?Manjunatha?V.?Kashi?表示：“對(duì)于能夠與Spansion&n
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一種采用分離柵極閃存單元實(shí)現(xiàn)可編程邏輯陣列的新型測(cè)試結(jié)構(gòu)

　　大多數(shù)可編程陣列使用易失性存儲(chǔ)器SRAM作為配置數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元件。最近，有人嘗試使用非易失性存儲(chǔ)器(NVM)替代SRAM。基于NVM的FPGA是嵌入式IP應(yīng)用的理想選擇，其架構(gòu)和許多增強(qiáng)功能可改善芯片集成度、IP使用率和測(cè)試時(shí)間。Robert Lipp等人提出了一種采用淺溝槽隔離(STI)工藝的高壓三阱EEPROM檢測(cè)方案。
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RL78代碼閃存自編程期間響應(yīng)外圍中斷的方法

　　RL78產(chǎn)品的閃存，分為數(shù)據(jù)閃存區(qū)和代碼閃存區(qū)。數(shù)據(jù)閃存區(qū)用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而代碼閃存區(qū)用于用戶代碼及數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)。對(duì)于無(wú)內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，使用代碼閃存區(qū)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，通常是成本導(dǎo)向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，但是它的代碼閃存區(qū)也可兼作數(shù)據(jù)閃存區(qū)。
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瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝

　　全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會(huì)社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項(xiàng)應(yīng)用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)?！　‖F(xiàn)代發(fā)動(dòng)機(jī)油耗不斷降低，要求新型控制機(jī)制能夠?qū)?yīng)新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來(lái)的進(jìn)一步系統(tǒng)升級(jí)。高速實(shí)時(shí)處理，例如根據(jù)對(duì)多個(gè)傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進(jìn)行動(dòng)態(tài)切換將成為必備功能，車用MCU中將需要具備當(dāng)前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數(shù)目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車臨時(shí)停車時(shí)關(guān)掉發(fā)
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2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%

　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營(yíng)收較第三季下滑4.5%，來(lái)到61億6,800萬(wàn)美元。　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營(yíng)收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion? HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。
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