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nand 閃存
nand 閃存 文章 進(jìn)入nand 閃存技術(shù)社區(qū)
NAND和NOR flash詳解
- NOR和NAND是現(xiàn)在市場(chǎng)上兩種主要的非易失閃存技術(shù)。Intel于1988年首先開(kāi)發(fā)出NOR flash技術(shù),徹底改變了原先由EPROM和EEPROM一統(tǒng)天下的局面。緊接著,1989年,東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu),強(qiáng)調(diào)降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盤(pán)一樣可以通過(guò)接口輕松升級(jí)。但是經(jīng)過(guò)了十多年之后,仍然有相當(dāng)多的硬件工程師分不清NOR和NAND閃存。 相“flash存儲(chǔ)器”經(jīng)??梢耘c相“NOR存儲(chǔ)器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人
- 關(guān)鍵字: NAND NOR flash 集成電路 存儲(chǔ)器
Spansion與中芯國(guó)際簽代工協(xié)議 任命Gary Wang為大中華區(qū)總裁
- 10月24日,對(duì)Spansion和中芯國(guó)際來(lái)講都是一個(gè)重要的日子。Spansion公司宣布,為加強(qiáng)對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的關(guān)注力度,Spansion已與中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)展開(kāi)合作,將向中芯國(guó)際轉(zhuǎn)讓65納米MirrorBit 技術(shù),用于其在中國(guó)的300毫米晶圓代工服務(wù)。 中芯國(guó)際與Spansion還簽署了一項(xiàng)初步諒解備忘錄,將授權(quán)中芯國(guó)際為中國(guó)的與內(nèi)容發(fā)布相關(guān)的產(chǎn)品應(yīng)用市場(chǎng)制造和銷(xiāo)售90納米、65納米以及將來(lái)的Spansion M
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各類(lèi)器件增長(zhǎng)強(qiáng)勁 出貨量增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)調(diào)高
- 據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司ICInsights,2007年IC單位出貨量有望增長(zhǎng)10%。該公司先前的預(yù)測(cè)是增長(zhǎng)8%。 ICInsights將調(diào)高增長(zhǎng)率預(yù)測(cè)歸因于以下器件的出貨量強(qiáng)勁增長(zhǎng):DRAM(上升49%)、NAND閃存(上升38%)、接口IC(增長(zhǎng)60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換IC(上升58%)和汽車(chē)相關(guān)的模擬IC(上升32%)。 ICInsights表示,如果2007年IC單位出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高水平,將是連續(xù)第六年以?xún)晌粩?shù)的速度增長(zhǎng),創(chuàng)下前所未有的強(qiáng)勁增長(zhǎng)紀(jì)錄。 ICInsights認(rèn)為,
- 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù) 電源技術(shù) IC 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換 NAND 模擬IC
報(bào)告稱(chēng):07年全球集成電路出貨量將增長(zhǎng)10%
- 10月21日消息,據(jù)外電報(bào)道,市場(chǎng)研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量增長(zhǎng)率從原來(lái)的8%提高到了10%。 這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長(zhǎng)歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長(zhǎng),如DRAM內(nèi)存出貨量增長(zhǎng)49%,NAND閃存出貨量增長(zhǎng)38%,接口集成電路出貨量增長(zhǎng)60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長(zhǎng)58%,汽車(chē)模擬集成電路出貨量增長(zhǎng)32%。 ICInsights稱(chēng),如果2007年全球集成電路出貨量增長(zhǎng)率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長(zhǎng)
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DRAM現(xiàn)貨市場(chǎng)持續(xù)走弱 合約市場(chǎng)交易冷清
- 現(xiàn)貨市場(chǎng)DDR2價(jià)格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價(jià)格緩步盤(pán)堅(jiān)。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價(jià)之后,暫時(shí)止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場(chǎng)方面,由于現(xiàn)貨市場(chǎng)供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價(jià)格持續(xù)小幅上揚(yáng),DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。 十月份合約市場(chǎng)相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認(rèn)為,倘若預(yù)期十一
- 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng) 單片機(jī) DDR2 DRAM NAND MCU和嵌入式微處理器
NAND閃存價(jià)格反彈 帶動(dòng)八月芯片銷(xiāo)售增長(zhǎng)
- 根據(jù)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SIA報(bào)告,2007年8月全球芯片銷(xiāo)售三月平均值達(dá)到215.2億美元,比2006年同期數(shù)字猛升4.9%。8月份銷(xiāo)售增長(zhǎng)超過(guò)分析師預(yù)測(cè),比2007年7月的三月平均銷(xiāo)售額206.1億美元增長(zhǎng)4.5%。 SIA表示,增長(zhǎng)歸因于NAND閃存供應(yīng)減少導(dǎo)致平均銷(xiāo)售價(jià)格反彈。8月份NAND閃存銷(xiāo)售價(jià)格比7月增長(zhǎng)19%,與2006年8月相比增長(zhǎng)48%。 SIA總裁GeorgeScalise表示,“8月份,正常的季節(jié)性增長(zhǎng)帶來(lái)全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售連續(xù)健
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Microchip推12款全新高性能8位閃存單片機(jī)
- MicrochipTechnologyInc.(美國(guó)微芯科技公司)宣布推出12款全新的高性能、8位閃存單片機(jī),其中包括該公司首款集成片上高速12位模數(shù)轉(zhuǎn)換器外設(shè)的USB及LCD單片機(jī)系列。三個(gè)新產(chǎn)品系列共備有16種集成高分辨率片上模數(shù)轉(zhuǎn)換器的高性能PIC18單片機(jī),擴(kuò)展了Microchip通用PIC18F4523系列產(chǎn)品線并極大地豐富了客戶(hù)的選擇。 在這三個(gè)新產(chǎn)品系列中,PIC18F8723大容量存儲(chǔ)器通用系列提供豐富的外設(shè)集以及高達(dá)10MIPS
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東芝稱(chēng)閃存芯片供不應(yīng)求 只能完成70%訂單
- 東芝(Toshiba)半導(dǎo)體部門(mén)的CEO兼總裁ShozoSaito稱(chēng),東芝無(wú)法滿足對(duì)其N(xiāo)AND閃存芯片的需求,訂單已經(jīng)排到了12月份。 Saito表示,東芝只能滿足客戶(hù)訂單需求的70%。但是,東芝對(duì)NAND閃存芯片平均售價(jià)的前景并不樂(lè)觀。本周,Saito在接受采訪時(shí)說(shuō),目前有利的一面是需求相當(dāng)強(qiáng)勁,我們計(jì)劃大幅度提高產(chǎn)量,滿足迅速增長(zhǎng)的需求。 大多數(shù)的NAND閃存需求來(lái)自嵌入設(shè)備市場(chǎng),其中包括MP3播放機(jī)、優(yōu)盤(pán)等產(chǎn)品,閃存卡只占需求很少的一部分。Saito說(shuō),東芝將專(zhuān)注于嵌入式設(shè)備
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存市場(chǎng)計(jì)劃遇到阻力
- 據(jù)一名外國(guó)分析師透露,中國(guó)晶圓代工廠中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(Semiconductor Manufacturing International Corp.,以下簡(jiǎn)稱(chēng)中芯國(guó)際)進(jìn)軍閃存市場(chǎng)的計(jì)劃明顯遇到了阻力。 早在2005年的時(shí)候,以色列的賽芬半導(dǎo)體有限公司(Saifun Semiconductors Ltd.)曾透露和中芯國(guó)際簽訂了一份晶圓代工協(xié)議。在賽芬的幫助下,中芯國(guó)際公司去年決定進(jìn)軍存儲(chǔ)卡市場(chǎng)。中芯國(guó)際擴(kuò)充了專(zhuān)利授權(quán)范圍,獲得了使用氮氧化合物閃存技術(shù)的權(quán)利,目的是開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)存儲(chǔ)卡。
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NAND閃存價(jià)格走好 東芝晶圓廠產(chǎn)能滿載利潤(rùn)大漲
- Jefferies Japan高級(jí)分析員David Motozo Rubenstein日前透露,東芝(Toshiba)公司NAND閃存晶圓廠的產(chǎn)能利用率已經(jīng)處于最高位。 事實(shí)上,東芝公司的業(yè)務(wù)表現(xiàn)正在發(fā)生變化。David表示,“東芝認(rèn)為供需形勢(shì)處于有利狀況,由于晶圓廠產(chǎn)能利用率達(dá)到100%,公司不得不回絕了25%的訂單?!?還有更好的消息。NAND閃存“2006年平均售價(jià)下降70%,東芝曾經(jīng)預(yù)計(jì)2007年更進(jìn)一步下滑50%,但是到目前為止,價(jià)格還高于預(yù)計(jì)之上?!?價(jià)格已經(jīng)觸底
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C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展
- 摘要:NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇,當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證,揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。 關(guān)鍵詞:NAND Flash 數(shù)據(jù)存儲(chǔ) C8051F 引 言 大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)的瓶頸,受到容量、功耗、尋址方式的約束。突破容量限制,可以很大程度上擴(kuò)展和提高應(yīng)用系統(tǒng)的總體功能。Sumsung公司的NAND結(jié)構(gòu)Fla
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NAND閃存合同價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌
- 九月,NAND閃存芯片合約價(jià)格自六月以來(lái)首次下跌,較早前已堆積的存貨將使內(nèi)存制造商經(jīng)歷庫(kù)存增加壓力。 根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,多層單元(MLC)NAND閃存的價(jià)格在9月上旬下降10%以上,而單層單元閃存(SLC)的價(jià)格則相對(duì)穩(wěn)定。唯一主流NAND閃存即2Gb單層單元閃存可望價(jià)格有所回升。 據(jù)臺(tái)灣內(nèi)存消息人士指出,韓國(guó)三星電子8月震驚業(yè)內(nèi),使得激烈價(jià)格上升。需求被昂貴的價(jià)格壓抑,反映在現(xiàn)貨市場(chǎng)價(jià)格疲弱。 雖然許多內(nèi)存庫(kù)存商8月期間已經(jīng)減少其采購(gòu),最新的報(bào)價(jià)仍然加
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三星等涉嫌操控NAND閃存價(jià)格被起訴
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,三星電子和東芝等24家企業(yè)日前因涉嫌操縱NAND閃存價(jià)格而遇到集體訴訟。 據(jù)悉,被起訴的24家廠商包括雷克沙(Lexa)、日立美國(guó)公司、日立公司、日立電子設(shè)備美國(guó)公司、Hynix美國(guó)公司、Hynix半導(dǎo)體、美光(Micron)科技、美光半導(dǎo)體產(chǎn)品部公司、三菱公司、三菱電子美國(guó)公司; Mosel Vitelic、Renesas科技、Renesas科技美國(guó)公司、SanDisk、三星半導(dǎo)體、三星電子、意法半導(dǎo)體、東芝、東芝美國(guó)公司、東芝美國(guó)電子部件公司、
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 三星 NAND 閃存 消費(fèi)電子
東芝與SanDisk合資閃存工廠 計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)晶圓
- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場(chǎng)地內(nèi)。 東芝于2006年8月開(kāi)始興建上述工廠,預(yù)計(jì)在2007年12月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn),并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬(wàn)片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi),F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示,F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬(wàn)片。Fab
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 東芝 SanDisk 閃存 消費(fèi)電子
東芝與SanDisk合資閃存工廠 計(jì)劃月產(chǎn)8萬(wàn)晶圓
- 東芝(Toshiba)與SanDisk合資的300mm晶圓廠Fab 4舉行落成典禮。該廠位于東芝在日本四日市(Yokkaichi)的場(chǎng)地內(nèi)。 東芝于2006年8月開(kāi)始興建上述工廠,預(yù)計(jì)在2007年12月開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn),并在2008年下半年把月產(chǎn)能提高到8萬(wàn)片晶圓。在從2006年4月到2008年3月的兩年內(nèi),F(xiàn)ab 4項(xiàng)目的投資額預(yù)計(jì)達(dá)3,000億日元(約合26億美元)。 東芝和SanDisk表示,F(xiàn)ab 4的月產(chǎn)能有望提高到21萬(wàn)片。Fab 4在開(kāi)始階段將采用56納
- 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子 東芝 SanDisk 閃存 消費(fèi)電子
nand 閃存介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條nand 閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)nand 閃存的理解,并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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